Instytut Wysokich Ciśnień

Miło nam poinformować o publikacji na temat polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej, która ukazała się niedawno w Materials: P. Strak, P. Kempisty, K. Sakowski, J. Piechota, I. Grzegory, E. Monroy, A. Kaminska, S. Krukowski, Spontaneous and Piezo Polarization Versus Polar Surfaces: Fundamentals and Ab Initio Calculations, Materials 2025, 18(7), 1489; https://doi.org/10.3390/ma18071489

W pracy omówiono podstawowe właściwości polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej oraz polaryzacji powierzchni. Wykazano, że definicja polaryzacji Landaua jako gęstości dipola może być stosowana w układach nieskończonych. Rozgraniczone zostały dwa składniki polaryzacji: polaryzacja objętościową i polaryzacja powierzchni. Taki podział jest zgodny z licznymi danymi eksperymentalnymi. Wprowadzony został lokalny model polaryzacji spontanicznej i wykorzystano go do obliczenia polaryzacji spontanicznej w postaci gęstości dipola elektrycznego. Model ten prawidłowo przewidział wartości polaryzacji spontanicznej wurcytowych półprzewodników azotkowych. Jednocześnie model wykazał zerową polaryzację dla sieci blendy cynkowej. Wartości polaryzacji spontanicznej uzyskane dla wurcytowych azotków gr. III były zgodne z wcześniejszymi obliczeniami wykonanej metodą Berry. Obliczenia z pierwszych zasad dla supersieci wurcytowych azotków w przybliżeniu Heyda–Scuserii–Ernzerhofa przeprowadzono w celu obliczenia pól polaryzacyjnych w regularnie odkształconych sieciach, wykazując dobrą zgodność z wynikami polaryzacji. Dane te wykorzystano do określenia parametrów piezoelektrycznych wurcytowych azotków, uzyskując wartości zgodne z wcześniejszymi wynikami.

Wiosenne spotkanie i wystawa Materials Research Society odbędą się w dniach 7-11 kwietnia 2025 w Seattle w stanie Waszyngton w USA. Jest to forum dla naukowców zajmujących się materiałami z całego świata. W czasie 2025 MRS Spring Meeting odbędzie się 67 sympozjów i 11 sesji szkoleniowych na tematy związane z obecnie rozwijanymi technologiami różnych materiałów.

Nasza koleżanka dr hab. inż. Julita Smalc-Koziorowska, prof IWC PAN z Laboratorium Charakteryzacji Półprzewodników NL-12 wygłosi zaproszony wykład „Developing InGaN Pseudo-substrates for Tailoring Red and Longer Wavelength Nitride-Based Devices” w ramach sympozjum EL-11 „Wide and Ultra-Wide Bandgap Materials, Devices and Applications”.

Z satysfakcją ogłaszamy podpisanie umowy z firmą Syntropiq dotyczącą doskonalenia implantów kręgosłupa, w tym z wykorzystaniem technologii IWC PAN zaprezentowanej z załączonej ulotce.

Syntropiq oferuje nowatorskie technologie i urządzenia do zabiegów międzytrzonowego łączenia kręgosłupa. Złożone implanty kręgosłupa produkowane są z proszku tytanowego przy użyciu zaawansowanej techniki wytwarzania przyrostowego.

Technologia syntezy nanocząstek hydroksyapatytu oraz ich sonochemicznego osadzania, opracowana w Instytucie Wysokich Ciśnień w Lanoratorium Nanostruktur zostanie użyta do poprawy właściwości implantów kręgosłupa. Nasza metoda pozwala nakładać powłoki nanocząstek na materiały takie jak tytan, ceramika, szkło, polimery, a także na wrażliwe na temperaturę biodegradowalne polimery. Wyniki badań in vivo wykazały, że nałożenie warstwy nanocząstek GoHAP^TM na implant polimerowy znacznie przyspiesza proces przerostu ubytku kostnego, co daje nadzieję na poprawę właściwości implantów kręgosłupa.

The International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-15 will be held in Malmö in Sweden from July 6-11, 2025.

ICNS-15 will present high-impact scientific and technological advances in materials and devices based on group-III nitride semiconductors, and feature plenary sessions, parallel topical sessions, poster sessions and an industrial exhibition. The conference is chaired by Vanya Darakchieva, Lars Samuelson and Piotr Perlin.

ICNS-15 will celebrate the achievements of Profs. Bo Monemar and Tadek Suski as honorary chairs.

One of the Plenary Speakers is prof. Mike Boćkowski with a talk “Cracking the Code of GaN Crystal Growth: Advances, Challenges and the Road Ahead”.

The deadline for abstract submission is March 10, 2025.