Owocna współpraca Instytutów Polskiej i Czeskiej Akademii Nauk

W latach 2024-2026 Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) realizuje razem z Instytutem Fizyki Czeskiej Akademii Nauk projekt mobilnościowy PAN pt. „3-dimensional epitaxial structures of AlGaInN for new generations of optoelectronic devices.” 

Koordynatorami Projektu ze strony polskiej jest Prof. Michał Leszczyński, a ze strony czeskiej Dr Alice Hospodkova.

Współpraca z Instytutem Fizyki CAS, a także Uniwersytetem Karola w Pradze jest niezwykle ważna ze względu na możliwości analityczne w Pradze: technikę spektroskopii pozytronowej (Positron Annihilation Spectroscopy) oraz wyrafinowane metody badań rentgenowskich.

W ramach współpracy, w roku 2026 ukazały się dwie publikacje, które angażują zaawansowane badania materiałowe struktur półprzewodnikowych opartych na azotku galu (GaN), a ich wyniki są kluczowe dla nowoczesnej optoelektroniki (np. diod LED i laserów).

1. Publikacja w ACS Applied Optical Materials pokazuje wpływ morfologii powierzchni warstwy buforowej GaN pod strukturą studni kwantowych InGaN/GaN na powstawanie w nich defektów punktowych i na ich luminescencję.
   Self-assembled 3D morphology of buffer layers and influence on luminescence and defect formation in InGaN/GaN quantum wells Alice Hospodková, František Hájek, Tomáš Hubáček, Jakub Čížek, Filip Dominec, Karla Kuldová, Jiří Oswald, Vítězslav Jarý, Mariana Klementová, Lukáš Ondič, Vladimir Babin, Artur Lachowski, Michal Leszczyński, Ewa Grzanka, Maciej Oskar Liedke, Eric Hirschmann, Andreas Wagner, ACS Appl. Opt. Mater. (2026) 4 (3): 730–740. https://doi.org/10.1021/acsaom.5c00545
2. Publikacja w Materials Science in Semiconductor Processing odpowiada na pytanie, czy wakanse mogą dyfundować z podłoża GaN do warstwy epitaksjalnej wyhodowanej na nim metodą MOVPE.
   On the vacancy diffusion from ammonothermally grown GaN to GaN epilayer, F. Hájek, Jakub Čížek, Pavel Eichler, Robert Czernecki, Ewa Grzanka, Mike Leszczynski, Radek Fučík, Jan Kuriplach, T. Hubáček, P. Hubík, Robert Kucharski, Tomasz Sochacki, Roman Hrytsak, Maciej Oskar Liedke, Eric Hirschmann, Andreas Wagner, A. Hospodková Materials Science in Semiconductor Processing 212, 110788 (2026). https://doi.org/https://doi.or....

Obie publikacje dostępne są w formule Open Access.