

- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Wydarzenia
Zrób doktorat z fizyki!!!
|
|
| Więcej... |
Wzmocnienie nadprzewodnictwa wywołane ciśnieniem w CaKFe₄As₄ z manganemCaKFe4As4 jest szczególnie interesującym nadprzewodnikiem stechiometrycznym, ponieważ w przeciwieństwie do większości nadprzewodników na bazie żelaza, wykazuje nadprzewodnictwo bez konieczności domieszkowania chemicznego. Ta wyjątkowa cecha sprawia, że jest on idealną platformą do badania efektów selektywnej substytucji pierwiastków w nadprzewodzących warstwach FeAs. Zespół badawczy prof. Shiva J. Singha (Laboratorium NL-6 Nadprzewodników i Technologii Wodorowych) przeprowadził systematyczne badania wpływu substytucji manganu (Mn) w połączeniu z syntezą pod wysokim ciśnieniem na właściwości nadprzewodzące CaKFe₄As₄. Objętościowe próbki CaK(Fe₁₋ₓMnₓ)₄As₄ domieszkowane manganem zostały otrzymane zarówno metodą konwencjonalnej syntezy w stanie stałym, jak i metodą syntezy pod wysokim ciśnieniem. Chociaż domieszkowanie Mn zazwyczaj tłumi nadprzewodnictwo w układach na bazie żelaza, wykazano, że zastosowanie syntezy wysokociśnieniowej częściowo przeciwdziała temu niekorzystnemu efektowi. W rezultacie zaobserwowano znaczny wzrost temperatury przejścia nadprzewodzącego (Tc) o około 3–7 K dla próbek z 2–3% Mn. Ponadto badania pokazały unikalne zachowanie CaKFe4As4 domieszkowanego Mn, gdzie wzrost Tc można osiągnąć dzięki połączonym efektom kontrolowanego domieszkowania i wysokiego ciśnienia. Więcej szczegółów można znaleźć w publikacji: Manasa Manasa, Mohammad Azam, Tatiana Zajarniuk, Svitlana Stelmakh, Tomasz Cetner, Andrzej Morawski i Shiv J. Singh zatytułowanej „Enhancement of the Superconducting Transition Temperature in Mn-doped CaKFe4As4 Processed by the High gas-pressure and High-temperature Synthesis Method” Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 39, 10 (2026).
Rysunek: Porównawcze podsumowanie temperatur przejścia nadprzewodzącego (Tc) dla materiałów CaK(Fe₁₋ₓMnₓ)₄As₄ wytworzonych metodą CSP w ciśnieniu otoczenia oraz metodą syntezy w wysokim ciśnieniu i temperaturze (HP-HTS), wraz z danymi literaturowymi dotyczącymi monokryształów CaKFe₄As₄ domieszkowanych manganem, wyhodowanych metodą konwencjonalną w ciśnieniu otoczenia [22], przedstawiono wraz ze stężeniem manganu (x). Wartości temperatury przejścia są określane na podstawie pomiarów oporności, R(T), i magnetycznych M(T). Referat zaproszony na UK Nitrides Consortium Winter Meeting 2026Z przyjemnością informujemy o wykładzie zaproszonym dr inż. Marty Sawickiej z Laboratorium MBE naszego Instytutu na konferencji UK Nitrides Consotrium (UKNC) Winter Meeting 2026 organizowanym przez Swansea University (Wielka Brytania) w dniach 7-8 stycznia 2026 r. Tytuł: Exploring electrochemical etching as a tool for cladding engineering in III-nitride laser diodes UKNC łączy brytyjskich badaczy z przemysłu i uczelni, stanowiąc platformę wymiany pomysłów i osiągnięć w zakresie półprzewodników azotkowych oraz materiałów o szerokiej przerwie energetycznej. Pełen program konferencji UK Nitrides Consortium Winter Meeting 2026 pod linkiem. Wyróżnienie w konkursie Polski Produkt PrzyszłościNajbardziej innowacyjne polskie projekty zostały nagrodzone podczas Gali Finałowej XXVI edycji konkursu „Polski Produkt Przyszłości”, organizowanej przez Polską Agencję Rozwoju