Instytut Wysokich Ciśnień

Dobre zrozumienie i powtarzalność procesu trawienia elektrochemicznego (ECE) GaN typu n sprawiły, że technika ta stała się interesującą metodą kontroli współczynnika załamania światła warstw GaN poprzez zmianę ich porowatości. Jednak w przypadku GaN typu p, wydaje się, że brak modelu i zrozumienia procesu stanowiły istotną przeszkodę w demonstracji trawienia ECE GaN p-typu w kontrolowany sposób. W pracy N. Fiuczek et al. „Electrochemical etching of p-type GaN using a tunnel junction for efficient hole injection”, opublikowanej ostatnio w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia autorzy tłumaczą mechanizm trawienia p-typu oraz pokazują, że zastosowanie złącza tunelowego pozwala na bardzo efektywne wstrzykiwanie nośników potrzebnych do trawienia.

W listopadzie 2021 dowiedzieliśmy się, że Prof. Wojtek Knap, szef Międzynarodowej Agendy Badawczej CENTERA działającej w IWC PAN otrzymał z Europejskiej Rady ds. Badań Naukowych (ERC), bardzo pozytywne recenzje swojego projektu Towards On-Chip Plasmonic Amplifiers Of THz Radiation o akronimie TERAPLASM, w konkursie Advanced Grants. Został zaproszony do II etapu konkursu, w ramach którego zaprezentował swój projekt przed Komisja Ekspertów panelu PE3.

Znając naukową wartość projektu oraz talent Wojtka w przekonującym przekazywaniu ważnych, naukowych treści, szacowaliśmy wtedy, że prawdopodobieństwo sukcesu jest BARDZO WYSOKIE !

Mieliśmy rację! W dniu 26 kwietnia Europejska Rada ds. Badań Naukowych (ERC) ogłosiła wyniki najbardziej prestiżowego konkursu grantowego w Europie, ERC Advanced. Profesor Wojtek Knap znalazł się wśród Laureatów.

Jesteśmy dumni z naszego Kolegi i serdecznie Mu gratulujemy!

Trzeba brać z Niego przykład! Zwłaszcza, że Grant Wojtka jest jedynym projektem z Polski na Liście Laureatów tego prestiżowego konkursu.

Więcej informacji:
ERC - Centera

Z satysfakcją zawiadamiamy, że w dniu 25 marca 2022, Rada Naukowa Dyscypliny Inżynieria Materiałowa Politechniki Warszawskiej nadała dr. inż. Mariuszowi Kulczykowi, Kierownikowi Laboratorium Plastyczności pod Wysokim Ciśnieniem IWC PAN stopień doktora habilitowanego.

Podstawą do ubiegania się o stopień naukowy doktora habilitowanego był cykl publikacji, w oparciu o który przedstawiony został autoreferat:

„Wpływ parametrów technologii przeróbki plastycznej metodą wyciskania hydrostatycznego na właściwości metali i stopów metali do zastosowań przemysłowych”