Instytut Wysokich Ciśnień

Two important topics in semiconductor physics are under intensive study by Unipress staff. First is related to growth mechanism of the semiconductor material. In the paper by S. Krukowski, K. Sakowski, P. Strak, P. Kempisty, J. Piechota, I. Grzegory entitled "Macrosteps dynamics and the growth of crystals and epitaxial layers" (Progr. Cryst. Growth. Char. Mater. 68, 100581, 2022), by NL3 theoretical group, the mechanism of emergence of multi- and macrosteps is explained by the theoretical model. In particular, the single-step mode of growth in the macrostep presence is presented. This pattern is crucial for understanding of mechanism of macrostep crystal growth mode.

Another aspect is the study of new polarization doping method for AlGaN heterostructures. In the paper by A. Ahmad, P. Strak, P. Kempisty, K. Sakowski, J. Piechota, Y. Kangawa, I. Grzegory, M. Leszczynski, Z. R. Zytkiewicz, G. Muziol, E. Monroy, A. Kaminska, S. Krukowski entitled "Polarization doping — Ab initio verification of the concept: Charge conservation and nonlocality" (J. Appl. Phys. 132, 064301, 2022), developed by NL3 theoretical group in cooperation with NL12, NL14, Univ. Grenoble-Alpes, Institute of Physics and Kyushu University scientists. In this theoretical study based on numerical simulation, existence of the polarization charge in variable-content layers were demonstrated and emergence of the mobile charge is presented. In particular, the device-size compensation is discussed, which is an important aspect in design of AlGaN UV heterostructures.

Dnia 20 października 2022 r. (czwartek) o godz. 10:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk, ul. Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgra Szymona Starzonka.

Temat rozprawy: „Uniwersalność dynamiki i przejść fazowych ciekłych kryształów w stanie przechłodzonym”

Pełna treść zawiadomienia

Streszczenie rozprawy doktorskiej

Recenzja 1

Recenzja 2

Researchers at North Carolina State University,  Adroit Materials and the Institute of High-Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences demonstrated a kV class, low ON-resistance, vertical GaN junction barrier Schottky (JBS) diode with selective-area p-regions formed via magnesium (Mg) implantation followed by ultra-high-pressure annealing (UHPA). The JBS has an ideality factor of 1.03, a turn-on voltage of 0.75 V, and a specific differential ON-resistance of 0.6 mΩ·cm2. The breakdown voltage of the JBS diode is 915 V, corresponding to a maximum electric field of 3.3 MV/cm. These results underline that high-performance GaN JBS can be performed by Mg implantation and UHPA.

For more details see:

https://www.semiconductor-today.com/news_items/2022/sep/ncsu-adroit-070922.shtml

https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ac8f81/meta

Laboratorium Nanostruktur (NL-4) zdobyło certyfikat zgodności z normą medyczną ISO 13485 na wytwarzanie innowacyjnych wyrobów w postaci nanoproszku hydroksyapatytu do przyśpieszonej regeneracji tkanki kostnej oraz biodegradowalnych membran separacyjnych pokrytych warstwą nanohydroksyapatytu. Ponadto certyfikat obejmuje pokrywanie komercyjnych implantów warstwą nanohydroksyapatytu oraz pakowanie wyrobów medycznych w warunkach Clean Room-u. Dla laboratorium naukowo-badawczego stanowiło to nie lada wyzwanie.Dzięki silnej determinacji członków laboratorium przy wdrażaniu innowacyjnych rozwiązań z zakresu nanomedycyny, jak również dzięki wsparciu projektu: RPMA.01.01.00-14-8476/17 Centrum Badań Przedklinicznych i Technologii CePT II współfinansowanego przez Unię Europejską z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Regionalnego Programu Operacyjnego województwa Mazowieckiego na lata 2014-2020, możliwa była realizacja inwestycji jaką było wybudowanie przestrzeni czystych Clean Room-u oraz zakup specjalistycznego sprzętu, jak również wdrożenie w tym środowisku Systemu Zarządzania Jakością spełniającego wymogi dla wytwarzania wyrobów medycznych w zgodności z normą ISO 13485.  Natomiast osoby zainteresowane tematem lub współpracą zachęcamy do odwiedzenia strony Laboratorium Nanostruktur.