- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Ważne wydarzenia
Śledzimy ewolucję morfologii kryształu GaN podczas wzrostu MBE Nanoscale 12, 6137 (2020)
Jak zmienia się powierzchnia kryształu GaN w czasie wzrostu metodą MBE i jak wygląda ruch stopni atomowych? Wykorzystując trawienie elektrochemiczne, które jest czułe na poziom domieszkowania, można to prześledzić. Rysunek przedstawia widok z boku warstwy GaN:Si po trawieniu, gdzie na obserwowanym obszarze widoczne są (a) niejednorodnie lub (b) jednorodnie rozmieszczone pory. Związane jest to z rozmieszczeniem atomów krzemu w warstwie. Zachęcamy do zapoznania się z pracą „Revealing inhomogeneous Si incorporation into GaN at the nanometer scale by electrochemical etching” M. Sawicka, N. Fiuczek, H. Turski, G. Muziol, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, P. Wolny, and C. Skierbiszewski, Nanoscale 12, 6137 (2020). http://dx.doi.org/10.1039/C9NR10968D. Zapraszamy też do bezpośredniego kontaktu z grupą MBE. |
||||||
|