Instytut Wysokich Ciśnień

Dnia 15 grudnia 2025 r. (poniedziałek) o godz. 11:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż. Mateusza Hajdla.

Temat rozprawy: „Operating principle of wide (In,Ga)N quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy”

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN.

Z wielkim żalem żegnamy Prof. dr hab. Andrzeja Suchockiego znakomitego fizyka, wybitnego organizatora życia naukowego oraz oddanego przyjaciela Instytutu Wysokich Ciśnień PAN.

Profesor Andrzej Suchocki odszedł 18 listopada 2025 roku. Przez wiele lat był jedną z najważniejszych postaci Instytutu Fizyki PAN – pełnił m.in. funkcję Zastępcy Dyrektora ds. Naukowych oraz kierownika oddziału i grupy badawczej, łącząc najwyższej klasy kompetencje naukowe z odpowiedzialnością za rozwój całej społeczności instytutu.

Dla naszego Instytutu był nie tylko cenionym partnerem naukowym, ale również serdecznym Przyjacielem. Wspólne projekty i liczne publikacje, które stworzyliśmy razem z Panem Profesorem, odegrały ważną rolę w rozwoju badań prowadzonych w IWC PAN. Współpraca z Nim zawsze oznaczała otwartą, życzliwą dyskusję, rzetelną krytykę i gotowość do dzielenia się wiedzą.

Zapamiętamy Go jako wspaniałego Człowieka – życzliwego, spokojnego, obdarzonego wyjątkową kulturą osobistą i poczuciem humoru – a zarazem pasjonata fizyki, którego praca i dorobek na trwałe wpisały się w rozwój naszej dyscypliny w Polsce i na świecie.

Rodzinie i Bliskim Pana Profesora składamy wyrazy najgłębszego współczucia i solidarności w tym trudnym czasie.

Dyrekcja, Koleżanki i Koledzy
z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN (IWC PAN, UNIPRESS)

Researchers from the Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences (IWC PAS / Unipress) will take part in the 8th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-8), held at National Cheng Kung University in Tainan, Taiwan, on 9–12 November 2025.

The Institute’s Director, prof. Michał Boćkowski, will deliver an invited lecture in Session S1 “III-N Bulk Crystal Growth,” titled “The Science and Art of GaN Crystal Growth.”

This year ISGN-8 will also inaugurate the Iwińska Award – Best Student Presentation, established in memory of Dr. Małgorzata Iwińska (1985–2024), a brilliant GaN-growth specialist from IHPP PAS. The award—sponsored by IHPP PAS—recognizes excellence among student presenters and commemorates Dr. Iwińska’s scientific achievements and support for young researchers.

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej (FNP) przyznała Instytutowi Wysokich Ciśnień PAN finansowanie na rozwój Centrum Fizyki i Technologii Półprzewodników Azotkowych „GaN-Unipress” w ramach działania Międzynarodowe Agendy Badawcze (MAB FENG). Projekt koncentruje się na badaniach przemysłowych i pracach rozwojowych - finansowanie nie obejmuje badań podstawowych.

Struktura projektu
Projekt integruje pełne spektrum działań „od materiału do konkretnego przyrządu”, w jednym, dedykowanym centrum. Kierownikiem MAB jest prof. dr hab. inż. Michał Boćkowski (IWC PAN), który jednocześnie poprowadzi WP3. Liderami pozostałych pakietów prac są: dr inż. Robert Kucharski (WP1), dr inż. Tomasz Sochacki (WP2) oraz dr hab. Paweł Kempisty, prof. IWC PAN (WP4).

Projekt obejmuje cztery, silnie zintegrowane obszary badawcze, tworzące kompletny łańcuch wartości - od materiału do urządzenia i algorytmów projektowania:

• WP1: Krystalizacja amonotermalna GaN i wytwarzanie podłoży o rekordowej jakości strukturalnej (m.in. docelowo 4-calowe podłoża GaN).
• WP2: Projektowanie i wytwarzanie diod mocy na podłożach GaN (p-n, p-i-n, Schottky/JBS) z naciskiem na niskie straty i wysokie napięcia przebicia.
• WP3: GaN domieszkowany jonami ziem rzadkich jako platforma dla źródeł pojedynczych fotonów i sensorów kwantowych, również z wykorzystaniem autorskiej technologii implantacji + wygrzewania wysokociśnieniowego (I/I+UHPA).
• WP4: Informatyka materiałowa — wykorzystanie AI/ML do optymalizacji krystalizacji, epitaksji oraz projektowania i diagnostyki przyrządów.

Strategiczne partnerstwa i współpraca krajowa 
Silnym elementem „GaN-Unipress” jest współpraca z Uniwersytetem Warszawskim (UW) i Politechniką Warszawską (PW). WP3 będzie rozwijany we współpracy z Zakładem Fizyki Ciała Stałego, Instytutu Fizyki Doświadczalnej UW, a WP4 uzyska wsparcie Zakładu Sztucznej Inteligencji i Metod Obliczeniowych Wydziału Matematyki i Nauk Informacyjnych PW. Ponadto strategicznym partnerem międzynarodowym projektu jest CNR-IMM we Włoszech (Consiglio Nazionale delle Ricerche – Istituto per la Microelettronica e Microsistemi), kierowany m.in. przez zespół dr. Fabrizio Roccaforte.

Dlaczego to ważne?
Połączenie unikalnych kompetencji IWC PAN w fizyce i technologii azotków z krystalizacją GaN, zaawansowaną epitaksją i narzędziami AI/ML daje Polsce wyjątkową pozycję do rozwoju energoelektroniki (wydajna konwersja energii) i technologii kwantowych (komunikacja i sensory), z realnym potencjałem komercjalizacji. Projekt rozwija Centrum „GaN-Unipress” jako rozpoznawalny, międzynarodowy ośrodek doskonałości.

Więcej o programie MAB i wynikach naboru 2/2025 na stronie FNP.