Zrealizowane projekty

Completed Projects

  1. Short Period Superlattices for Rational (In Ga)N - SPRInG (2014-2019) H2020-MSCA-ITN-2014 - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  2. Wykonanie podłoży polarnych z azotku galu o azotowej stronie powierzchni czynnej oraz określenie jej przydatności w epitaksji - GaNN (N-side) - (2015-2018, National Centre for Research and Development) PBS3/A3/23/2015) - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  3. Właściwości falowodów InGaN i model wyciekania modów optycznych do podłoża GaN w diodach laserowych (2013-2017, National Science Center grant) - PI Grzegorz Muzioł, PhD
  4. Wpływ anizotropii kryształu GaN na właściwości warstw i struktur kwantowych InGaN i AlGaN o orientacji niepolarnej (10-10) i semipolarnej (20-21) (2012-2016, National Science Center grant) - PI Marta Sawicka, PhD
  5. Mikroskopowy mechanizm wzrostu warstw InGaN i jego wpływ na fluktuacje składu indu (2011-2014, National Science Center grant) - PI Henryk Turski, PhD
  6. „Green and blue laser nanostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on bulk gallium nitride substrates” (2012-2015, National Centre for Research and Development grant - INNOTECH - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  7. „TERA-MIR Radiation: Materials, Generation, Detection and Applications” (2012-2015, grant EU COST MP1204 ) - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  8. „Surface engineered InGaN heterostructures on N-polar and nonpolar GaN substrates for green light emitters” SINOPLE (2009-2013, grant EU FP7-PEOPLE-IAPP-2008) - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  9. „Fundaments of developments of nitride based emitters for the laser projectors” (2008-2013 , National Centre for Research and Development grant - Inicjatywa Technologiczna I) - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  10. “Visible InGaN Injection Lasers” (VIGIL) (2008-2009, grant US DARPA BAA 07-28) - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  11. "Methods of manufacturing and properties of InGaN layers and InyGa1‑yN/InxGa1‑xN quantum wells with high In composition on bulk GaN substrates. Nitride based emitters of light in the range 420-550 nm” (2006-2008, National Science Center grant) - PI prof. Czesław Skierbiszewski
  12. „Nitride Intersubband Devices at Telecommunication Wavelengths” NITWAVE (2004-2007, EU grant, STREP, FP6) - PI prof. Czesław Skierbiszewski