Miło nam poinformować o publikacji na temat polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej, która ukazała się niedawno w Materials: P. Strak, P. Kempisty, K. Sakowski, J. Piechota, I. Grzegory, E. Monroy, A. Kaminska, S. Krukowski, Spontaneous and Piezo Polarization Versus Polar Surfaces: Fundamentals and Ab Initio Calculations, Materials2025, 18(7), 1489; https://doi.org/10.3390/ma18071489
W pracy omówiono podstawowe właściwości polaryzacji spontanicznej i piezoelektrycznej oraz polaryzacji powierzchni. Wykazano, że definicja polaryzacji Landaua jako gęstości dipola może być stosowana w układach nieskończonych. Rozgraniczone zostały dwa składniki polaryzacji: polaryzacja objętościową i polaryzacja powierzchni. Taki podział jest zgodny z licznymi danymi eksperymentalnymi. Wprowadzony został lokalny model polaryzacji spontanicznej i wykorzystano go do obliczenia polaryzacji spontanicznej w postaci gęstości dipola elektrycznego. Model ten prawidłowo przewidział wartości polaryzacji spontanicznej wurcytowych półprzewodników azotkowych. Jednocześnie model wykazał zerową polaryzację dla sieci blendy cynkowej. Wartości polaryzacji spontanicznej uzyskane dla wurcytowych azotków gr. III były zgodne z wcześniejszymi obliczeniami wykonanej metodą Berry. Obliczenia z pierwszych zasad dla supersieci wurcytowych azotków w przybliżeniu Heyda–Scuserii–Ernzerhofa przeprowadzono w celu obliczenia pól polaryzacyjnych w regularnie odkształconych sieciach, wykazując dobrą zgodność z wynikami polaryzacji. Dane te wykorzystano do określenia parametrów piezoelektrycznych wurcytowych azotków, uzyskując wartości zgodne z wcześniejszymi wynikami.
Wiosenne spotkanie i wystawa Materials Research Society odbędą się w dniach 7-11 kwietnia 2025 w Seattle w stanie Waszyngton w USA. Jest to forum dla naukowców zajmujących się materiałami z całego świata. W czasie 2025 MRS Spring Meeting odbędzie się 67 sympozjów i 11 sesji szkoleniowych na tematy związane z obecnie rozwijanymi technologiami różnych materiałów.
Nasza koleżanka dr hab. inż. Julita Smalc-Koziorowska, prof IWC PAN z Laboratorium Charakteryzacji Półprzewodników NL-12 wygłosi zaproszony wykład „Developing InGaN Pseudo-substrates for Tailoring Red and Longer Wavelength Nitride-Based Devices” w ramach sympozjum EL-11 „Wide and Ultra-Wide Bandgap Materials, Devices and Applications”.
Z satysfakcją ogłaszamy podpisanie umowy z firmą Syntropiq dotyczącą doskonalenia implantów kręgosłupa, w tym z wykorzystaniem technologii IWC PAN zaprezentowanej z załączonej ulotce.
Syntropiq oferuje nowatorskie technologie i urządzenia do zabiegów międzytrzonowego łączenia kręgosłupa. Złożone implanty kręgosłupa produkowane są z proszku tytanowego przy użyciu zaawansowanej techniki wytwarzania przyrostowego.
Technologia syntezy nanocząstek hydroksyapatytu oraz ich sonochemicznego osadzania, opracowana w Instytucie Wysokich Ciśnień w Lanoratorium Nanostruktur zostanie użyta do poprawy właściwości implantów kręgosłupa. Nasza metoda pozwala nakładać powłoki nanocząstek na materiały takie jak tytan, ceramika, szkło, polimery, a także na wrażliwe na temperaturę biodegradowalne polimery. Wyniki badań in vivo wykazały, że nałożenie warstwy nanocząstek GoHAPTM na implant polimerowy znacznie przyspiesza proces przerostu ubytku kostnego, co daje nadzieję na poprawę właściwości implantów kręgosłupa.
The International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-15 will be held in Malmö in Sweden from July 6-11, 2025.
ICNS-15 will present high-impact scientific and technological advances in materials and devices based on group-III nitride semiconductors, and feature plenary sessions, parallel topical sessions, poster sessions and an industrial exhibition. The conference is chaired by Vanya Darakchieva, Lars Samuelson and Piotr Perlin.
