Institute of High Pressure Physics

Z wielkim smutkiem przyjęliśmy wiadomość o odejściu Pana Franciszka Łabeckiego. Trudno w to uwierzyć. Mimo poważnych komplikacji zdrowotnych Pan Franek nie poddawał się chorobie przez długi czas.  Dla większości osób mijających go, zawsze uśmiechniętego, na stanowisku portiera w budynku Unipressu w Al. Prymasa Tysiąclecia , Pan Franek był zawsze uosobieniem optymizmu i otwartości, gotowości do pomocy w różnych sytuacjach.

Traktowaliśmy Go jako pracownika Unipressu, pomimo tego, że formalnie nim nie był. Pamiętał o kłopotach i sukcesach wielu z nas. Późnym popołudniem lub wieczorem często podtrzymywał naszą formę świetnym żartem lub historią „na czasie”.

Żegnamy Pana, Panie Franku, z ogromnym żalem.

Dyrekcja i Pracownicy Instytutu Wysokich Ciśnień PAN.

IHPP PAS was awarded by the Office of Naval Research Global with a second grant (N62909-21-1-2063). A three-year project titled ‘GaN substrates of the highest structural quality for high-power electronics’ started in September 2021.

This project is performed by the team working in the Crystal Growth Laboratory at IHPP PAS and is led by the head of the laboratory: Prof. Michal Bockowski. The work will be performed in close cooperation with our colleagues at Naval Research Laboratory in US.

The main objectives of this project is to develop the ammonothermal technology in order to obtain the highest structural quality 2-inch gallium nitride (GaN) substrates and to improve the crystallization from gas phase to deposit homo-epitaxial layers of the highest purity on the mentioned substrates.

The best technology for growing bulk GaN, in terms of structural quality, is ammonothermal. N-type Am-GaN substrates can be applied for building electronic Field Effect Transistors (FETs). This kind of devices require a GaN layer of the highest structural quality and purity. Gallium nitride of the highest purity can only be achieved by halide vapor phase epitaxy (HVPE). Therefore, a combination of the HVPE technology with Am-GaN substrates is the best path to achieve GaN-on-GaN structures of the highest crystallographic quality and the lowest donors and acceptors concentrations in the epitaxial layers.

Serdeczne gratulacje za doktorat z wyróżnieniem !

W dniu 28 września, za pracę: Physical mechanisms determining the maximum optical power emitted from InGaN laser diodes, Rada Naukowa IWC PAN nadała Szymonowi Stańczykowi stopień doktora nauk przyrodniczych i ścisłych w dyscyplinie FIZYKA.

Rada Naukowa, na wniosek Komisji Doktorskiej oraz w wyniku dyskusji popartej wynikami tajnego głosowania, wyróżniła rozprawę dr inż. Szymona Stańczyka.

Gratulacje!

Praca doktorska dr inż. Szymona Stańczyka dotyczy fizyki i technologii diod laserowych zbudowanych na  bazie  półprzewodników III-N. Praca ta jest szerokim omówieniem zjawisk fizycznych  limitujących sprawność takich przyrządów, eksplorując zarówno efekty światłowodowe, wzmocnienie optyczne jak efekty termiczne. Do wyróżniających się elementów tej rozprawy należy chyba pierwszy gruntowny opis działania półprzewodnikowych wzmacniaczy światła na bazie InGaN oraz analiza działania laserów InGaN z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym. W obu przypadkach prace dr Stańczyka wniosły wiele do ustanowienia obecnego „state of the art” w tych dziedzinach.

W dniach 14-16 października br. Huawei Corporation organizuje Huawei Strategy and Technology Workshop (STW) 2021. Jednym z zaproszonych gości jest nasz pracownik Michał Boćkowski, który podczas sesji Compound Semiconductors and Power Devices wygłosi referat pt. „GaN-on-GaN TECHNOLOGY - CHALLENGES AND PERSPECTIVES”. Zakres warsztatów opiera się na publicznie dostępnych informacjach, a prezentacje są otwarte dla wszystkich uczestników (ekspertów zewnętrznych i kolegów z Huawei). Wśród uczestników są profesorowie i eksperci pochodzący z całego świata oraz pracownicy Huawei Co., Ltd.

Życzymy powodzenia i trzymamy kciuki.