Instytut Wysokich Ciśnień

Jak zmienia się powierzchnia kryształu GaN w czasie wzrostu metodą MBE i jak wygląda ruch stopni atomowych? Wykorzystując trawienie elektrochemiczne, które jest czułe na poziom domieszkowania, można to prześledzić. Rysunek przedstawia widok z boku warstwy GaN:Si po trawieniu, gdzie na obserwowanym obszarze widoczne są (a) niejednorodnie lub (b) jednorodnie rozmieszczone pory. Związane jest to z rozmieszczeniem atomów krzemu w warstwie. (Czytaj więcej…)

Zachęcamy do zapoznania się z pracą „Revealing inhomogeneous Si incorporation into GaN at the nanometer scale by electrochemical etching” M. Sawicka, N. Fiuczek, H. Turski, G. Muziol, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, P. Wolny, and C. Skierbiszewski, Nanoscale 12, 6137 (2020).  http://dx.doi.org/10.1039/C9NR10968D. Zapraszamy też do bezpośredniego kontaktu z grupą MBE.

W styczniu 2020 r. w czasopiśmie Scientific Reports ukazała się praca dyskutująca mechanizmy rekombinacji w InGaN-owych studniach kwantowych wzrastanych na podłożach GaN o różnej polarności, a co za tym idzie o różnym wbudowanym polu elektrycznym. Naukowcy z grupy NL-15 IWC PAN we współpracy z kolegami z Politechniki Wrocławskiej zbadali wpływ fluktuacji indu oraz wbudowanego pola elektrycznego na własności optyczne studni kwantowych.

Link: https://www.nature.com/articles/s41598-020-58295-x

Rezultatem tej pracy jest stwierdzenie, że fluktuacje w skali nanoskopowej występują zarówno w polarnych jak i półpolarnych strukturach kwantowych InGaN/GaN, natomiast dla obu typów polarności, zdecydowanie różnią się wkłady do rekombinacji promienistej takich mechanizmów jak rekombinacja ekscytonowa  i rekombinacja plazmy elektrono-dziurowej. Ważnym wynikiem jest pokazanie, że rekombinacja niepromienista skaluje się z polem elektrycznym w sposób podobny do rekombinacji promienistej, utrzymując wewnętrzną sprawność kwantową na zbliżonym poziomie.