Instytut Wysokich Ciśnień

Polskiej Akademii Nauk

Ta strona uzywa plikow "cookies". Zablokuj je w przegladarce jesli nie chcesz aby byly zapisywane na twoim komputerze.

English

Menu Główne

BIP

Unipress Equipment

Edukacja

Projekty Europejskie

Usługi lokalne

Start

Apel o utworzenie odrębnych ministerstw Nauki i Szkolnictwa Wyższego oraz Edukacji Narodowej

Sobota, 28 Październik 2023 09:27 |

Dnia 23.10.2023 został podpisany Apel o utworzenie odrębnych ministerstw Nauki i Szkolnictwa Wyższego oraz Edukacji Narodowej.

Instytut Wysokich Ciśnień wyraża poparcie dla tego stanowiska.

Treść apelu:

Z całą mocą apelujemy o utworzenie odrębnych ministerstw Nauki i Szkolnictwa Wyższego oraz Edukacji Narodowej.

Utworzenie w 2021 roku jednego ministerstwa obejmującego naukę, szkolnictwo wyższe i oświatę doprowadziło do spadku znaczenia badań naukowych i obniżenia realnych nakładów przeznaczanych na ten cel. Pokazało również całkowitą odmienność mechanizmów finansowania i zarządzania edukacją szkolną względem edukacji akademickiej i nierozerwalnie z nią związanych badań naukowych.

Połączenie tych jakże ważnych dziedzin rozwoju nowoczesnego społeczeństwa w jednym resorcie nie przyniosło przewidywanych korzyści. Miało natomiast negatywny wpływ na dostosowywanie polskiego systemu szkolnictwa wyższego i nauki do dynamicznie zmieniających się stosunków społecznych w Polsce i w innych krajach europejskich oraz sprostania wyzwaniom, jakie stawia przed nauką współczesny świat.

Nauka i edukacja na poziomie wyższym stanowią fundament pomyślnego rozwoju Polski i powinny być objęte działaniem odrębnego ministerstwa. Deklarujemy jak najdalej idącą współpracę zmierzającą do utworzenia resortu nauki i szkolnictwa wyższego.

Prof. dr hab. Marcin Pałys - Przewodniczący Rady Głównej Nauki i Szkolnictwa Wyższego

Prof. dr hab. Marek Konarzewski - Prezes Polskiej Akademii Nauk

Prof. dr hab. Maciej Żylicz - Prezes Fundacji na rzecz Nauki Polskiej

Elektryczne strojenie faz terahercowych kryształów plazmonicznych

Czwartek, 19 Październik 2023 10:44 |

Wysokiej jakości struktury AlGaN/GaN z bramką w kształcie grzebienia (wytworzone w geometrii tranzystora FET) umożliwiły odkrycie dwóch odrębnych, przestrajalnych elektrycznie faz w kryształach plazmonicznych na bazie półprzewodników azotkowych. Otwiera to nowe możliwości w zakresie oszczędnych, kompaktowych i sterowalnych urządzeń dla optoelektroniki terahercowej (THz).

Nowe wyniki badań azotkowych kryształów plazmonicznych zostały opisane w Physical Review X (2023) - prestiżowym i wpływowym periodyku (IF 14.4). Przyrządy na bazie GaN zostały w pełni wykonane w naszym Instytucie we współpracy z CEZAMAT Politechniki Warszawskiej, gdzie wykonano submikrometrową litografię wiązką elektronów, elektrod siatki-bramki o. dużej powierzchni aktywnej. Część teoretyczną pracy wspierał ukraiński zespół teoretyków z Instytutu Fizyki Półprzewodników im. V. Ye. Lashkaryova z Kijowa w ramach długoterminowego programu wsparcia ukraińskich zespołów badawczych. Co więcej, temat jest również interesujący w ramach niedawno rozpoczętego grantu ERC Advanced Grant, którego celem jest wzmocnienie sygnału terahercowego.

Publikcaja “Electrical Tuning of Terahertz Plasmonic Crystal Phases” P. Sai, V. V. Korotyeyev, M. Dub, M. Słowikowski, M. Filipiak, D. B. But, Y. Ivonyak, M. Sakowicz, Y. M. Lyaschuk, S. M. Kukhtaruk, G. Cywiński and W. Knap, Physical Review X 13, 041003 (2023) stanowi ważną część rozprawy doktorskiej mgr Pavlo Sai, której obrona planowana jest 27 października 2023.

