Instytut Wysokich Ciśnień

Dnia 26 maja 2025 r. (poniedziałek) o godz. 13:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż. Joanny Łoś.

Temat rozprawy: „Charakterystyka zjawisk przedprzejściowych i dynamiki w materiałach ciekłokrystalicznych i ich nanokoloidach”

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN.

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju jako Instytucja Pośrednicząca dla Priorytetu I FENG 2021 zakończyła ocenę projektów złożonych w naborze nr FENG.01.01-IP.01-005/23 – Ścieżka SMART Projekty realizowane w konsorcjach. O projekty wnioskowały konsorcja z udziałem, lub bez udziału dużego przedsiębiorcy. W tej drugiej kategorii, na pierwszym miejscu listy rankingowej dofinansowanych projektów znalazł się projekt realizowany w konsorcjum SEEN Semiconductors Sp. z o. o. oraz grupa Prof. Michała Leszczyńskiego z NL-12 Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników.

W ramach naboru złożono 566 wniosków o dofinansowanie, a 51 wniosków na kwotę 686 870 078,42 PLN zostało wybranych do dofinansowania.

Tytuł Projektu:  Przewodzące struktury GaN/AlGaN/SiC do konstrukcji nowych generacji elektronicznych przyrządów wertykalnych. Akronim Projektu: "TranzGaN"

Celem projektu jest opracowanie technologii wzrostu bufora przewodzącego AlGaN:Si na podłożach SiC metodą MOVPE. W tym celu zostanie przeprowadzona optymalizacja przepływu reagentów, temperatury, ciśnieniu wzrostu oraz dezorientacji podłoży SiC. Rezultatem tego ma być przygotowanie warstwy bufora o dobrej przewodności elektrycznej i jak najmniejsza gęstości dyslokacji w warstwie GaN wzrośniętej na tym buforze. Pozwoli to na produkcję epitaksjalnych struktur przyrządów wertykalnych jak tranzystory CAVET, diody p-i-n czy diody laserowe co znacznie poszerzy doświadczenie naukowe Instytutu.

Wartość projektu: 4 455 429,57 zł

Wysokość wkładu Funduszy Europejskich: 3 752 662,00 zł

Dnia 20 maja 2025 r. (wtorek) o godz. 14.00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. inż. Jakuba Kalabińskiego.
Temat rozprawy: „Charakterystyka równowag fazowych w mieszaninach o ograniczonej mieszalności z wykorzystaniem nowej, autorskiej metody określenia krzywych współistnienia faz”

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN.

FeSe is the simplest iron-based superconductor and has a layered structure with alternating Fe and Se layers. Dr. Singh's research group from our Institute has studied the chemical pressure effect by substitution of the Pr element at Fe sites and As-substitution at Se-sites in FeSe compound. Conventional synthesis process (CSP) at ambient pressure and high-pressure growth technique were used. Interestingly, Pr doping at Fe sites preserves T_c^onset and improves J_c of FeSe_0.5Te_0.5 regardless of the doping contents and growth conditions. More detail about this study can be found in the recently published paper by: Priya Singh, Manasa Manasa, Mohammad Azam, Tatiana Zajarniuk, Svitlana Stelmakh, Taras Palasyuk, Jan Mizeracki, Tomasz Cetner, Andrzej Morawski, Cezariusz Jastrzębski, Michał Wierzbicki, Shiv J. Singh entitled “Praseodymium doping effect on the superconducting properties of FeSe_0.5Te_0.5 bulks under ambient and high-pressure growth conditions” Physica C: Superconductivity and its Applications (Elsevier) 633, 1354729 (2025); https://doi.org/10.1016/j.physc.2025.1354729

Figure: The variation of (a) the onset transition temperature (T_c) (b) the transition width (ΔT) (c) the room temperature resistivity (ρ_300K) (d) residual resistivity ratio (RRR = ρ_300K / ρ_20K) (e) the critical current density (J_c) at 7 K for H = 0 T (closed symbol) and 3 T (open symbol) for Pr_xFe_1-xSe_0.5Te_0.5 bulks prepared by high pressure growth method with respect to the nominal contents (x) of Pr substitutions or Gd- additions.

In the second research paper, Dr. Singh’s research group has concluded their findings on the effects of As-substitution at Se sites in the FeSe system. The observed superconducting transition temperature is approximately 12 K, which is higher than that of the parent compound FeSe_1-x. This paper is published by: Priya Singh, Manasa Manasa, Mohammad Azam, Tatiana Zajarniuk, Konrad Kwatek, Tomasz Cetner, Andrzej Morawski, Jan Mizeracki and Shiv J. Singh entitled “Synthesis and characterizations of arsenic doped FeSe bulks” Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 38, 109 (2025) https://doi.org/10.1007/s10948-025-06952-5

Gratulujemy dr inż. Aleksandrowi Szpakiewicz-Szatanowi uzyskania tytułu naukowego, który 21 marca 2025 obronił na Wydziale Fizyki Politechniki Warszawskiej (PW) rozprawę doktorską pt. "Nanokompozyty z formowanych pod ciśnieniem szkieł sodowo-fosforanowych i bizmutowych do zastosowań w urządzeniach magazynujących i przetwarzających energię". Streszczenie pracy pod linkiem. Więcej informacji w BIP.

Promotorzy pracy: prof. dr hab. Jerzy Garbarczyk (Wydział Fizyki, Politechnika Warszawska) oraz prof. dr hab. Sylwester Rzoska (Instytut Wysokich Ciśnień PAN).

Nadanie stopnia doktora inżyniera zostało zatwierdzone dzisiaj (24.04.2025) przez Radę Dyscypliny Naukowej Wydziału Fizyki PW.

Praca powstała w ramach trwającej obecnie współpracy pomiędzy Laboratorium NL-10 (X-Press Matter) IWC PAN oraz Zakładem Joniki Ciała Stałego Wydziału Fizyki PW. Współpraca ta będzie dalej kontynuowana w ramach wspólnego grantu.