Układ pomiarowy do detekcji głębokich stanów pułapkowych technikami spektroskopii DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy), L-DLTS (Laplace DLTS), DLOS (Deep Level Optical Spectroscopy) oraz TAS (Thermal Admittance Spectroscopy).

W skład układu pomiarowego wchodzą: a) kriostat azotowy Janis VPF800 (80-500K), b) szybkie mierniki pojemności Boonton (2 x 72B oraz 1 x 7200), c) wzmacniacz fazoczuły z modułem impedancji MFLI (1mHz - 5 MHz), d) kontrolera temperatury Lakeshore 335, pompy turbo HiCube80 (<10-6 mbar) oraz e) monochromatora optycznego M150 sprzęgniętego z wydajną lampą Xenonową (XWS-65) pracującą w zakresie 0.25 μm- 2.5 μm (układ DLOS). Możliwości pomiarowe obejmują: detekcję aktywnych elektrycznie płytkich i głębokich stanów pułapkowych (defektów) w półprzewodnikach, związkach i strukturach półprzewodnikowych a także perowskitach, określenie parametrów pułapek tj. koncentracja, przekrój czynny na wychwyt, stan ładunkowy (DLTS) oraz energię Francka-Condona (dFC) w przypadku silnego oddziaływania defektów z siecią krystaliczną (DLOS), pomiary poziomu domieszkowania (ND) w przewodzących warstwach półprzewodnikowych i kryształach za pomocą nieinwazyjnej techniki Hg probe C-V (295 K)