ICNS-15 will celebrate the achievements of Profs. Bo Monemar and Tadek Suski as honorary chairs.
One of the Plenary Speakers is prof. Mike Boćkowski with a talk “Cracking the Code of GaN Crystal Growth: Advances, Challenges and the Road Ahead”.
The deadline for abstract submission is March 10, 2025.
Z dumą informujemy, że pracownik naszego Instytutu, dr Konrad Sakowski został wyróżniony przez Rektora Uniwersytetu Warszawskiego za inspirujące badania naukowe oraz wybitne osiągnięcia. Uroczyste wręczenie dyplomów odbyło się w Pałacu Kazimierzowskim w środę 2 kwietnia. Dr Konrad Sakowski oprócz pracy naukowej w IWC PAN jest również adiunktem na Wydziale Matematyki, Informatyki i Mechaniki UW.
Gratulujemy Konradowi tego zasłużonego wyróżnienia i życzymy dalszych sukcesów w pracy. Jesteśmy dumni, że jest częścią naszego zespołu.
10th International Conference on Superconductivity and Magnetism - ICSM 2025 will be held in Fethiye-Oludeniz, Turkey from 26th April to 3rd May 2025. This conference will cover a wide range of physics topics, including superconductivity, magnetism, and quantum materials and technological communities, and create networking opportunities and strengthen connections between all career levels. This year again, Dr. Shiv Singh from our Institute is organizing a special session: “Advances in Iron-based Superconductors: Growth, fundamental and applied research”. You can find more details about this session here.
Furthermore, in this conference, Dr. Shiv Singh will have an invited talk entitled "Impurity Effects on the Superconducting Properties of Stoichiometric CaKFe4As4 by Conventional and High-pressure Growth Methods”. Recently, Dr. Singh’s research team has proved that the high-pressure growth technique can be an effective method to enhance the superconducting properties of high-Tc superconductors as well as the sample quality. More details about the program and the speakers can be found here.
IXth Winter Workshop Kalatówki 2025 on Physics and Applications of Nitride Semiconductors will be organized on March 23-28, 2023in Zakopane (Poland).
The Winter Workshop Kalatówki gathers researchers from the Institute of High Pressure Physics Polish Academy of Sciences and from the collaborating scientific institutes. It serves as a platform for the exchange of information and ideas among the laboratories of the Institute over the years.
Scientific topics discussed encompass the physics and technology of AlInGaN semiconductor quantum structures, particularly within the realm of light emitters. Epitaxy, device processing and theoretical modelling will be highlighted for better understanding of the underlying physics and paving the way to novel concepts realization both in optoelectronics and nitride-based electronics.
This year, we will host many prominent nitride experts:
Prof. Tomasz Czyszanowski (Lodz University of Technology),
Prof. Marta Gładysiewicz-Kudrawiec (Wroclaw University of Technology),
Dr. Carsten Richter (Leibniz-Institut für Kristallzüchtung),
Prof. Ulrich Theodor Schwarz (Technische Universität Chemnitz),
Prof. Anna Szerling (Institute of Microelectronics and Photonics, Łukasiewicz Reseach Network),
Prof. Henryk Teisseyre (Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences)
Edytorzy czasopisma Applied Physics Letters (APL) wyróżnili ostatnio opublikowany artykuł, który powstał we współpracy pomiędzy Instytutem Wysokich Ciśnień PAN oraz Leibniz-Institut fur Kristallzuchtung w Berlinie.
W niniejszej pracy zademonstrowano, że elektronowy poziom pułapkowy (Ec-0.18 eV) powszechnie obserwowany w kryształach β-Ga2O3 wzrastanych metodą Czochralskiego jest w rzeczywistości superpozycją dwóch poziomów elektronowych o zbliżonych energiach aktywacji tj. Ec-0.196 eV oraz Ec-0.209 eV. Ponadto, pokazano że oba stany pułapkowe wykazują cechy defektu donorowego. Odkrycie to było możliwe dzięki zastosowaniu wysoko rozdzielczej techniki Laplace DLTS i odpowiednio dobranych warunków eksperymentalnych.