Struktury dopasowane do indywidualnych wymagań
Wykonujemy struktury epitaksjalne wyłącznie na zamówienie – nie prowadzimy katalogu standardowych struktur. Każda realizacja jest przygotowywana zgodnie z wymaganiami klienta: od projektu warstw, przez dobór podłoża (w tym własnych podłoży GaN), po wybór techniki wzrostu – MOCVD lub MBE.
Epitaksja z wiązek molekularnych z plazmą azotową (PAMBE)
- Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) – struktury azotkowe dla emiterów światła (LED, diody laserowe) od UV po zakres żółty, struktury ze złączem tunelowym, warstwy silnie domieszkowane germanem i krzemem.
- Laboratorium Azotkowych Struktur Zintegrowanych (NL-16) – wzrost po obu stronach tego samego kryształu, struktury do oddzielania cienkich diod od podłoża GaN; dwukomorowy reaktor PAMBE Veeco Gen20a.
Epitaksja z fazy gazowej ze związków metaloorganicznych (MOCVD / MOVPE)
- Laboratorium Krystalizacji (NL-3) – epitaksjalne struktury półprzewodnikowe dla optoelektroniki i elektroniki.
- Laboratorium Przyrządów Optoelektronicznych (NL-15) – struktury dla przyrządów optoelektronicznych (diody laserowe, wzmacniacze optyczne, diody superluminescencyjne) – od projektu struktury po wzrost epitaksjalny.
Jak złożyć zamówienie
- Prześlij opis wymaganej struktury: sekwencję warstw, materiały, grubości, domieszkowanie, rozmiar i rodzaj podłoża, liczbę sztuk.
- Nasi specjaliści ocenią wykonalność i zaproponują technologię oraz ewentualne zmiany.
- Przygotujemy indywidualną ofertę z terminem realizacji.
Kontakt i zapytania
Cena ustalana jest indywidualnie na zapytanie