Rysunek: Wizualizacja transmitancji THz dla AlGaN/GaN kryształu plazmonicznego przy różnych napięciach przykładanych do elektrody bramki grzebieniowej. Rysunek demonstruje przejścia pomiędzy fazami: zdelokalizowaną, gdzie promieniowanie THz jest absorbowane przez całą grzebieniową strukturę realizowaną w reżimie słabej modulacji dwuwymiarowego gazu elektronowego (2DEG) oraz fazą zlokalizowaną, gdzie promieniowanie THz oddziałuje wyłącznie z niebramkowanymi segmentami kryształu plazmonicznego.

ICNS-14 Unipress contribution

Wtorek, 10 Październik 2023 11:31 |

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14) will be held on November 12-17, 2023 in Fukuoka, Japan. The conference will present high-impact scientific and technological advances in materials and devices based on group-III nitride semiconductors, and feature plenary sessions, parallel topical sessions, poster sessions and an industrial exhibition.

Scientists from Unipress - Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences will present their latest results in numerous contributions: one invited lecture (Michał Boćkowski), 17 oral presentations and 17 poster presentations. We also contributed as co-authors to other research prestented during this conference. Full ICNS-14 program can be found here.

Więcej…

Ciekawe własności „ciemnego ładunku” w szerokich studniach InGaN/GaN

Środa, 04 Październik 2023 17:26 |

Silne pole elektryczne w szerokich studniach InGaN/GaN powoduje przestrzenne rozdzielenie elektronów i dziur w studni na stanie podstawowym.

Rys.1 Profil potencjału w studni In_0.17Ga_0.83N/GaN i poziomy energetyczne elektronów (niebieskie) i dziur (czerwone). Długość kresek pokazuje zasięg funkcji falowej na danym poziomie. Widać, że najniższe stany elektronów i dziur nie przekrywają się, a więc przejścia między tymi stanami są wzbronione, natomiast wyżej leżące stany wzbudzone mogą uczestniczyć w rekombinacji (promienistej i bezpromienistej)

Funkcje falowe elektronów i dziur w stanach podstawowych nie przekrywają się, natomiast ekranują skutecznie pole elektryczne w studni. Ładunek w tych stanach nazywamy „ciemnym ładunkiem” (bo rekombinacja jest mało prawdopodobna). Możemy tylko wykrywać obecność „ciemnego ładunku” poprzez jego wpływ na emisję światła ze stanów wzbudzonych. Takie badania wykonali nasi Koledzy Artem Bercha , Grzegorz Muziol , Mikolaj Chlipala i Witold Trzeciakowski, a wyniki opublikowali w pracy Long-Lived Excitations in Wide (In,Ga)N/GaN Quantum Wells, PHYSICAL REVIEW APPLIED 20, 034040 (2023), demonstrując długi czas życia ciemnego ładunku (rzędu milisekund) podczas gdy czasy życia w typowych studniach kwantowych są rzędu nanosekund.

High pressure - high temperature synthesis of iron-based superconductors

Czwartek, 26 Październik 2023 11:00 |

High pressure is known to be beneficial for enhancing the physical and magnetic properties of materials as well as improving the quality of synthesized material. The high pressure - high temperature synthesis (HP-HTS) technique developed at UNIPRESS provides a possibility to grow various kinds of materials in relatively large volumes (10-15 cm). The working principle of HP-HTS technique has been described in the recent article published by “Mohammad Azam, Manasa Manasa, Andrzej Morawski, Tomasz Cetner, and Shiv J. Singh” entitled “High Gas Pressure and High-Temperature Synthesis (HP-HTS) Technique and Its Impact on Iron-Based Superconductors” Crystals 13, 1525 (2023), Impact factor 2.7. The research team of Dr. Singh from NL-6 has studied the impact of high pressure on improvement of the superconducting properties and material quality of iron-based superconductors.

Figure: The block diagram of HP-HTS technique, presented at our institute, consisting of a three-stage oil-based compressor, high-pressure chamber (C), and a control unit monitor.

The second recenlty published paper presents a comparative study of the superconducting properties of iron-based high T_c materials by conventional synthesis process (CSP) and HP-HTS technique. This paper is published by Manasa Manasa, Mohammad Azam, Tatiana Zajarniuk, Ryszard Diduszko, Jan Mizeracki, Tomasz Cetner, Andrzej Morawski, Andrzej Wiśniewski, Shiv J. Singh, “Comparison of Gd addition effect on the superconducting properties of FeSe_0.5Te_0.5 bulks under ambient and high-pressure conditions” in Ceramics International (2023), Impact Factor: 5.2.

