Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych "GaN-Unipress"

Celem projektu Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” jest rozwój światowej klasy ośrodka badawczego specjalizującego się w półprzewodnikach azotkowych (GaN) oraz ich zaawansowanych zastosowaniach w energoelektronice i technologiach kwantowych. Projekt bazuje na uznanym potencjale Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN), który dysponuje unikalną infrastrukturą oraz kompetencjami w zakresie amonotermalnego wzrostu kryształów GaN, przygotowania podłoży, epitaksji struktur kwantowych, wytwarzania przyrządów w technologii GaN-na-GaN oraz badań podstaw fizyki półprzewodników azotkowych.

Projekt obejmuje działania czterech ściśle współpracujących zespołów badawczych. WP1 rozwija technologię krystalizacji amonotermalnej, prowadząc do otrzymania 4-calowych podłoży GaN o rekordowo wysokiej jakości strukturalnej (widoczny efekt Borrmanna). WP2 projektuje i wytwarza zaawansowane diody mocy (p-n, p-i-n, Schottky), wykorzystując technologie epitaksji, implantacji jonowej oraz aktywacji domieszek metodą wygrzewania wysokociśnieniowego.

WP3 opracowuje źródła pojedynczych fotonów i sensory kwantowe na bazie GaN domieszkowanego jonami ziem rzadkich, natomiast WP4 stosuje metody sztucznej inteligencji i uczenia maszynowego do optymalizacji procesów, tworzenia cyfrowych bliźniaków oraz przyspieszania cyklu badawczo-rozwojowego. Dzięki synergii działań projekt oferuje zintegrowane podejście do całego łańcucha technologicznego: od krystalizacji materiału, przez projektowanie przyrządów, po cyfrową optymalizację.

Projekt nie obejmuje badań podstawowych – koncentruje się na rozwoju technologii o wysokim potencjale wdrożeniowym i komercjalizacyjnym. Docelowo „GaN-Unipress” ma stać się globalnym liderem w dziedzinie nowoczesnych technologii półprzewodnikowych.