Dr inż. Mikołaj Chlipała

Mikołaj Chlipała, PhD, Eng., jest specjalistą w dziedzinie badań i rozwoju półprzewodników azotkowych, z doświadczeniem obejmującym wzrost epitaksjalny, wytwarzanie urządzeń oraz zaawansowaną charakteryzację. Posiada wieloletnie doświadczenie w pracy nad nowoczesnymi urządzeniami optoelektronicznymi i elektronicznymi we współpracy z wiodącymi instytucjami.

W Unipress Mikołaj pracuje nadrozwojem procesów MBE dla półprzewodników azotkoych i azotków metali przejściowych. Jego badania doprowadziły do szeregu przełomowych osiągnięć, w tym optymallizaci diod LED z dolnymi złączami tunelowymi, wykorzystania obu stron podłoża i integracje didy LED i tranzystorach HEMT oraz badania optycznych procesów w nadprzewodnikach dla fotoniki kwantowej. Jest autorem licznych publikacji recenzowanych, zdobywcą konkurencyjnych grantów badawczych oraz laureatem prestiżowego stypendium START Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, przyznawanego najbardziej obiecującym młodym naukowcom w Polsce.

Mikołaj Chlipała uzyskał stopień doktora fizyki w Instytucie Fizyki Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (praca doktorska). Wcześniej ukończył studia magisterskie na kierunku Nanostruktury Fotoniczne na Wydziale Fizyki Stosowanej i Matematyki Politechniki Gdańskiej. Obecnie pracuje jako badacz podoktorski na Chalmers University of Technology w Göteborgu w Szwecji, koncentrując się na rozwoju technologii laserów III-nitrydowych.

ORCID:0000-0001-9922-0174
Scopus Author ID: 57207659697
Google Scholar

Obszary Ekspertyzy

• Wzrost epitaksjalny półprzewodników azotkowych (GaN, AlN, InN, AlScN, NbN) przy użyciu MBE
• Projektowanie, symulacja i wytwarzanie urządzeń optoelektronicznych (LED, złącza tunelowe, tranzystory bipolarne)
• Charakteryzacja urządzeń (elektryczna, optyczna i strukturalna)
• Zastosowania urządzeń w fotonice kriogenicznej i kwantowej
• Optymalizacja procesów i charakteryzacja cienkich warstw (AFM, SEM, SIMS, RHEED, reflektometria)
• Kierowanie projektami i pozyskiwanie grantów w obszarze badań i rozwoju półprzewodników

Projekty

• Preludium 18 - Monolitycznie zintegrowany tranzystor bipolarny z LED w systemie azotków III grupy
• European Network for Innovative and Advanced Epitaxy (OPERA) European Cooperation in Science and Technology (COST) Short-Term Scientific Missions "The influence of metal surfactants on Ge incorporation in AlGaN – the path to UV emitters", Sep. 2023 (1 month) at Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives – Grenoble, France
• 2023 Taiwan Semiconductor Summer Programs, 6 Aug 2023 – 26 Aug 2023 (3 weeks) at National Yang Ming Chiao Tung University and Taiwan Semiconductor Research Institute (TSRI), Hsinchu, Taiwan
• 1-Month Research Visits programme of the NAWA/STER iWARSAW4PhD project Growth of NbN superconducting layers on LED structures, Sep. 2022 (1 month) at Cornell University, Ithaca, NY, United States

Lista publikacji

2025

• Lachowski, A., Wolny, P., Dybko, K., Chlipała, M., Nowakowski-Szkudlarek, K., Hajdel, M., Żak, M., Feduniewicz, A., Sawicka, M., Chromiński, W., Grzanka, E., & Skierbiszewski, C. (2025). NbN-based Josephson junctions grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Communications Materials, 6(1). Springer Nature. https://doi.org/10.1038/s43246-025-00891-3
• Chlipała, M., Akritidis, K., Levchenko, I., Gibasiewicz, K., Brstilo, T., Billet, M., Van Dorpe, P., Fiuczek, N., Sawicka, M., Kuyken, B., & Turski, H. (2025). Electrochemical Etching for Seamless Micro-Transfer Printing of InGaN LEDs. ACS Applied Electronic Materials, 7(11), 4814–4821. American Chemical Society. https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c00259
• Bercha, A., Chlipała, M., Hajdel, M., Muzioł, G., Siekacz, M., Turski, H., & Trzeciakowski, W. (2025). Photoluminescence and Photocurrent from InGaN/GaN Diodes with Quantum Wells of Different Widths and Polarities. Nanomaterials, 15(2), 112. MDPI. https://doi.org/10.3390/nano15020112