Figure: The variation of (a) lattice parameter ‘c’ (b) the onset transition temperature (T_c), (c) transition width (ΔT), (d) room temperature resistivity ρ_300K and (e) residual resistivity ratio RRR (ρ_300K / ρ_20K) with weight% of Gd addition for the parent FeSe_0.5Te_0.5 i.e. FeSe_0.5Te_0.5 + xGd (x = 0, 0.03, 0.05, 0.07, 0.1, and 0.2) prepared by CSP and HP-HTS

Publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. Pavlo Sai

Poniedziałek, 16 Październik 2023 18:29 |

Dnia 27 października 2023 r. (piątek) o godz. 14:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr. Pavlo Sai.

Temat rozprawy: „Terahertz plasma excitations in AlGaN/GaN nanostructures”

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN

Konkurs na stanowisko PostDoc w NL10

Poniedziałek, 09 Październik 2023 09:48 |

Laboratorium NL 10, za zgodą Dyrektora IWC PAN, ogłasza konkurs na stanowisko PostDoc w ramach projektu NCN OPUS 45 ref. 2022/45/B/ST5/04005 ; Materiały szkliste pod ciśnieniem dla innowacyjnego magazynowania energii i jej konwersji.

Projekt łączy fizykę szkieł i materiałów amorficznych z inżynierią materiałową. Jest on wynikiem odkrycia, dokonanego przy znaczącym udziale IWC PAN, że poniżej temperatury szkła Tg pod wysokim ciśnieniem znajduje się ‘magiczny obszar’ o szerokości 50 – 100 K gdzie kompresja może wywołać pojawianie się wręcz egzotycznych własności fizycznych, i są one zachowane po dekompresji do warunków normalnych. W oczywisty sposób ta niezwykła własność budzi wiele pytań ‘fundamentalnych’ i może być szansą dla innowacyjnych aplikacji. W tym projekcie wykorzystujemy koncentrujemy się szczególnie na bateriach do magazynowania energii elektrycznej o szklanych elektrodach. Jak pokazaliśmy we wstępnej pracy w 2019 r. odpowiednio ‘zaprojektowana’ ścieżka zmian temperaturowych I ciśnieniowych może w szklanej matrycy wytworzyć nanokrystality będące źródłem wysokiej przewodności elektrycznej, a wspomniany ‘annenaling’ podwyższa ją jeszcze o 2 dekady. Pojawia się więc znakomity materiał na ‘szklane’ elektrody do baterii, których powierzchnia nie ulega praktycznie zmianom podczas używania. To szansa na ‘wieczne baterie’ a właśnie ich trwałość podczas cykli ładowania i rozładownia jest wielkim problemem istniejących rozwiązań.

Kandydat będzie pracował w Parku Innowacyjnym w Celestynowie, przez okres od 12 – 24 miesięcy. Termin składania aplikacji to 31.11.2023. Szczegółowe warunki konkursu, w tym oczekiwania i kwalifikacje kandydata podane są w załączonym dokumencie.

Projekt jest realizowany przez konsorcjum IWC PAN (NL10) i Politechnika Warszawska, Wydz. Fizyki).

Prof. dr hab. Sylwester J Rzoska,

Kier. Projektu i Laboratorium NL10

Ważny wkład teoretyków w określenie diagramu fazowego GaN

Poniedziałek, 02 Październik 2023 14:46 |

Czy można stopić GaN jak inne półprzewodniki: krzem lub GaAs? Jaka temperatura i ciśnienie są potrzebne? Fizycy-teoretycy z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN wykonali ważny krok w kierunku rozwiązania tego fundamentalnego problemu. Wyniki swoich obliczeń opublikowali niedawno w czasopiśmie Chemistry of Materials (Impact Factor 10,5) J. Piechota, S. Krukowski, B. Sadovyi, P. Sadovyi, S. Porowski i I. Grzegory w artykule pt. „Melting versus Decomposition of GaN: Ab Initio Molecular Dynamics Study and Comparison to Experimental Data” Chem. Mater. 2023, 35, 18, 7694–7707 doi: 10.1021/acs.chemmater.3c01477.

Autorzy określili warunki, w jakich tworzą się cząsteczki N₂, świadczące o rozkładzie GaN, w przeciwieństwie do wyższych ciśnień >15GPa, gdzie nawet w temperaturze 4000K cząsteczek N₂ nie znaleziono, co wskazuje na możliwość stopienia GaN. W pracy pokazano również, że wyniki wcześniejszych prac eksperymentalnych znajdują potwierdzenie w obliczeniach teoretycznych, co dobrze uzasadnia stosowanie wybranej metody do modelowania i projektowania trudnych eksperymentów w celu wyznaczenia krzywej topnienia GaN.

Więcej artykułów…

Acknowledgements

Logos of projects donators