Przedsiębiorczości (PARP), która odbyła się 2 grudnia 2025 w Warszawie. W tegorocznej edycji zgłoszono 152 projekty, z których wiele już dziś prezentuje wysoki potencjał wdrożeniowy. Przyznano 3 nagrody główne, 10 wyróżnień oraz nagrody specjalne. Wyróżnienie w kategorii "Wspólny produkt przyszłości instytucji szkolnictwa wyższego i nauki oraz przedsiębiorcy" otrzymała technologia: Innowacyjne elektrody do procesu drążenia elektroerozyjnego wgłębnego o podwyższonej żywotności, opracowana przez Instytut Wysokich Ciśnień PAN oraz GEMET Elżbieta Czerwieniak. Technologia wykorzystuje silne odkształcenie plastyczne do poprawy właściwości materiału elektrod, co pozwala na znaczące zwiększenie wydajności konwencjonalnych procesów obróbki elektroerozyjnej. Serdecznie gratulujmy wszystkim laureatom i wyróżnionym, a w szczególności zespołowi z Laboratorium Plastyczności pod Wysokim Ciśnieniem - dr hab. inż. Mariuszowi Kulczykowi, prof. IWCPAN, dr inż. Jackowi Skibie i współpracownikom z firmy GEMET Elżbieta Czerwieniak. Katalog Laureatów XXVI edycji Konkursu Polski Produkt Przyszłości dostępny jest pod linkiem. Prof. Wojciech Knap laureatem Nagrody Fundacji na rzecz Nauki Polskiej 2025Z radością informujemy, że prof. dr hab. Wojciech Knap z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN został laureatem Nagrody Fundacji na rzecz Nauki Polskiej 2025 w obszarze nauk matematyczno-fizycznych i inżynierskich. Wyróżnienie – nazywane często „Polskim Noblem” – jest uznawane za najważnią nagrodę naukową w Polsce. X Winter Workshop Kalatówki 2026Z przyjemnością ogłaszamy 10. Zimowe Warsztaty Kalatówki – wyjątkowe spotkanie naukowe poświęcone fizyce i technologii półprzewodników azotkowych grupy III, w tym diodom laserowym na bazie InGaN, diodom LED, emiterom kwantowym i nowatorskim urządzeniom optoelektronicznym. Warsztaty odbędą się w dniach 15-20 marca 2026 r. Warsztaty kontynuują długoletnią tradycję nieformalnych i inspirujących dyskusji odbywających się w pięknej scenerii Tatr. Naukowcy są zaproszeni do dzielenia się najnowszymi wynikami badań, wymiany pomysłów i zacieśniania współpracy w swobodnej atmosferze hotelu górskiego Kalatówki. Podobnie jak w poprzednich edycjach warsztatów, udział w nich jest możliwy wyłącznie na zaproszenie. Tematyka obejmuje:
|
SPIE Photonics West 2026Naukowcy z naszego Instytutu zaprezentują cztery referaty zaproszone i jedną prezenację ustną na SPIE Photonics West 2026, największej na świecie konferencji dotyczacej technologii fotonicznych. Konferencja SPIE Photonics West 2026 będzie miała miejsce w dniach 19-22 stycznia 2026 w San Francisco (USA). Program równoległych konferencji Gallium Nitride Materials and Devices XXI tutaj, a program konferencji Light-Emitting Devices, Materials, and Applications XXX pod linkiem. Izabella Grzegory Thermodynamics and crystallization of hBN at high N2 pressure: comparison to High Nitrogen Pressure Solution growth of GaN (Invited Paper) Henryk Turski Using both faces of bulk GaN substrates for functional devices (Invited Paper) Henryk Turski Electrochemical etching for seamless micro-transfer printing of InGaN LEDs (Invited Paper) Anna Kafar, Adam Brejnak, Szymon Stanczyk, Krzysztof Gibasiewicz, Jacek Kacperski, Anna Nowakowska-Szkudlarek, Łucja Marona, Szymon Grzanka, Piotr Perlin (Al,In)GaN waveguides with low losses for blue