Instytut Wysokich Ciśnień PAN (UNIPRESS) oferuje podłoża azotku galu (GaN) wytwarzane metodą amonotermalną w ramach linii pilotażowej. Podłoża charakteryzują się gęstością dyslokacji od 103 cm−2 do 105 cm−2. Podłoża dostarczamy z powierzchnią w wykończeniu epi-ready, gotową do bezpośredniego wzrostu epitaksjalnego. Oferta obejmuje podłoża o zróżnicowanych właściwościach elektrycznych i średnicach 1 cala oraz 2 cali.
8 stycznia 2019 r. Instytut przejął spółkę Ammono S.A.; działalność komercyjna jest kontynuowana jako linia pilotażowa IWC PAN, a podłoża dostarczamy na zamówienie.
Dostępne typy
- High n-type – n-typ o wysokiej koncentracji elektronów
- Low n-type – n-typ o niskiej koncentracji elektronów (wysoka przezroczystość)
- Semi-insulating (SI) – półizolujące
Zdjęcia przykładowych podłoży
Ceny i zamówienia
Cena podłoża zależy od jego średnicy i właściwości, takich jak orientacja, wybrany kąt dezorientacji oraz parametry elektryczne. Ofertę można uzyskać, kontaktując się z działem sprzedaży: sales@unipress.waw.pl.
Aby ustalić możliwość zamówienia podłoża o niestandardowej specyfikacji – np. innej orientacji krystalograficznej, innym wykończeniu powierzchni lub grubości – prosimy o bezpośredni kontakt.
High n-type – n-typ o wysokiej koncentracji elektronów, domieszkowany tlenem
- Średnice: 1 inch, 2 inch
- Orientacja: (0001) C plane
- Powierzchnia: epi-ready (RMS < 0,5 nm)
- Kody produktu: Cn0025-351-012-5-2-n100, Cn0050-351-082-5-2-n100
| Parametr | Jednostka | 1 inch | 2 inch |
|---|---|---|---|
| Specyfikacja ogólna | |||
| Orientacja | (0001) C plane | (0001) C plane | |
| Grubość | µm | 350 (±50) | 430 (±50) |
| Wymiary | mm | Ø25.4 (±0.5) | Ø50.4 (±0.5) |
| Primary Flat (PF) | mm | 12 (±1) | 16 (±1) |
| Secondary Flat (SF) | mm | 8 (±1) | 8 (±1) |
| Bow | µm | 0 (±10) | 0 (±20) |
| Total Thickness Variation (TTV) | µm | ≤ 40 | ≤ 60 |
| Specyfikacja strukturalna | |||
| Etch Pit Density (EPD) | cm⁻² | < 5 × 10⁴ | < 5 × 10⁴ |
| FWHM (0002) krzywej odbić XRD, pow. epi-ready, szczelina 100 × 100 µm | arcsec | ~ 20 | ~ 20 |
| Makrodefekty | brak | brak | |
| Specyfikacja elektryczna | |||
| Typ przewodnictwa | n | n | |
| Koncentracja nośników | cm⁻³ | ~ 10¹⁹ | ~ 10¹⁹ |
| Rezystywność | Ω·cm | ~ 10⁻³ | ~ 10⁻³ |
| Ruchliwość nośników | cm²/V·s | ~ 150 | ~ 150 |
| Dezorientacja (mierzona w środku podłoża) | |||
| Odchylenie od płaszczyzny M | deg | 0 (±0.25) | |
| Płaszczyzna C – kąt δ1 | deg | 0 (±0.20) | |
| Płaszczyzna C – kąt δ2 | deg | ±0.5 (±0.20) | |
| Przygotowanie powierzchni | |||
| Strona przednia | epi-ready, polerowana (RMS < 0,5 nm) | ||
| Strona tylna | szlifowana | ||
Low n-type – n-typ o niskiej koncentracji elektronów (wysoka przezroczystość), domieszkowany tlenem
- Średnice: 1 inch, 2 inch
- Orientacja: (0001) C plane
- Powierzchnia: epi-ready (RMS < 0,5 nm)
- Kody produktu: Cn0025-351-012-5-2-a100, Cn0050-351-082-5-2-a100
| Parametr | Jednostka | 1 inch | 2 inch |
|---|---|---|---|
| Specyfikacja ogólna | |||
| Orientacja | (0001) C plane | (0001) C plane | |
| Grubość | µm | 350 (±50) | 430 (±50) |
| Wymiary | mm | Ø25.4 (±0.5) | Ø50.4 (±0.5) |
