| Tytuł: | Krystalizacja z fazy gazowej objętościowego azotku galu domieszkowanego germanem |
| Kierownik projektu: | Kacper Paweł Sierakowski |
| Laboratorium: | Laboratorium Krystalizacji (NL-3) |
| Nazwa konkursu, programu: | PRELUDIUM 20 |
| Numer projektu: | 2021/41/N/ST5/04518 |
| Data realizacji: | 20.01.2022 19.01.2026 |
| Podmiot realizujący: | Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk |
| Przyznane środki ogółem: | 191 296 PLN |
| Przyznane środki dla podmiotu: | 191 296 PLN |
| Instytucja finansująca: | Narodowe Centrum Nauki |
Opis projektu
PRELUDIUM 20 jest konkursem na projekty badawcze skierowanym do naukowców nieposiadających stopnia doktora. Maksymalna wysokość środków, o które można ubiegać się w konkursie, wynosi 70 000 zł, 140 000 zł lub 210 000 zł na finansowanie projektów realizowanych odpowiednio przez 12, 24 lub 36 miesięcy. W projekcie PRELUDIUM zespół badawczy może liczyć maksymalnie trzy osoby, wliczając kierownika projektu oraz opiekuna naukowego.
Cel projektu
Głównym celem projektu jest zbadanie procesu krystalizacji samonośnych kryształów GaN otrzymywanych metodą HVPE i domieszkowanych germanem. German stanowi alternatywną domieszkę donorową dla kryształów GaN typu n, umożliwiającą uzyskanie bardzo wysokiego poziomu domieszkowania, a tym samym koncentracji swobodnych elektronów sięgającej 10²⁰ cm⁻³. Ze względu na trudności związane z dużą niezgodnością parametrów sieci krystalicznej pomiędzy GaN:Ge a czystym GaN, wzrost takich kryształów pozostaje wyzwaniem.
Współpraca międzynarodowa
Brak.
Najważniejsze wyniki
Publikacje
Wyniki projektu zostały opublikowane w:
- w przygotowaniu.
Zgłoszenia patentowe
Brak.
Profesor
Brak.
Rozprawy doktorskie
Brak.
Prace magisterskie
Brak.
Wystąpienia konferencyjne
Wyniki projektu zostały zaprezentowane podczas:
- K. Sierakowski, „HVPE GaN:Ge vs Ion-Implanted HVPE GaN: Electrical Properties Investigation”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Fukuoka, Japonia (12–17 listopada) – prezentacja posterowa.