Projekt SPRInG
„Short Period Superlattices for Rational (In Ga)N”
Opis programu
Projekt SPRInG realizowany jest w ramach Programu Horizon2020 AKCJE MARIE SKŁODOWSKA-CURIE Innovative Training Networks – European Industrial Doctorates (ITN-EID) H2020-MSCA-ITN-2014.
Cel projektu
Naukowym celem projektu SPRInG jest opracowanie nowego typu związku (In,Ga)N, który pozwoli na dostrajanie przerwy energetycznej i kontrolę pól piezoelektrycznych w azotkowych strukturach kwantowych urządzeń optoelektronicznych o wysokiej wydajności. Ten nowy "rozumowy" materiał (n InN/m GaN) będzie wytwarzany w oparcu o koncepcję supersieci o małym okresie (SPSL - short period superlattice). Taka supersieć składa się z wielokrotnie powtórzonych monowarstw związków binarnych InN i GaN, tj. jest to heterostruktura zawierająca warstwy InN w osnowie GaN. Uważa się, że rozwój tego typu stopu (InN/GaN) będzie podstawą konstrukcji urządzeń optoelektronicznych o wysokiej wydajności, jak to ma miejsce na przykładzie innych półprzewodnikach z rodziny III-V.
Strona www projektu
Zespół badawczy
Zespół badawczy projektu SPRInG:
- prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski
- dr inż. Marcin Siekacz
- mgr inż. Paweł Wolny
- Torsten Ernst MSc
- dr inż. Marta Sawicka
- dr inż. Julita Smalc-Koziorowska
Publikacje
Projekt realizowany jest w latach 2014-2019
W ramach prac nad Projektem opublikowano nastepujące prace:
Współpraca w Projekcie
Projekt SPRInG realizowany jest przez TopGaN Sp. z o.o. w konsorcjum z Forschungsverbund Berlin e.V. (FvB), w którego skład wchodzą dwa instytuty: Paul-Drude Institut für Festkorperelektronik (PDI) oraz Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ).