dr inż. Marcin Siekacz
Marcin Siekacz ukończył Politechnikę Wrocławską na Wydziale Elektroniki. Doktorat obronił w 2012 roku w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN pod kierunkiem prof. Czesława Skierbiszewskiego. Praca doktorska pt “Mechanizmy wzrostu oraz własności struktur GaN/AlGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową” dostępna jest TUTAJ. Marcin Siekacz jest ekspertem w dziedzinie epitaksji z wiązek molekularnych MBE. Wraz z profesorem Skierbiszewskim tworzył laboratorium MBE i wykonywał pierwsze wzrosty. Jest współautorem 78 publikacji naukowych. Po studiach doktoranckich odbył roczny staż w Berlinie w Paul-Drude Institut.
Do najważniejszych osiągnięć Marcina Siekacza należą:
- rekordowe ruchliwości dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG) w strukturach GaN/AlGaN w temperaturze 4.2K (109 000 cm2/Vs) oraz w temperaturze pokojowej (2500 cm2/Vs),
- wytworzenie pierwszej na świecie diody laserowej pracy ciągłej o długości fali 410 nm i mocy optycznej 60mW,
- zielony laser pobudzany optycznie pracujący w długości fali 501 nm.
Zainteresowania badawcze
Marcin Siekacz jest ekspertem w dziedzinie wzrostu epitaksjalnego GaN oraz wytwarzania azotkowych przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych.
Kontakt
tel. +48 22 876 0444
lab. +48 22 876 0324
email: msiekacz@unipress.waw.pl
ORCID: 0000-0002-2359-8813