Institute of High Pressure Physics

W dniu 26. czerwca 2018 roku o godz. 12.00 w siedzibie Instytutu w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, w Sali Seminaryjnej odbędzie się

PUBLICZNA OBRONA ROZPRAWY DOKTORSKIEJ

mgr Bolesława Łucznika

Temat rozprawy:

Wzrost kryształów GaN metodą wodorkową (HVPE) na monokrystalicznych zarodziach GaN
o różnych pokrojach i własnościach fizycznych

Więcej informacji

International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA) is part of OPTICS and PHOTONICS International Congress (OPIC). Chair of this conference is Professor Hiroshi Amano who was awarded the 2014 Nobel Prize in Physics. The 6th LEDIA conference will be held between 25 and 27 April 2018 in Yokohama (Japan). Unipress will be represented by Malgorzata Iwinska from the Crystal Growth Laboratory. During the invited lecture results of doped HVPE-GaN crystals will be presented.

Serdecznie zapraszamy do udziału w międzynarodowej konferencji E-MRS 2018 Fall Meeting, która odbędzie się w dniach 17-20 września na Politechnice Warszawskiej. Plan konferencji zawiera 23 tematyczne sympozja, sesję plenarną oraz szereg wydarzeń towarzyszących.

Warto podkreślić, że wśród licznych tematów obecnych na konferencji swoje miejsce znalazła także sesja poświęcona m.in. azotkom (sesja R) – New frontiers in wide-bandgap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing. Sesja ta organizowana jest przy udziale naszego kolegi Piotra Kruszewskiego z oddziału NL-12.

Serdecznie zapraszamy do składania abstraktów oraz udziału w konferencji. Więcej informacji można znaleźć na stronie konferencji.

True-blue MBE-grown laser diodes with tunnel junction in the spotlights of Applied Physics Express

Editors of Applied Physics Express – a recognized scientific journal in the field of applied physics – highlighted the publication on the laser diodes with tunnel junction authored by the MBE group from Unipress in collaboration with TopGaN company. In the opinion of the Editors, the reported achievements are very interesting and should be accessible to wide audience of readers. The articles in the “Spotlights” section are Open Access.

The application of tunnel junction in laser diode structure allows to avoid technologically problematic metal contact to p-type layers. Additionally, such solution opens new possibilities for the fabrication of innovative devices like stacks of laser diodes or distributed feedback laser diodes.

We encourage everybody to read it:
“True-blue laser diodes with tunnel junctions grown monolithically by plasma-assisted molecular beam epitaxy” C. Skierbiszewski, G. Muziol, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Turski, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Zmuda, A. Nowakowska-Szkudlarek, M. Sawicka, and P. Perlin, Applied Physics Express 11, 034103 (2018).

http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.11.034103