Institute of High Pressure Physics

Miło nam poinformować, że w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN będzie realizowany projekt OPUS-LAP przyznany przez Narodowe Centrum Nauki i Deutsche Forshungsgemeinschaft o akronimie Less-Stress „Badania in-situ relaksacji plastycznej warstw buforowych InGaN w celu zwiększenia limitów zawartości indu w azotkowych warstwach epitaksjalnych”. Projekt będzie realizowany we współpracy z Leibniz - Institut für Kristallzüchtung z Berlina (IKZ). Kierownikiem polskiej części prac badawczych jest dr inż. Julita Smalc-Koziorowska, a niemieckiej części dr Tobias Schulz.

Zdjęcie TEM dyslokacji niedopasowania na interfejsie InGaN/GaN w widoku planarnym. Zdjęcie wykonała Joanna Moneta.

Na stronie Journal of Molecular Liquids (IF = 6.2) dostępna jest już publikacja  [A. Drozd-Rzoska, S. J. Rzoska, A. Szpakiewicz-Szatan, S. Starzonek, J. Łoś, K. Orzechowski,  Supercritical anomalies in liquid ODIC-forming cyclooctanol under the strong electric field, J. Mol. Liq. 345, 117849 (2022)]

Pokazuje ona odkrycie daleko-zasięgowych efektów przedprzejściowych w fazie ciekłej cyclooctanolu, przy zbliżaniu się do fazy kryształu plastycznego (ODIC). Detekcja tego uważanego dotąd za nieistniejące, zjawiska była możliwa dzięki zastosowaniu dwóch metod związanych z działaniem silnego pola elektrycznego: nieliniowego efektu dielektrycznego (NDE) oraz elektrooptycznego efektu Kerra (EKE).

Z wielkim smutkiem przyjęliśmy wiadomość o odejściu Pana Franciszka Łabeckiego. Trudno w to uwierzyć. Mimo poważnych komplikacji zdrowotnych Pan Franek nie poddawał się chorobie przez długi czas.  Dla większości osób mijających go, zawsze uśmiechniętego, na stanowisku portiera w budynku Unipressu w Al. Prymasa Tysiąclecia , Pan Franek był zawsze uosobieniem optymizmu i otwartości, gotowości do pomocy w różnych sytuacjach.

Traktowaliśmy Go jako pracownika Unipressu, pomimo tego, że formalnie nim nie był. Pamiętał o kłopotach i sukcesach wielu z nas. Późnym popołudniem lub wieczorem często podtrzymywał naszą formę świetnym żartem lub historią „na czasie”.

Żegnamy Pana, Panie Franku, z ogromnym żalem.

Dyrekcja i Pracownicy Instytutu Wysokich Ciśnień PAN.

IHPP PAS was awarded by the Office of Naval Research Global with a second grant (N62909-21-1-2063). A three-year project titled ‘GaN substrates of the highest structural quality for high-power electronics’ started in September 2021.

This project is performed by the team working in the Crystal Growth Laboratory at IHPP PAS and is led by the head of the laboratory: Prof. Michal Bockowski. The work will be performed in close cooperation with our colleagues at Naval Research Laboratory in US.

The main objectives of this project is to develop the ammonothermal technology in order to obtain the highest structural quality 2-inch gallium nitride (GaN) substrates and to improve the crystallization from gas phase to deposit homo-epitaxial layers of the highest purity on the mentioned substrates.

The best technology for growing bulk GaN, in terms of structural quality, is ammonothermal. N-type Am-GaN substrates can be applied for building electronic Field Effect Transistors (FETs). This kind of devices require a GaN layer of the highest structural quality and purity. Gallium nitride of the highest purity can only be achieved by halide vapor phase epitaxy (HVPE). Therefore, a combination of the HVPE technology with Am-GaN substrates is the best path to achieve GaN-on-GaN structures of the highest crystallographic quality and the lowest donors and acceptors concentrations in the epitaxial layers.