light photonic integrated circuits (Invited Paper) Łucja Marona, Szymon Grzanka, Agata Bojarska Cieślińska, Piotr Perlin High-power single-mode greenl lasers enabled by InGaN-Based VECSELs (Oral presentation) Gala wręczenia Nagród FNP 2025Po raz 34. wręczono Nagrody FNP, często określane mianem „polskich Nobli”. Podczas uroczystości 3 grudnia 2025 na Zamku Królewskim w Warszawie, prof. Krzysztof Pyrć podkreślił, że misją Fundacji na rzecz Nauki Polskiej jest „wspierać najlepszych, aby mogli stać się jeszcze lepsi”. Gratulujemy nagrodzonym naukowcom, wśród których jest prof. Wojciech Knap z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN i Laboratorium CENTERA w CEZAMAT Politechniki Warszawskiej, prof. Ewelina Knapska z Instytutu Biologii Doświadczalnej im. M. Nenckiego PAN, prof. Dorota Gryko z Instytutu Chemii Organicznej PAN oraz prof. Anna Matysiak z Wydziału Nauk Ekonomicznych Uniwersytetu Warszawskiego. Nagroda Fundacji na rzecz Nauki Polskiej jest przyznawana za szczególne osiągnięcia i odkrycia naukowe, które przesuwają granice poznania i otwierają nowe perspektywy poznawcze, wnoszą wybitny wkład w postęp cywilizacyjny i kulturowy naszego kraju oraz zapewniają Polsce znaczące miejsce w podejmowaniu najbardziej ambitnych wyzwań współczesnego świata. Relacja z Gali wręczenia Nagród FNP 2025 na profilu LinkedIn. Projekt NCN OPUS dla dr inż. Grzegorza StaszczakaNarodowe Centrum Nauki ogłosiło wyniki najnowszej edycji konkursu OPUS 29. Opublikowane zostały również listy rankingowe. Z przyjemnością informujemy, że jednym z laureatów został dr Grzegorz Staszczak z naszego Instytutu. Projekt pt. „Supersieci na zrelaksowanych, porowatych podłożach GaN dla wydajnych czerwonych mikroLEDów o stabilnej długości fali emisji” dotyczy opracowania zaawansowanych materiałów i supersieci dla nowej generacji czerwonych mikrodiod LED, których celem jest zwiększenie wydajności urządzeń oraz poprawa stabilności długości fali emitowanego światła. Gratulujemy! Streszczenie projektu dostępne jest pod tym linkiem.
Jaszowiec 2026W dniach 13-19 czerwca 2026 w Szczyrku w Polsce, odbędzie się konferencja 54th International School & Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2026". Od ponad pół wieku konferencja ta łączy polskie środowisko naukowe z czołowymi światowymi naukowcami, sprzyjając współpracy, inspirując wspólne projekty i budując międzynarodowe przyjaźnie. Konferencja Jaszowiec 2026 rozpocznie się dwudniową Szkołą (13–14 czerwca 2026 r.) pod przewodnictwem dr. hab. inż. Michała Baranowskiego z Politechniki Wrocławskiej, która skierowana jest głównie do studentów, doktorantów i młodych naukowców. Następnie odbędzie się Konferencja (15–19 czerwca 2026 r.) pod przewodnictwem prof. dr. hab. Piotra Perlina z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Program obejmie aktualne tematy badawcze, takie jak układy kwantowe i niskowymiarowe, oddziaływanie światła z materią, magnetyzm i zjawiska spinowe, przyrządy i zastosowania, oraz wzrost i charakteryzacja materiałów - prezentowane w formie wykładów plenarnych, sesji tematycznych oraz wieczornych dyskusji młodych naukowców. W edycji 2026 zaplanowano również wykłady przedstawicieli przemysłu, wystawę oraz targi pracy dla studentów. Aktualne informacje znajdują się na stronie konferencji https://www.jaszowiec.edu.pl/ |
Adresy |













