- Warsaw-4-PhD School
- Doctoral studies
UNIPRESS highlights
IWC PAN zakwalifikował się do ostatniej, 3 Fazy programu NCBiR Magazynowanie Wodoru
Realizowany pod kierownictwem dr Andrzeja Morawskiego projekt „Bezpieczny hybrydowy zasobnik wodoru o wysokiej gęstości zmagazynowanej energii z ciągłym monitorowaniem szczelności” jest jednym z dwóch projektów, które zakwalifikowały się do decydującej fazy programu. Projekt o łącznym budżecie ponad 8 mln zł pozwoli w ciągu 3 lat opracować komercyjną technologię wytwarzania wysokociśnieniowych zbiorników na gazowy wodór, przeznaczonych do samochodów osobowych. Konstrukcja zbiornika przewiduje wykonanie uszczelnienia (linera) z tworzywa sztucznego, np. HDPE, i wzmocnienie go kompozytem węglowym w formie tzw rovingu. Dzięki wprowadzeniu nowych rozwiązań konstrukcyjnych, nominalne ciśnienie zbiornika (150 MPa) będzie dwukrotnie wyższe, niż w zbiornikach dostępnych obecnie na rynku. Są to pierwsze komory wysokociśnieniowe wykonywane w Instytucie w tej technologii.
Notatka prasowa: |
|||||||||
Uprzejmie zawiadamiamy, że w dniu 23 lipca 2020 r. (czwartek) o godzinie b w Parku Innowacyjnym Unipress Celestynów odbędzie się seminarium. Dr Marcin Kneć z firmy Lenso w sali seminaryjnej wygłosi prezentację na temat Wykorzystanie systemu ARAMIS do ciągłego odczytu i rejestracji odkształceń komór wysokociśnieniowych oraz analiza tych danychA następnie w budynku C zaprezentuje działanie systemu ARAMIS w praktyce
|
Przybliżenie do wyjaśnienia zagadki roli węgla w GaN
Właśnie ukazała się praca w Applied Physics Letters, w której Dr Ryszard Piotrzkowski wraz ze współpracownikami pokazał możliwe wyjaśnienie amfoterycznego zachowanie węgla w azotku galu krystalizowanym z fazy gazowej (HVPE). Dla niskich koncentracji węgla w GaN, jest on akceptorem wchodzącym w miejsce azotu w sieci krystalicznej i tworzącym poziom domieszkowy 1 eV powyżej wierzchołka pasma walencyjnego. Przy większych koncentracjach węgiel może zajmować miejsca galu w sieci krystalicznej GaN i stawać się donorem tworząc poziom blisko dna pasma przewodnictwa. Tym samym następuje efekt autokompensacji. Analiza pomiarów spektroskopii elektronowego rezonansu paramagnetycznego i spektrometrii mas jonów wtórnych oraz wyniki pomiarów rezystywności i efektu Hall’a pozwoliły określić poziom akceptora węglowego (CN) w GaN oraz zademonstrować jego przesunięcie temperaturowe (0.35 meV / K). Panu Ryszardowi i współpracownikom gratulujemy i życzymy wielu cytowań. a) Oporności właściwe HVPE-GaN:C w funkcji temperatury dla kryształów z różną zawartością węgla; ze zwiększeniem koncentracji węgla w GaN oporności rosły; Publikacja z Laboratorium Deformacji Plastycznej pod Wysokim Ciśnieniem zaakceptowana do BIOACTIVE MATERIALS
Publikacja z Laboratorium Deformacji Plastycznej pod Wysokim Ciśnieniem IWC PAN(a) oraz Instytutu Metalurgii i Inżynierii Materiałowej PAN(b) zaakceptowana do BIOACTIVE MATERIALSW dniu 7 lipca 2020 redakcja BIOACTIVE MATERIALS: zaakceptowała do publikacji artykuł: Strukturalne i mechaniczne aspekty hipoeutektycznych stopów podwójnych Zn-Mg do zastosowań w biodegradowalnych stentach naczyniowychWacek Pachla (a), Sylwia Przybysz (a), Anna Jarzębska (b), Magdalena Bieda-Niemiec (b), Krzysztof Sztwiertnia (b), Mariusz Kulczyk (a), Jacek Skiba (a) GRATULACJE !Link do pełnego tekstu publikacji będzie podany po jego opublikowaniu na stronie IT. |