Wydarzenia
|
|
Zrób doktorat z fizyki!!!
|
|
| Więcej... |
|
IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors Wtorek, 24 Maj 2022 10:05 |
Dear Ladies and Gentlemen, We are pleased to invite you to the IHPP PAS Seminar on Nitride Semiconductors. The next presentation will be held in a hybrid mode – at the New Technologies seminar room, Al. Prymasa Tysiąclecia 98, and through Zoom platform (to get the link, please contact us at nitride_seminar@mail.unipress.waw.pl ). The next seminar is scheduled on Tuesday 31.05.2022 at 14:00. Speaker: Dr inż. Paweł Prystawko (NL-12) Title: Homoepitaxial Growth for Vertical GaN Power Devices Sincerely, Tadeusz Suski Dr hab. inż. Mariusz Kulczyk Gratulacje!Wtorek, 05 Kwiecień 2022 19:39 |
Z satysfakcją zawiadamiamy, że w dniu 25 marca 2022, Rada Naukowa Dyscypliny Inżynieria Materiałowa Politechniki Warszawskiej nadała dr. inż. Mariuszowi Kulczykowi, Kierownikowi Laboratorium Plastyczności pod Wysokim Ciśnieniem IWC PAN stopień doktora habilitowanego. Podstawą do ubiegania się o stopień naukowy doktora habilitowanego był cykl publikacji, w oparciu o który przedstawiony został autoreferat: „Wpływ parametrów technologii przeróbki plastycznej metodą wyciskania hydrostatycznego na właściwości metali i stopów metali do zastosowań przemysłowych”
|
Trawienie elektrochemiczne GaN:Mg opublikowane w Acta Materialia Gratulacje dla Natalii Fiuczek i Zespołu NL 14 !Środa, 18 Maj 2022 19:38 |
Dobre zrozumienie i powtarzalność procesu trawienia elektrochemicznego (ECE) GaN typu n sprawiły, że technika ta stała się interesującą metodą kontroli współczynnika załamania światła warstw GaN poprzez zmianę ich porowatości. Jednak w przypadku GaN typu p, wydaje się, że brak modelu i zrozumienia procesu stanowiły istotną przeszkodę w demonstracji trawienia ECE GaN p-typu w kontrolowany sposób. W pracy N. Fiuczek et al. „Electrochemical etching of p-type GaN using a tunnel junction for efficient hole injection”, opublikowanej ostatnio w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia autorzy tłumaczą mechanizm trawienia p-typu oraz pokazują, że zastosowanie złącza tunelowego pozwala na bardzo efektywne wstrzykiwanie nośników potrzebnych do trawienia.
|
Adresy |
