

- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Wydarzenia
IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors![]() Dear Ladies and Gentlemen, We are pleased to invite you to the IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The presentation will be held in a hybrid mode – at the seminar room in New Technologies building, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ). The next seminar is scheduled on Monday 11.12.2023 at 14:00. Speaker: Prof. Matthew P. Halsall (Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester) Title: Electrical and Optical Spectroscopies applied to point and extended defects in Wurtzite and Cubic Nitride semiconductors. Abstract: Link Sincerely, Tadeusz Suski Dwoje LIDERów w Unipressie! Gratulujemy!![]() Miło nam poinformować, że dr inż. Tomasz Sochacki i dr inż. Marta Sawicka zostali laureatami programu LIDER XIV edycja Narodowego Centrum Badań i Rozwoju (NCBiR).
Gratulujemy! Lista projektów zakwalifkowanych do finansowania znajduje się na stronie NCBiR. Dwukierunkowa dioda elektroluminescencyjna przeznaczona do zasilania prądem przemiennym![]() Diody elektroluminescencyjne oparte na azotku galu są najbardziej energooszczędnymi źródłami światła. Pomimo ich niewątpliwych zalet do efektywnego działania wymają zasilania prądem stałym, natomiast sieć energetyczna jest zbudowana w oparciu o prąd przemienny. Interesującą propozycję nowej klasy urządzeń optoelektronicznych dedykowanej do bezpośredniej pracy z prądem przemiennym zaproponował Mikołaj Żak wraz ze współpracownikami z laboratorium epitaksji z wiązek molekularnych (NL-14) oraz innych grup badawczych IWC PAN. W artykule opublikowanym na łamach Nature Communications (Impact Factor 16.6) prezentują dwukierunkową diodę elektroluminescencyjną (BD LED), która emituje światło w obu kierunkach przepływu prądu przez urządzenie, a nie tylko wtedy, gdy jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia, jak w konwencjonalnych diodach LED. Jest to możliwe dzięki specjalnej strukturze epitaksjalnej BD LED, w której obszar aktywny jest otoczony z obu stron przez złącza tunelowe od strony domieszkowanej na typ p. To sprawia, że elektrony i dziury są skutecznie wstrzykiwane do tej samej studni kwantowej powyżej napięcia otwarcia zarówno dla napięć ujemnych, jak i dodatnich. Publikacja „Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current” (M. Żak, et al. Nat Commun 14, 7562 (2023)) stanowi ważną część przygotowywanej rozprawy doktorskiej mgr inż. Mikołaja Żaka i jest owocem wieloletnich badań nad złączami tunelowymi w GaN prowadzonych w grupie NL-14 IWC PAN. Oferta pracy na stanowisku Asystent/-ka Dyrektora![]() Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk poszukuje kandydatów na stanowisko: Asystent/-ka Dyrektora. |
DLTS studies of AlGaN![]() Nitride based materials still suffer from the lack of the understanding of the mechanisms of defects formation and their impact on the material properties. Dr Piotr Kruszewski with his collaborators from NL12 laboratory recently used deep-level transient spectroscopy (DLTS) to study AlxGa1-xN (x<0.05) grown by MOVPE. It was shown that the electron emission signal related to the FeGa (0/-) acceptor level splits into individual components due to aluminum fluctuations in the second-nearest neighbor (2NN) shell around the FeGa impurity atoms. The calculations of the probability of finding a given number of aluminum atoms in the 2NN shell of the FeGa defect agreed well with the experimental concentrations determined from Laplace DLTS peak intensities. This finding shows that in dilute AlxGa1-xN layers grown by MOVPE, aluminum and iron atoms are randomly distributed in the material. Finally, it was demonstrated that the energy level of the FeGa acceptor with no Al atoms in the 2NN shell in the AlxGa1-xN samples shifts linearly with the aluminum content. The publication "Alloy splitting of the FeGa acceptor level in dilute AlxGa1−xN" (P. Kruszewski et al., Appl. Phys. Lett. 123, 222105 (2023)) is the result of the collaboration with colleagues from the Photon Science Institute and Department of Electrical and Electronic Engineering, the University of Manchester cooperating in NCN-OPUS project lead by Dr. Piotr Kruszewski. Fig.1. Three-dimensional diagram of the AlxGa1-xN alloy showing two shells of atoms surrounding the FeGa impurity (top image) and Laplace DLTS spectra for the FeGa acceptor state in AlxGa1-xN (x ≤ 0.05) samples with energy-level-difference values at X axis (bottom image). OPUS 25 i PRELUDIUM 22![]() Narodowe Centrum Nauki (NCN) opublikowało wczoraj listy rankingowe projektów zakwalifikowanych do finansowania w konkursach OPUS 25 i PRELUDIUM 22. Są tam dwa projekty z naszego Instytutu:
Gratulujemy! Warto zauważyć, że w tym roku rekordowo mało projektów mogło uzyskać dofinansowanie. Wskaźniki sukcesu wynosiły zaledwie 8% i 10.7% dla OPUS i PRELUDIUM, więc były dwa razy niższe niż przed dwoma laty. Prof. Krzysztof Jóźwiak, Dyrektor NCN, podkreśla, że absolutnie konieczne jest zwiększenie budżetu NCN na finansowanie badań podstawowych w kolejnych latach.
Silna reprezentacja Polski na ICNS-14 w Japonii![]() W tym roku największa konferencja poświęcona półprzewodnikom azotkowym – ICNS-14 (14th International Conference on Nitride Semiconductors) odbyła się w Japonii, w Fukuoce w dniach 12-17 listopada 2023. W konferencji wzięło udział 53 uczestników z Polski (51 prezentacji), w tym ponad 25 osób z Unipressu (Instytutu Wysokich Ciśnień PAN), którzy zaprezentowali 35 prac omawiających badania naukowe prowadzone w naszym Instytucie. Ponad połowa polskich prezentacji na ICNS-14 pochodziła z naszego Instytutu. Jesteśmy dumni, że możemy zaprezentować polską wiedzę specjalistyczną w zakresie półprzewodników azotkowych! Nasza młodzież wypadła genialnie. Trzej nasi doktoranci zostali wyróżnieni za najlepsze prezentacje: Muhammed Aktas, Piotr Jaroszyński i Kacper Sierakowski otrzymali nagrody dla najlepszego studenta za swoje wystąpienia ustne. Statystyki prezentacji na ICNS-14 (źródło: ICNS-14 program) SPIE Photonics West 2024![]() SPIE Photonics West is world’s largest photonics technologies event. Scientists from our Institute will contribute to the SPIE Photonics West 2024, Gallium Nitride Materials and Devices XIX conference that will take place from 29 January to 1 February 2024 in San Fransisco (USA). The Program can be browsed here. Note that Unipress has 3 invited papers (all by female researchers) and 5 oral presentations. |
Adresy |