Instytut Wysokich Ciśnień

Naukowcy z Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) oraz z Karlsruhe Institut für Technologie (KIT) otrzymali grant Weave-UNISONO na realizację badań nad nadprzewodnikami na bazie żelaza (ang. iron (Fe)-based superconductors - FBS). Narodowe Centrum Nauki właśnie ogłosiło wyniki konkursu.

Polski zespół pod kierownictwem dr hab. Shiv Jee Singha z IWC PAN oraz niemiecki zespół pod kierownictwem dr Jensa Hänischa z KIT połączą swoją wiedzę i umiejętności, aby opracować unikalną metodę wytwarzania nowych i ulepszonych cienkich warstw nadprzewodników FBS, łącząc konwencjonalne techniki osadzania cienkich warstw oraz techniki wysokociśnieniowe.

Nadprzewodniki FBS wypełniają lukę między innymi wysokotemperaturowymi nadprzewodnikami na bazie miedzi a klasycznymi nadprzewodnikami niskotemperaturowymi. Wyznaczenie diagramów fazowych oraz zrozumienie korelacji warunków wytwarzania i właściwości ma kluczowe znaczenie z punktu widzenia badań podstawowych, jak również dla wykorzystania potencjału tych materiałów w praktycznych zastosowaniach.

Szczegóły projektu podsumowuje abstrakt.

Więcej o konkursie Weave-UNISONO pod linkiem. Konkurs Weave-UNISONO jest otwarty w trybie ciągłym. Można uzyskać finansowanie na współpracę z partnerami z Austrii, Czech, Słowenii, Szwajcarii, Niemiec, Luksemburga oraz Belgii-Flandrii.

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej (FNP) przyznała Instytutowi Wysokich Ciśnień PAN finansowanie na rozwój Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” w ramach działania Międzynarodowe Agendy Badawcze (MAB FENG). Projekt koncentruje się na badaniach przemysłowych i pracach rozwojowych - finansowanie nie obejmuje badań podstawowych.

Struktura projektu
Projekt integruje pełne spektrum działań „od materiału do konkretnego przyrządu”, w jednym, dedykowanym centrum. Kierownikiem MAB jest prof. dr hab. inż. Michał Boćkowski (IWC PAN), który jednocześnie poprowadzi WP3. Liderami pozostałych pakietów prac są: dr inż. Robert Kucharski (WP1), dr inż. Tomasz Sochacki (WP2) oraz dr hab. Paweł Kempisty, prof. IWC PAN (WP4).

Projekt obejmuje cztery, silnie zintegrowane obszary badawcze, tworzące kompletny łańcuch wartości - od materiału do urządzenia i algorytmów projektowania:

• WP1: Krystalizacja amonotermalna GaN i wytwarzanie podłoży o rekordowej jakości strukturalnej (m.in. docelowo 4-calowe podłoża GaN).
• WP2: Projektowanie i wytwarzanie diod mocy na podłożach GaN (p-n, p-i-n, Schottky/JBS) z naciskiem na niskie straty i wysokie napięcia przebicia.
• WP3: GaN domieszkowany jonami ziem rzadkich jako platforma dla źródeł pojedynczych fotonów i sensorów kwantowych, również z wykorzystaniem autorskiej technologii implantacji + wygrzewania wysokociśnieniowego (I/I+UHPA).
• WP4: Informatyka materiałowa — wykorzystanie AI/ML do optymalizacji krystalizacji, epitaksji oraz projektowania i diagnostyki przyrządów.

Strategiczne partnerstwa i współpraca krajowa 
Silnym elementem „GaN-Unipress” jest współpraca z Uniwersytetem Warszawskim (UW) i Politechniką Warszawską (PW). WP3 będzie rozwijany we współpracy z Zakładem Fizyki Ciała Stałego, Instytutu Fizyki Doświadczalnej UW, a WP4 uzyska wsparcie Zakładu Sztucznej Inteligencji i Metod Obliczeniowych Wydziału Matematyki i Nauk Informacyjnych PW. Ponadto strategicznym partnerem międzynarodowym projektu jest CNR-IMM we Włoszech (Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per la Microelettronica e Microsistemi), kierowany m.in. przez zespół dr. Fabrizio Roccaforte.

Dlaczego to ważne?
Połączenie unikalnych kompetencji IWC PAN w fizyce i technologii azotków z krystalizacją GaN, zaawansowaną epitaksją i narzędziami AI/ML daje Polsce wyjątkową pozycję do rozwoju energoelektroniki (wydajna konwersja energii) i technologii kwantowych (komunikacja i sensory), z realnym potencjałem komercjalizacji. Projekt rozwija Centrum „GaN-Unipress” jako rozpoznawalny, międzynarodowy ośrodek doskonałości.

Więcej o programie MAB i wynikach naboru 2/2025 na stronie FNP.

Z przyjemnością ogłaszamy 10. Zimowe Warsztaty Kalatówki – wyjątkowe spotkanie naukowe poświęcone fizyce i technologii półprzewodników azotkowych grupy III, w tym diodom laserowym na bazie InGaN, diodom LED, emiterom kwantowym i nowatorskim urządzeniom optoelektronicznym. Warsztaty odbędą się w dniach 15-20 marca 2026 r.

Warsztaty kontynuują długoletnią tradycję nieformalnych i inspirujących dyskusji odbywających się w pięknej scenerii Tatr. Naukowcy są zaproszeni do dzielenia się najnowszymi wynikami badań, wymiany pomysłów i zacieśniania współpracy w swobodnej atmosferze hotelu górskiego Kalatówki. Podobnie jak w poprzednich edycjach warsztatów, udział w nich jest możliwy wyłącznie na zaproszenie.

Tematyka obejmuje:

• Wzrost epitaksjalny i przetwarzanie struktur III-N
• Charakterystyka optyczna i elektryczna
• Diody laserowe, mikro-diody LED i integracja fotoniczna
• Urządzenia kwantowe i defekty w azotkach
• Nowatorskie zastosowania w komunikacji, wykrywaniu i metrologii