Institute of High Pressure Physics

We wspólpracy z Politechniką Łodzką  (kierownik projektu: prof. Tomasz Czyszanowski) i Instytutem Technologii Elektronowych  IWC PAN realizuje projekt NCN Monolityczne lasery o emisji powierzchniowej na bazie GaN i GaAs. Projekt ten zmierza do wytworzenia całkowicie nowej (w azotkach) struktury laserów typu VCSEL. Metoda ta ma szansę radykalnie polepszyć właściwości tych laserów.

IWC PAN ma za zadanie wykonanie podfalowych siatek dyfrakcyjnych w kryształach GaN i strukturach laserowych opartych o InGaN. Zadanie jest bardzo wymagające ze względu na bardzo małe (rzędu 100 nm) wymiary siatki dyfrakcyjnej. Pierwsze próby wykonania siatki na GaN dają bardzo obiecujące rezultaty.
Kierownik projektu w IWC PAN, dr. Łucja Marona

Profesorowie Czesław Skierbiszewski i Michał Boćkowski zostali zaproszeni do wygłoszenia referatów zaproszonych na jednej z najbardziej prestiżowych konferencji poświęconej półprzewodnikom azotkowym, nauce o plazmie, nanotechnologii i biosensorom ISPlasma/IC-PLANTS 2016 odbywającej się w dniach 6-10 marca 2016 na Uniwersytecie w Nagoi (Japonia). Przewodniczącym konferencji jest Laureat Nagrody Nobla profesor H. Amano.

Wykład C. Skierbiszewskiego nosi tytuł Nitride based laser diodes grown by high nitrogen flux plasma assisted molecular beam epitaxy. Z kolei M. Boćkowski zaprezentuje wykład pt. HVPE-GaN Growth-Challenges and Perspectives.

Trzymamy kciuki za udane występy obu Panów!

W lutym w San Francisco odbędzie się tegoroczny Photonics West. Zostaliśmy zaproszeni do wygłoszenia referatu na temat wzrostu azotku galu metodą HVPE na podłożach typu Smart Cut^TM na konferencji Gallium Nitride Materials and Devices XI.

Wykład pt. HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart Cut^TM będzie zaprezentowany przez Gosię Iwińską. Będziemy również reprezentowani przez Łucję Maronę z wykładem Comparison of high indium content InGaN quantum wells grown on c and (20-21) planes by means of time resolved photoluminescence with applied bias oraz Michała Boćkowskiego z prezentacją  Challenges and future perspectives in HVPE-GaN growth.

W dniu 1 lutego ukazała się on-line piękna praca naszej Koleżanki Julity Smalc-Koziorowskiej i Jej współpracowników z Niemiec i Grecji na temat pochodzenia dyslokacji w heterostrukturach azotkowych.

Z ostatniej chwili:
Materiał z artykułu Julity został wybrany na okładkę najnowszego numeru Applied Physics Letters.