| Primary Flat (PF) | mm | 12 (±1) | 16 (±1) |
| Secondary Flat (SF) | mm | 8 (±1) | 8 (±1) |
| Bow | µm | 0 (±10) | 0 (±20) |
| Total Thickness Variation (TTV) | µm | ≤ 40 | ≤ 60 |
| Specyfikacja strukturalna | |||
| Etch Pit Density (EPD) | cm⁻² | < 5 × 10⁴ | < 5 × 10⁴ |
| FWHM (0002) krzywej odbić XRD, pow. epi-ready, szczelina 100 × 100 µm | arcsec | ~ 20 | ~ 20 |
| Makrodefekty | brak | brak | |
| Specyfikacja elektryczna | |||
| Typ przewodnictwa | n | n | |
| Koncentracja nośników | cm⁻³ | 2 × 10¹⁷ – 2 × 10¹⁸ | 2 × 10¹⁷ – 2 × 10¹⁸ |
| Rezystywność | Ω·cm | 10⁻² – 10⁻¹ | ~ 10⁻² |
| Ruchliwość nośników | cm²/V·s | ~ 200 – 250 | ~ 250 |
| Dezorientacja (mierzona w środku podłoża) | |||
| Odchylenie od płaszczyzny M | deg | 0 (±0.25) | |
| Płaszczyzna C – kąt δ1 | deg | 0 (±0.20) | |
| Płaszczyzna C – kąt δ2 | deg | ±0.5 (±0.20) | |
| Przygotowanie powierzchni | |||
| Strona przednia | epi-ready, polerowana (RMS < 0,5 nm) | ||
| Strona tylna | szlifowana | ||
Semi-insulating (SI) – półizolujące, domieszkowane manganem
- Średnice: 2 inch
- Orientacja: (0001) C plane
- Powierzchnia: epi-ready (RMS < 0,5 nm)
- Kody produktu: Cs0050-351-082-5-2-k200
| Parametr | Jednostka | 2 inch |
|---|---|---|
| Specyfikacja ogólna | ||
| Orientacja | (0001) C plane | |
| Grubość | µm | 430 (±50) |
| Wymiary | mm | Ø50.4 (±0.5) |
| Primary Flat (PF) | mm | 16 (±1) |
| Secondary Flat (SF) | mm | 8 (±1) |
| Bow | µm | 0 (±20) |
| Total Thickness Variation (TTV) | µm | ≤ 60 |
| Specyfikacja strukturalna | ||
| Etch Pit Density (EPD) | cm⁻² | < 5 × 10⁴ |
| FWHM (0002) krzywej odbić XRD, pow. epi-ready, szczelina 100 × 100 µm | arcsec | ~ 20 |
| Makrodefekty | brak | |
| Specyfikacja elektryczna | ||
| Typ przewodnictwa | SI | |
| Koncentracja nośników | cm⁻³ | — |
| Rezystywność | Ω·cm | ≥ 10⁹ |
| Ruchliwość nośników | cm²/V·s | — |
| Dezorientacja (mierzona w środku podłoża) | ||
| Odchylenie od płaszczyzny M | deg | 0 (±0.25) |
| Płaszczyzna C – kąt δ1 | deg | 0 (±0.20) |
| Płaszczyzna C – kąt δ2 | deg | ±0.5 (±0.20) |
| Przygotowanie powierzchni | ||
| Strona przednia | epi-ready, polerowana (RMS < 0,5 nm) | |
| Strona tylna | szlifowana | |
Porównanie typów
| Parametr | Jednostka | High n-type | Low n-type | Semi-insulating (SI) |
|---|---|---|---|---|
| Grubość | µm | 350 (±50) (1 inch) 430 (±50) (2 inch) | 350 (±50) (1 inch) 430 (±50) (2 inch) | 430 (±50) (2 inch) |
| Total Thickness Variation (TTV) | µm | ≤ 40 (1 inch) ≤ 60 (2 inch) | ≤ 40 (1 inch) ≤ 60 (2 inch) | ≤ 60 (2 inch) |
| Koncentracja nośników | cm⁻³ | ~ 10¹⁹ (1 inch) ~ 10¹⁹ (2 inch) | 2 × 10¹⁷ – 2 × 10¹⁸ (1 inch) 2 × 10¹⁷ – 2 × 10¹⁸ (2 inch) | — (2 inch) |
| Rezystywność | Ω·cm | ~ 10⁻³ (1 inch) ~ 10⁻³ (2 inch) | 10⁻² – 10⁻¹ (1 inch) ~ 10⁻² (2 inch) | ≥ 10⁹ (2 inch) |
| Ruchliwość nośników | cm²/V·s | ~ 150 (1 inch) ~ 150 (2 inch) | ~ 200 – 250 (1 inch) ~ 250 (2 inch) | — (2 inch) |
| Domieszka | tlen | tlen | mangan | |
| Dostępne średnice | 1 inch, 2 inch | 1 inch, 2 inch | 2 inch |
Parametry strukturalne (EPD, FWHM), dezorientacja i przygotowanie powierzchni są wspólne dla wszystkich typów.
Kontakt i zapytania
Cena ustalana jest indywidualnie na zapytanie