Wydarzenia
OPUS +LAP dla Unipressu Środa, 20 Listopad 2024 14:10 |
Narodowe Centrum Nauki (NCN) ogłosiło wyniki konkursu OPUS 26+LAP/Weave na projekty realizowane we współpracy polsko-niemieckiej. Dr inż. Grzegorza Muzioł z Laboratorium MBE naszego Instytutu otrzymał finansowanie na projekt „Wielozłączowe diody laserowe z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym - synergia wysokiej mocy optycznej i jednomodowego trybu pracy”.
Celem projektu będzie opracowanie zupełnie nowego urządzenia optoelektronicznego – wielozłączowej diody laserowej DFB, którą schematycznie ilustruje Rysunek 1. Urządzenie to zawiera kilka złączy pn połączonych złączami tunelowymi (TJ). Zaletą tego schematu jest to, że dla tego samego przepływu prądu emisja światła zachodzi w każdej ze studni kwantowych (QW). Można oczekiwać N-krotnego wzrostu mocy wyjściowej wielozłączowego lasera z N sekcjami. Skutkuje to sprawnością różnicową (fotony na wstrzyknięte elektrony) wyższą niż 100%, za cenę dodatkowego napięcia wymaganego dla każdej sekcji. Siatka DFB umieszczona na powierzchni urządzenia, jak pokazano na Rysunku 1, zapewni silne sprzężenie z modem optycznym i laserowanie tylko na jednej długości fali - tej, która pasuje do siatki. Demonstracja widzialnych wielozłączowych DFB LD otworzy nową dziedzinę urządzeń opartych na GaN i pobudzi nowe kierunki badań. Popularnonaukowe streszczenie projektu dostępne jest pod linkiem. Projekt będzie realizowany we współpracy Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN), CEZAMAT Politechniki Warszawskiej oraz grupy prof. Ulricha Theodora Schwarza z Technische Universität Chemnitz.
Rysunek 1. (a) Schemat przedstawiający koncepcję wielozłączowej diody laserowej z rozproszonym sprzężeniem zwrotnym, składającej się z trzech sekcji połączonych złączami tunelowymi (TJ). Mod optyczny trzeciego rzędu jest narysowany z maksimami w trzech regionach studni kwantowej (QW). Światło rozchodzące się w urządzeniu sprzęga się z siatką DFB, która jest umieszczona na powierzchni, co zapewnia laserowanie w niezwykle wąskim spektrum. (b) Schemat struktury pasmowej podwójnej diody laserowej (kliknij w rysunek, aby powiększyć). Konkurs na stanowisko PostDocPoniedziałek, 18 Listopad 2024 18:31 |
Instytut Wysokich Ciśnień PAN ogłasza konkurs na stanowisko PostDoc w laboratorium NL10 (‘X-PressMatter) w ramach Projektu NCN: Materiały ze szkła formowanego ciśnieniem dla innowacyjnego magazynowania i konwersji energii, ref. NCN: 2022/45/B/ST5/0400, którego kierownikiem jest Prof. dr hab. Sylwester J. Rzoska. Szczegółowe warunki konkursu podane są w załączonym ogłoszeniu. Termin składania aplikacji upływa w dniu 15 grudnia 2024 r. o godzinie 16:00. PostDoc będzie pracował/a nad innowacyjnymi materiałami dla nowej generacji baterii, zarówno dla elektrod jak i ‘stałych’ elektrolitów. Szczególnym wyróżnikiem prac jest formowanie materiałów za pomocą wysokich ciśnień i wykorzystane zaawansowanych implementacji dla badań wykorzystujących szerokopasmową impedancję elektryczną. Dodatkowe informacje można uzyskać drogą mejlową: e-mail: sylwester.rzoska@gmail.com Dr. Shiv Singh contribution to IBS2app2025Wtorek, 05 Listopad 2024 12:07 |
Dr. Shiv Singh from our Institute, Laboratory of Superconductors, serves as a program committee member for the 2nd international workshop dedicated on iron-based superconductors “Iron-based Superconductors: Advances towards applications 2025 (IBS2app 2025)”. IBS2app 2025 will be held in Miyazaki, Japan from 13th to 15th February 2025. The IBS2app 2025 offers researchers a platform for scientific discussion and information exchange on iron-based superconductors. Dr. Singh will also deliver an invited talk titled "Review on high pressure growth effect on iron-based superconductors” at this workshop. Dr. Singh's research team has demonstrated that high-pressure growth techniques can effectively improve the superconducting properties and sample quality of high Tc superconductors. This talk will provide a comprehensive overview of the properties of iron-based superconductors by considering different kinds of samples under ambient and high-pressure effects. More details can be found here: https://smartconf.jp/content/ibs2app/speakers
Prof. Piotr Perlin wybrany na Członka Zarządu PPTFPiątek, 25 Październik 2024 10:51 |
PPTF - Polska Platforma Technologiczna Fotoniki wybrała nowe władze na kolejne dwa lata. W Zarządzie PPTF przez najbliższe 2 lata pracować będą:
Życzymy owocnej współpracy na rzecz polskiej fotoniki!
