Laboratorium MBE

Instytut Wysokich Ciśnień PAN


O nas

Laboratorium Epitaksji MBE (NL-14) jest częścią Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN) "Unipress".

Naszym celem jest rozwój niebieskich diod luminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) wytwarzanych technologią epitaksji z wiązek molekularnych z użyciem plazmy azotowej (PAMBE - ang. Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy). Pracujemy nad wytwarzaniem długofalowych emiterów światła: modelujemy teoretycznie struktury kwantowe oraz optymalizujemy parametry optyczne i elektryczne przyrządów, które wytwarzamy na podłożach azotku galu (GaN). Badamy mechanizmy wzrostu kryształów na powierzchniach GaN o różnej polarności i orientacji krystalograficznej. Wytwarzamy i badamy struktury ze złączem tunelowym w azotkowych diodach luminescencyjnych i laserowych. Prowadzimy prace badawcze w obszarze elektroniki badając działanie wertykalnych azotkowych heterozłączowych tranzystorów n-p-n (GaN/InGaN/GaN) wytwarzanych na podłożach GaN metodą MBE.


Aktualności

Politechnika Gdańska partnerem projektu TEAM-TECH

Instytut Wysokich Ciśnień PAN i Politechnika Gdańska, Wydział Fizyki i Matematyki Stosowanej, reprezentowany przez profesora Wojciecha Sadowskiego, rozpoczynają współpracę w ramach projektu TEAM-TECH.

Obrona pracy magisterskiej Mateusza Hajdla

16.07.2018 Gratulujemy obrony z wyróżnieniem mgr inż. Mateuszowi Hajdlowi - stypendyście Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, studentowi w projekcie TEAM-TECH.

Stypendia dla studentów w Laboratorium MBE
Ostatnio opublikowaliśmy:
  1. Hydrogen diffusion in GaN:Mg and GaN:Si By: R. Czernecki, E. Grzanka, R. Jakiela, S. Grzanka, C. Skierbiszewski, H. Turski, P. Perlin, T. Suski, K. Donimirski, M. Leszczyński, Journal of Alloys and Compounds 747, 354-358 Published: MAY 2018
  2. True-blue laser diodes with tunnel junctions grown monolithically by plasma-assisted molecular beam epitaxy By: C. Skierbiszewski, G. Muziol, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Turski, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Zmuda, A. Nowakowska-Szkudlarek, M. Sawicka, and P. Perlin, Applied Physics Express 11, 034103 Published: MAR 2018
    Pełna lista publikacji dostępna TUTAJ
    archiwum aktualności

Nasz zespół

prof dr hab. Czesław
Skierbiszewski

dr inż. Grzegorz
Muzioł
dr Henryk
Turski
dr inż. Marcin
Siekacz
dr inż. Marta
Sawicka
mgr Anna
Feduniewicz-Żmuda
mgr inż. Krzesimir
Nowakowski-Szkudlarek
mgr inż. Paweł
Wolny
mgr inż. Maciej
Mikosza
mgr inż. Mateusz
Hajdel
inż. Mikołaj
Żak


Projekty

Lista obecnie realizowanych przez nas projektów:

1. TeamTech

„Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu”

2. N-side

"Wykonanie podłoży polarnych z azotku galu o azotowej stronie powierzchni czynnej oraz określenie jej przydatności w epitaksji”

3. LIDER

"Inżynieria pól elektrycznych oraz domieszkowania na typ p w heterostrukturach InGaN/InGaN wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową – rozwój zielonych diod azotkowych.”

4. SPRInG

“Short Period Superlattices for Rational (In Ga)N”

5. POWROTY

"Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń."

Lista zrealizowanych projektów dostępna TUTAJ


Galeria

Program “Patent na Patent” zrealizowany w 2014 roku:

W prezentowanym tutaj krótkim filmie Grzegorz Muzioł opowiada o przygotowywanej wówczas pracy doktorskiej (4:10). Tłumaczy dlaczego konstrukcja falowodów InGaN pomaga w eliminacji wyciekania modów optycznych do podłoża GaN (5:08). Prof. Czesław Skierbiszewski opowiada o wyjątkowych właściwościach i zastosowaniach azotku galu (3:25), a Prof. Piotr Perlin (TopGaN CTO) o znaczeniu innowacyjnych badań dla polskiego biznesu hi-tech (8:34).


Kontakt

Adres

Siedziba główna:
Instytut Wysokich Ciśnień
Polskiej Akademii Nauk "UNIPRESS"
Sokołowska 29/37
01-142 Warszawa

Adres Laboratorium MBE:
al. Prymasa Tysiąclecia 98
01-424 Warszawa

komunikacja miejska:
Majakowskiego - przystanek tramwajowy
Obozowa - przystanek autobusowy

Telefon:

+48 22 8760351 - biuro
+48 22 8760324 - lab

E-mail:

czeslaw@unipress.waw.pl