2024

• van Deurzen, L., Kim, E., Pieczulewski, N., Zhang, Z., Feduniewicz-Zmuda, A., Chlipała, M., Siekacz, M., Muller, D., Xing, H. G., Jena, D., & Turski, H. (2024). Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices. Nature, 634(8033), 334–340. Springer Nature. https://doi.org/10.1038/s41586-024-07983-z
• Zdanowicz, E., Przypis, Ł., Żuraw, W., Grodzicki, M., Chlipała, M., Skierbiszewski, C., Herman, A. P., & Kudrawiec, R. (2024). Revealing the TMA₂SnI₄/GaN band alignment and carrier transfer across the interface. Journal of Materials Chemistry C, 12(45), 18356–18362. RSC. https://doi.org/10.1039/d4tc03203a
• Chlipała, M., & Turski, H. (2024). Harnessing III-Nitride Built-In Field in Multi-Quantum Well LEDs. ACS Applied Materials & Interfaces. American Chemical Society. https://doi.org/10.1021/acsami.4c02084

2023

• Turski, H., Chlipała, M., Zdanowicz, E., Rogowicz, E., Muziol, G., Moneta, J., Grzanka, S., Kryśko, M., Syperek, M., Kudrawiec, R., & Skierbiszewski, C. (2023). Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures. Journal of Applied Physics, 134(24). AIP Publishing. https://doi.org/10.1063/5.0177614
• Żak, M., Muziol, G., Siekacz, M., Bercha, A., Hajdel, M., Nowakowski-Szkudlarek, K., Lachowski, A., Chlipała, M., Wolny, P., Turski, H., & Skierbiszewski, C. (2023). Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current. Nature Communications, 14(1). Springer Nature. https://doi.org/10.1038/s41467-023-43335-7
• Bercha, A., Muziol, G., Chlipała, M., & Trzeciakowski, W. (2023). Long-Lived Excitations in Wide (In,Ga)N/GaN Quantum Wells. Physical Review Applied, 20(3). APS. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.20.034040

2022

• Turski, H., Wolny, P., Chlipała, M., Sawicka, M., Reszka, A., Kempisty, P., Konczewicz, L., Muziol, G., Siekacz, M., & Skierbiszewski, C. (2022). Role of Metallic Adlayer in Limiting Ge Incorporation into GaN. Materials, 15(17), 5929. MDPI. https://doi.org/10.3390/ma15175929
• Konczewicz, L., Litwin-Staszewska, E., Zajac, M., Turski, H., Bockowski, M., Schiavon, D., Chlipała, M., Iwinska, M., Nita, P., Juillaguet, S., & Contreras, S. (2022). Electrical transport properties of highly doped N-type GaN materials. Semiconductor Science and Technology, 37(5), 055012. IOP Publishing. https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac5e01
• Chlipała, M., Turski, H., Żak, M., Muziol, G., Siekacz, M., Nowakowski-Szkudlarek, K., Fiuczek, N., Feduniewicz-Żmuda, A., Smalc-Koziorowska, J., & Skierbiszewski, C. (2022). Bottom tunnel junction-based blue LED with a thin Ge-doped current spreading layer. Applied Physics Letters, 120(17), 171104. AIP Publishing. https://doi.org/10.1063/5.0082297

