- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Ważne wydarzenia
Trawienie elektrochemiczne GaN:Mg opublikowane w Acta Materialia Gratulacje dla Natalii Fiuczek i Zespołu NL 14 !
Dobre zrozumienie i powtarzalność procesu trawienia elektrochemicznego (ECE) GaN typu n sprawiły, że technika ta stała się interesującą metodą kontroli współczynnika załamania światła warstw GaN poprzez zmianę ich porowatości. Jednak w przypadku GaN typu p, wydaje się, że brak modelu i zrozumienia procesu stanowiły istotną przeszkodę w demonstracji trawienia ECE GaN p-typu w kontrolowany sposób. W pracy N. Fiuczek et al. „Electrochemical etching of p-type GaN using a tunnel junction for efficient hole injection”, opublikowanej ostatnio w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia autorzy tłumaczą mechanizm trawienia p-typu oraz pokazują, że zastosowanie złącza tunelowego pozwala na bardzo efektywne wstrzykiwanie nośników potrzebnych do trawienia. |
||||||
|