(Photo courtesy of Agni Maria Sodul & Maciej J. Nowakowski) |
Unipress Thursday SeminarŚroda, 20 Listopad 2024 11:40 |
Material doping without impurity atoms is possible in nitrides due to the presence of polarization gradient in the crystal. The emergence of polarization charges in concentration-graded AlGaN and InGaN materials will be discussed during the next Unipress Thursday Seminar by dr Konrad Sakowski from Laboratory of Nitride Semiconductor Physics, Institute of High Pressure Physics in the talk „Polarization doping in AlGaN and InGaN — numerical simulations”. Additionally, the issue of mobile charges in polarization doped alloys and the potential application of polarization doping for UV heterostructures will be discussed. Join us online via Zoom platform on Thursday, November 28, 2024 at 3:00 pm. To get the link to Zoom meeting, please contact us at dyrekcja@unipress.waw.pl Abstract of the talk is here.
IHPP PAS Seminar on Nitride SemiconductorsWtorek, 12 Listopad 2024 23:49 |
Dear Ladies and Gentlemen, We are pleased to invite you to the IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The presentation will be held in a hybrid mode – at the seminar room in New Technologies building, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ). The next seminar is unusually scheduled on Tuesday 19.11.2024 at 14:00. Speaker: Prof. Henryk Turski (Institute of High Pressure Physics PAS, Warsaw, Poland) Title: Epitaxy of III-Nitride Devices on Opposite Facets of the Same Polar Crystal Abstract: Link Sincerely, Tadeusz Suski
Światowe święto półprzewodników azotkowych – IWN2024Wtorek, 29 Październik 2024 10:28 |
W najbliższą niedzielę 3 listopada 2024 rozpocznie się największa konferencja dotycząca półprzewodników azotkowych, 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024). Konferencja składa się z pięciu sympozjów tematycznych: Growth, Characterization/Physics, Optical and Optoelectronics, Electronic Devices, Nanoscale. Osobami prowadzącymi sympozjum Growth są prof. Izabella Grzegory i prof. Michał Boćkowski z naszego Instytutu. Wykład plenarny pt. „Tunnel Junctions for Novel Nitride Optoelectronic Devices” wygłosi prof. Czesław Skierbiszewski, kierownik Laboratorium Epitaksji MBE IWC PAN. Dwóch pracowników Instytutu zostało poproszonych o wygłoszenie referatów zaproszonych: prof. Henryk Turski będzie mówił o „Epitaxy of III-Nitride Devices on Opposite Facets of the Same Polar Crystal: New Perspectives in Materials Engineering”, a dr inż.Tomasz Sochacki opowie o „Morphological Evolution During Bulk GaN Growth”. Na konferencji wystąpi też wielu innych pracowników IWC PAN prezentując wyniki swoich prac nad półprzewodnikami azotkowymi. Prof. M. Boćkowski wystapi również jako panelista na Rump Session pt. „Future of III-Nitride Power Electronics”.
Podsumowanie 10th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor LasersŚroda, 23 Październik 2024 18:04 |
Tegoroczna konferencja 10th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers odbywała się w dniach 13-18 października 2024 r. w Sopocie i została zorganizowana przez nasz Instytut pod przewodnictwem prof. Piotra Perlina. Było to bardzo udane spotkanie, w którym wzięło udział prawie siedemdziesięciu uczestników. Wygłoszone zostały 62 prezentacje, w tym 14 wykładów zaproszonych , 29 prezentacji ustnych i 19 plakatów naukowych. Dziękujemy wszystkim za owocne dyskusje! Następna konferencja 11th Workshop on Physics and Technology of Semiconductor Lasers zostanie zorganizowana w 2026 r. przez Politechnikę Łódzką pod przewodnictwem prof. Tomasza Czyszanowskiego. Czekamy z niecierpliwością!
|
Adresy |
