Kierownik zespołu
Tematyka badawcza
Laboratorium Epitaksji MBE w Instytut Wysokich Ciśnień PAN specjalizuje się w wytwarzaniu zaawansowanych struktur azotkowych z wykorzystaniem technologii epitaksji z wiązek molekularnych wspomaganej plazmą azotową (PAMBE – ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy).
Nasze badania koncentrują się na rozwoju emiterów światła, takich jak diody elektroluminescencyjne (LED) oraz diody laserowe (LD), pracujące w szerokim zakresie widma – od ultrafioletu, przez światło niebieskie, zielone aż po żółte. Prace obejmują zarówno poprawę parametrów materiałowych wpływających na wydajność emisji i ograniczenie strat optycznych, jak i projektowanie innowacyjnych architektur przyrządów takich jak na przykład pionowo zintegrowane diody laserowe, diody LED z wnęką rezonansową do pompowania adresowalne matryce diod mikro LED, czy.
Szczególną specjalizacją laboratorium są struktury ze złączem tunelowym oraz warstwy silnie domieszkowane germanem i krzemem. Prowadzimy również teoretyczne modelowanie struktur kwantowych oraz optymalizację parametrów optycznych i elektrycznych przyrządów wytwarzanych na podłożach z azotku galu (GaN).
W celu modyfikacji właściwości struktur azotkowych stosujemy technikę trawienia elektrochemicznego (ECE), która umożliwia selektywne wprowadzanie porowatości do wybranych warstw. Metoda ta wspiera także badania nad mechanizmami wbudowywania domieszek w nanoskali.
Ponadto realizujemy prace nad monolityczną integracją nadprzewodników NbN z półprzewodnikową platformą GaN.
Kierownik zespołu
Członkowie zespołu
Asystent
Technolog
Technolog
Asystent
Doktorant
Profesor instytutu
Doktorant
Doktorant
mgr inż. Karolina Peret-Malessa
Doktorantka
Adiunkt
Adiunkt
Technolog
Technolog
Asystent
Projekty
Grzegorz Muzioł
Fundacja na rzecz Nauki Polskiej-
Sierpień 2024
Lipiec 2028
- Czesław Skierbiszewski
- Fundacja na rzecz Nauki Polskiej
-
Kwiecień 2025
Marzec 2028
- Czesław Skierbiszewski
- Komisja Europejska
-
Luty 2024
Styczeń 2028
- Grzegorz Muzioł
- Narodowe Centrum Nauki
-
Grudzień 2024
Grudzień 2027
Nanoporowaty GaN i kontrolowana relaksacja pseudopodłoży InGaN jako droga do żółtych diod laserowych
- Marta Sawicka
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Czerwiec 2024
Czerwiec 2027
- Mikołaj Żak
- Narodowe Centrum Nauki
-
Styczeń 2024
Styczeń 2027
- Czesław Skierbiszewski
- Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
-
Październik 2023
Wrzesień 2026
Aparatura
Charakteryzacja materiałów i przyrządów
Wytwarzanie materiałów i struktur
Wytwarzanie materiałów i struktur
Reaktor do epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową VG90
Wytwarzanie materiałów i struktur
Dwukomorowy reaktor do epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową Veeco Gen20a