Instytut Wysokich Ciśnień

Eksperymenty z czasowo-zależnym rezonansem paramagnetycznym przeprowadzone w grupie Kazuhiro Marumoto z Tsukuby zostały zinterpretowane teoretycznie. Obliczony z pierwszych zasad przez Małgorzatę Wierzbowską czynnik g Landego dla wielu defektów oraz poziomów domieszkowania elektronowego, wraz z modelowaniem zależnym od temperatury przeprowadzonym przez Akiko Ueda z Tsukuby i Nowego Yorku, pozwoliły odróżnić zlokalizowane stany magnetyczne od spinów gazu elektronowego.

Artykuł został opublikowany w Communications Materials

Konstrukcja efektywnych diod elektroluminescencyjnych InGaN/GaN (LED-ów), wymaga określenia wielkości wbudowanego pola elektrycznego, F_int, i znalezienie możliwości jego eliminacji. Jest to bardzo trudne. Duża wartość F_int prowadzi do obniżenia intensywności emitowanego światła i obniżenia jego energii.

W pracy opublikowanej ostatnio przez grupę fizyków z IWC PAN zaproponowano zastosowanie wysokiego ciśnienia hydrostatycznego do badań własności LED-ów. Badania takie pozwalają potwierdzić obecność pola elektrycznego w przyrządach i ewolucji tego pola w funkcji gęstości zasilającego LED prądu.

W dniach 19-21 stycznia odbędzie się ciekawe Sympozjum naukowe na temat fizyki i technologii półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną (ISWGPDs 2021). Sympozjum organizowane jest przez japońskie uniwersytety. Przewodniczącym Komitetu Organizacyjnego jest Prof. Hiroshi Amano (Uniwersytet Nagoya). W sympozjum wezmą udział Koledzy z IWC PAN jako „Keynote and invited speakers”.

Iza Gorczyca, Staszek Krukowski, Paweł Kempisty oraz Konrad Sakowski wygłoszą wykłady na temat teoretycznego modelowania procesów krystalizacji oraz własności struktur kwantowych i przyrządów.

To duże wyróżnienie dla IWC PAN. Gratulacje dla wykładowców !

Miło nam poinformować, że Instytut Wysokich Ciśnień PAN otrzymał dwa nowe granty z Narodowego Centrum Nauki w konkursie OPUS 19. Laureatami są:

Dr Piotr Kruszewski z Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników (NL12) – "Radiacyjne i nieradiacyjne defekty węglowe i wakanse w GaN".

Celem projektu jest zbadanie mechanizmów powstawania defektów we wzrastanych epitaksjalnie warstwach azotku galu domieszkowanych węglem a także wakansów galowych i azotowych powstałych na drodze naświetlania elektronami. W ramach projektu zostanie zbudowane stanowisko do pomiarów optycznego DLTS-u. Projekt będzie realizowany w bliskiej współpracy ze School of Electrical and Electronic Engineering, The University of Manchester. Łączny budżet to 1 475 040 zł a czas realizacji projektu przewidziano na 48 m-cy. Streszczenie projektu dostępne jest tutaj.

Dr Marcin Zając z Laboratorium Krystalizacji (NL3) – „Defekty punktowe w amonotermalnym azotku galu”.

Celem projektu  jest identyfikacja defektów punktowych, określenie ich wpływu na własności elektryczne i optyczne azotku galu otrzymywanego metodą amonotermalną. Istotnym elementem projektu jest szczegółowe badanie dynamiki defektów pod wpływem wysokotemperaturowego wygrzewania materiału niedomieszkowanego i domieszkowanego. Instytut Wysokich Ciśnień PAN jest liderem w wytwarzaniu objętościowego azotku galu metodą amonotermalną w środowisku zasadowym. Szczegółowa wiedza o rodzaju i koncentracji defektów jest konieczna z punktu widzenia kontroli procesu wzrostu i otrzymania podłoży GaN o pożądanych własnościach. Budżet projektu to 1 429 200 zł. Streszczenie dostępne jest tutaj.