Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".
Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.
4 stycznia 2024 na żywo w Polskim Radiu Trójka Mikołaj Żak z naszego Instytutu (Laboratorium MBE) przedstawił nowe spojrzenie na diody LED, które mogą wydajnie działać przy zasilaniu prądem przemiennym. Był to komentarz do niedawno opublikowanej pracy w Nature Communications, o której pisze portal naukawpolsce.pl. Zapraszamy do zajrzenia na stronę portalu.
Rys. Wizualizacja działania dwukierunkowej diody. Autor: Mateusz Hajdel (IWC PAN) współautor artykułu.
O dwukierunkowych diodach opracowanych przez Mikołaja Żaka pisze także pismo Focus.pl
Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:
„Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”
"Neuromorphic Polariton Accelerator”
"Circumvention of piezoelectric fields in III-nitride heterostructures – a way towards solving the green gap problem"
"Nanoporous GaN – a new platform for realization of quantum structures"
"Wpływ wbudowanych pól piezoelektrycznych na sprawność azotkowych diod laserowych"
"Monolitycznie zintegrowany tranzystor bipolarny z LED w systemie azotków III grupy"
"'Periodyczne siatki NANO-kanałów umieszczone wewnątrz struktur laserowych o jednomodowym widmie emisji"
"Pozyskanie przewag azotowej polarności GaN dla emiterów światła opartych na azotkach grupy trzeciej"
"Azotkowe diody elektroluminescencyjne emitujące pojedyncze fotony do zastosowań w technologiach kwantowych"
Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ
Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:
W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).
Siedziba główna::
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa
Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa
komunikacja miejska:
PKP Koło - przystanek tramwajowy
PKP Koło - przystanek autobusowy
+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab
czeslaw@unipress.waw.pl