Sympozja A, E i J na E-MRS Fall Meeting 2026 - zaproszenie do nadsyłania abstraktów

Tegoroczna konferencja E-MRS Fall Meeting & Exhibit odbędzie się na Politechnice Warszawskiej w dniach 14–17 września 2026 r.

Naukowcy z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN są zaangażowani w organizację trzech sympozjów o szczególnym znaczeniu dla społeczności zajmującej się półprzewodnikami szerokopasmowymi i azotkowymi:

• Symposium A: New frontiers in wide-bandgap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing – III
• Symposium E: Wide and ultra-wide-bandgap semiconductors challenges: from materials to applications
• Symposium J: Emerging nitride materials with novel combinations of functional properties – fundamental properties, crystallization, and prospective applications

Wszystkie te sympozja stworzą prestiżowe forum poświęcone GaN, AlN, AlGaN, BN, SiC, Ga₂O₃, hodowli kryształów objętościowych, epitaksji, defektom, charakterystyce, urządzeniom mocy i RF, optoelektronice, czujnikom oraz nowym materiałom azotkowym. 

Co ważne, sympozjum J jest współorganizowane przez profesora Hiroshi Amano z Uniwersytetu w Nagoi, laureata Nagrody Nobla w dziedzinie fizyki, co dodatkowo podkreśla naukowy prestiż i międzynarodową atrakcyjność tego tematu.

Termin nadsyłania abstraktów: 1 czerwca 2026 r.

Zapraszamy do nadsyłania abstraktów oraz udziału w tym wydarzeniu naukowym!