Ważne wydarzenia

Start

Our HVPE technology in Compound Semiconductor

Czwartek, 05 Czerwiec 2014 16:33 |

Our HVPE technology in Compound Semiconductor (page 48)

Hybrid approach yields the best GaN crystals and wafers. Marrying HVPE and ammonothermal growth techniques will accelerate the production of ultra-high quality GaN

Sympozjum Sprawozdawcze za 2013 rok

Poniedziałek, 27 Styczeń 2014 14:55 |

W dniu 23 stycznia 2014 roku odbyło się Sympozjum Sprawozdawcze Instytutu Wysokich Ciśnień PAN, na którym Kierownicy laboratoriów naukowych Instytutu przedstawili syntetyczne sprawozdania z działalności swoich laboratoriów w roku 2013. Ponadto, autorzy najciekawszych osiągnięć naukowych zaprezentowali swoje wyniki w ramach sesji tematycznych.

Więcej…

Czochralski Award for Prof. Porowski

Wtorek, 19 Listopad 2013 23:01 |

Więcej…

Seminarium „Polski potencjał badawczy i technologiczny w dziedzinie półprzewodników azotkowych”

Czwartek, 29 Wrzesień 2011 11:19 |

Więcej…

Student’s Paper Award dla Anny Kafar

Wtorek, 03 Czerwiec 2014 12:28 |

On LEDIA’14 (Jokohama, Japan, 22‑24.04.2014), Anna Kafar's presentation Optimization of InGaN Superluminescent Diodes: State of the Art Devices and an Analysis of their Limiting Factors won the Masahito Yamaguchi Student's Paper Award for the best graduate student presentations.

Więcej…

Czytaj dalej...

Więcej artykułów…

Instytut Wysokich Ciśnień

Our HVPE technology in Compound Semiconductor

Sympozjum Sprawozdawcze za 2013 rok

Czochralski Award for Prof. Porowski

Seminarium „Polski potencjał badawczy i technologiczny w dziedzinie półprzewodników azotkowych”

Student’s Paper Award dla Anny Kafar

Nagroda Fundacji Nauki Polskiej dla prof Sylwestra Porowskiego

Posiedzenia Rady Naukowej Instytutu Wysokich Ciśnień PAN – wręczenie pierwszych dyplomów doktorskich

Dr inż. Marcin Sarzyński laureatem programu LIDER