- Warsaw-4-PhD School
- Doctoral studies
Events
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021![]() W dniach 19-21 stycznia odbędzie się ciekawe Sympozjum naukowe na temat fizyki i technologii półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną (ISWGPDs 2021). Sympozjum organizowane jest przez japońskie uniwersytety. Przewodniczącym Komitetu Organizacyjnego jest Prof. Hiroshi Amano (Uniwersytet Nagoya). W sympozjum wezmą udział Koledzy z IWC PAN jako „Keynote and invited speakers”. Iza Gorczyca, Staszek Krukowski, Paweł Kempisty oraz Konrad Sakowski wygłoszą wykłady na temat teoretycznego modelowania procesów krystalizacji oraz własności struktur kwantowych i przyrządów. To duże wyróżnienie dla IWC PAN. Gratulacje dla wykładowców ! Lasery DFB wytwarzane metodą MBE![]() W ostatnich dniach ukazała się publikacja w Optics Express, w której nasza grupa MBE (NL-14) raportuje wytworzenie pierwszego na świecie azotkowego lasera DFB (distributed feedback) wzrastanego metodą MBE. Uzyskano rekordowe wartości tłumienia modow bocznych dzięki zastosowaniu złącza tunelowego, które pozwoliło na wytworzenie siatki dyfrakcyjnej bezpośrednio na szczycie paska laserowego. Praca ta jest efektem współpracy z grupami profesor H. G. Xing i profesora D. Jena z Cornell University. |
Przejście fazowe w krysztale GaN w ekstremalnych ciśnieniach i temperaturach![]() W ostatnich dniach, Bohdan Sadovyi, Gosia Wierzbowska i Koledzy z IWC PAN oraz z ESRF (Grenoble) opublikowali w Physical Review B interesującą prace, w której określili granicę pomiędzy fazą wurcytu i soli kamiennej kryształu GaN. Wyniki pomiarów absorpcji promieniowania X (EXAFS) w kowadłach diamentowych z grzaniem laserowym (LH DAC) zostały opisane teoretycznie z bardzo dobrą zgodnością. Została wykazana istotna rola nieharmoniczności drgań atomów w sieci GaN, a także różnice własności sieci GaN i AlN w odniesieniu do mechanizmów przejścia fazowego. |
Recently added
- Komunikat nr 1 w przetargu ZP-199/07/2020
- International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021
- Konkursy na stanowisko doktorant-stypendysta w ramach Projektu NCN OPUS-18
- Otwarcie ofert w postępowaniu ZP-207/12/2020 o udzielenie zamówienia na usługi ochrony obiektów IWC PAN
- Komunikat nr 1 w przetargu ZP-207/12/2020 o udzielenie zamówienia na usługi ochrony obiektów IWC PAN
Links |