2021

• Hajdel, M., Chlipała, M., Siekacz, M., Turski, H., Wolny, P., Nowakowski-Szkudlarek, K., Feduniewicz-Żmuda, A., Skierbiszewski, C., & Muziol, G. (2021). Dependence of InGaN Quantum Well Thickness on the Nature of Optical Transitions in LEDs. Materials, 15(1), 237. MDPI. https://doi.org/10.3390/ma15010237
• Żak, M., Muziol, G., Turski, H., Siekacz, M., Nowakowski-Szkudlarek, K., Feduniewicz-Żmuda, A., Chlipała, M., Lachowski, A., & Skierbiszewski, C. (2021). Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices. Physical Review Applied, 15(2). APS. https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.15.024046
• Schiavon, D., Chlipała, M., & Perlin, P. (2021). Lateral carrier injection for the uniform pumping of several quantum wells in InGaN/GaN LEDs. Optics Express, 29(3), 3001. Optica. https://doi.org/10.1364/OE.411449
• Pieniak, K., Chlipała, M., Turski, H., Trzeciakowski, W., Muziol, G., Staszczak, G., Kafar, A., Makarowa, I., Grzanka, E., Grzanka, S., Skierbiszewski, C., & Suski, T. (2021). Quantum-confined Stark effect and mechanisms of its screening in InGaN/GaN LEDs with a tunnel junction. Optics Express, 29(2), 1824. Optica. https://doi.org/10.1364/OE.415258

2020

• Siekacz, M., Muziol, G., Turski, H., Hajdel, M., Żak, M., Chlipała, M., Sawicka, M., Nowakowski-Szkudlarek, K., Feduniewicz-Żmuda, A., Smalc-Koziorowska, J., Stańczyk, S., & Skierbiszewski, C. (2020). Vertical Integration of Nitride Laser Diodes and Light Emitting Diodes by Tunnel Junctions. Electronics, 9(9), 1481. MDPI. https://doi.org/10.3390/electronics9091481
• Hołówko, B., Błaszczak, P., Chlipała, M., Gazda, M., Wang, S.-F., Jasiński, P., & Bochentyn, B. (2020). Structural and catalytic properties of ceria layers doped with transition metals for SOFCs fueled by biogas. International Journal of Hydrogen Energy, 45(23), 12982–12996. Elsevier. https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2020.02.144

2019

• Turski, H., Siekacz, M., Muzioł, G., Hajdel, M., Stańczyk, S., Żak, M., Chlipała, M., Skierbiszewski, C., Bharadwaj, S., Xing, H. G., & Jena, D. (2019). Nitride LEDs and Lasers with Buried Tunnel Junctions. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 9(1), 015018. ECS. https://doi.org/10.1149/2.0412001jss
• Bochentyn, B., Chlipała, M., Gazda, M., Wang, S.-F., & Jasiński, P. (2019). Copper and cobalt co-doped ceria as an anode catalyst for DIR-SOFCs fueled by biogas. Solid State Ionics, 330, 47–53. Elsevier.
• Chlipała, M., Błaszczak, P., Wang, S.-F, Jasiński, P., & Bochentyn, B. (2019). In situ study of a composition of outlet gases from biogas fuelled SOFC performed by FTIR spectroscopy. International Journal of Hydrogen Energy, 44(26), 13864–13874. Elsevier.

Patenty

1. INCREASING DENSITY OF SEMICONDUCTOR DEVICES ON A SUBSTRATE Inventors: Len Van Deurzen, Eungkyun Kim, Zexuan Zhang, Huili Grace Xing, Debdeep Jena, Henryk Turski, Anna Feduniewicz-Zmuda, Mikolaj Chlipala, Marcin Siekacz
Applicants: Cornell University; Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
Publication number: WO2025106550A1 (PDF)
Publication date: 2025-05-22 Earliest priority: 2023-11-14

2. HYBRID LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME Inventors: Czeslaw Skierbiszewski, Julia Slawinska, Mikolaj Chlipala, Marcin Siekacz, Kacper Oreszczuk, Aleksander Rodek, Piotr Kossacki
Applicants: Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences; University of Warsaw
Publication numbers: EP4239694A1 (PDF), EP4239694B1 (PDF), EP4239694C0 (PDF)
Publication date: 2023-09-06 (updated 2024-09-25) Earliest priority: 2022-02-26

3. WAVELENGTH TUNABLE LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF MAKING THE SAME Inventors: Żak. Mikołaj, Henryk Turski, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Grzegorz Muziol, Mateusz Hajdel, Pawel Wolny, Czeslaw Skierbiszewski, Mikolaj Zak, Mikolaj Chlipala
Applicants: Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences
Publication numbers:EP4228012A1 (PDF), EP4228012B1 (PDF), EP4228012C0 (PDF)
Publication date: 2023-08-16 (updated 2024-09-25) Earliest priority: 2022-02-12

Kontakt