Instytut Wysokich Ciśnień

Polskiej Akademii Nauk

Ta strona uzywa plikow "cookies". Zablokuj je w przegladarce jesli nie chcesz aby byly zapisywane na twoim komputerze.

English

Menu Główne

BIP

Unipress Equipment

Edukacja

Projekty Europejskie

Usługi lokalne

Start

Referat zaproszony na konferencji ION 2025

Niedziela, 08 Czerwiec 2025 13:40 |

Profesor Michał Boćkowski, dyrektor IWC PAN, został zaproszony do wygłoszenia referatu zaproszonego na konferencji ION 2025 – Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons, która odbędzie się w dniach 24–26 czerwca 2025 r. w Lublinie, organizowanej przez Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej i Politechnikę Lubelską.

Tytuł referatu to: „Shaping the Future of GaN-on-GaN Technology”. Wystąpienie będzie poświęcone rozwojowi nowoczesnych technologii opartych na strukturach GaN-on-GaN oraz ich potencjałowi w zastosowaniach wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości.

Strona konferencji: https://ion.umcs.pl

From epitaxy to leadership - COST webinar

Piątek, 06 Czerwiec 2025 13:25 |

European Network for Innovative and Advanced Epitaxy - OPERA COST Action CA20116 - invites to a webinar From epitaxy to leadership - a woman’s path in science of semiconductors that will be given by prof. Evelyne GIL from Université Clermont Auvergne in France on June 18, 2025 at 2 pm (GMT+1, Poland time) on-line via Zoom platform.

Abstract and speaker biography are avaialble under this link.

High-Tc iron-based superconductors by spark plasma sintering technique

Poniedziałek, 02 Czerwiec 2025 13:12 |

In the recent study, Prof. Singh’s research team has investigated the effect of “spark plasma sintering (SPS)” process on the superconducting properties of iron-based superconductors in collaboration with Shibaura Institute of Technology (SIT), Japan. They have also conducted a comparative analysis of conventional, high-gas-pressure, and SPS techniques to understand their impact on superconducting properties. Interestingly, the SPS process increased the critical current density without significantly affecting the critical transition temperature, which is attributed to the enhanced density of the samples. More details about this study can be found in the published paper by: Mohammad Azam, Tatiana Zajarniuk, Konrad Kwatek, Paolo Mele, and Shiv J. Singh entitled “Effect of spark plasma sintering on the superconducting properties of Sm-based oxypnictide” Cryogenics 150, 104125 (2025) (Elsevier); https://doi.org/10.1016/j.cryogenics.2025.104125

Figure: The variations of (a) the onset transition temperature (T_c^onset), (b) the transition width (ΔT), (c) the room temperature resistivity (ρ_{300 K}), (d) the Residual Resistance Ratio (RRR = ρ_{300 K} / ρ_{60 K}), and (e) the critical current density (J_c) of different SmFeAsO_0.80F_0.20 bulks prepared by conventional (0 MPa), high gas pressure (500 MPa) and SPS (45 MPa) processes under the different growth pressures.

Stypendia FNP START 2025

Czwartek, 15 Maj 2025 09:48 |

Z dumą informujemy, że wśród nagrodzonych stypendium START Fundacji na rzecz Nauki Polskiej (FNP) znaleźli się Mikołaj Chlipała oraz Mateusz Hajdel z Laboratorium Epitaksji MBE naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN.

Serdecznie gratulujemy wszystkim laureatom!

Lista 100 najzdolniejszych młodych naukowców - laureatów konkursu START 2025 została właśnie ogłoszona na stronie internetowej FNP. W konkursie nagrodzeni zostali badacze i badaczki przed trzydziestką, którzy mimo młodego wieku mogą pochwalić się wybitnym dorobkiem naukowym.

Program START FNP jest najstarszym w Polsce programem stypendialnym. Jego celem jest wspieranie wybitnych młodych uczonych i zachęcanie ich do dalszego rozwoju naukowego. Więcej o programie START pod linkiem.

Referat zaproszony na WOCSDICE-EXMATEC 2025

Niedziela, 08 Czerwiec 2025 13:02 |

Profesor Michał Boćkowski, dyrektor IWC PAN, został zaproszony do wygłoszenia referatu podczas międzynarodowej konferencji WOCSDICE – EXMATEC 2025, która odbędzie się w dniach 16-20 czerwca 2025 r. w Kadyksie, Hiszpania.

Wydarzenie to łączy 48. edycję Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE) oraz 19. edycję Workshop on Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies (EXMATEC) – dwie uznane konferencje poświęcone materiałom i technologiom półprzewodnikowym.

Profesor Boćkowski wygłosi referat pt. „Shaping the Future of GaN Crystal Growth Technology”, w którym przedstawi najnowsze osiągnięcia Instytutu w zakresie wzrostu kryształów azotku galu (GaN) oraz ich zastosowań w elektronice dużej mocy i technologii wide bandgap.

Strona konferencji: https://we2025.eu

Dwa projekty OPUS i jeden SONATA dla naukowców z Unipressu

Poniedziałek, 02 Czerwiec 2025 13:28 |

Miło nam poinformować, że Narodowe Centrum Nauki (NCN) rozstrzygnęło konkursy OPUS 28 i SONATA 20, gdzie naukowcy z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN otrzymali finansowanie trzech projektów. Laureatami są:

dr hab. inż. Grzegorz Cywiński, prof IWC PAN, który będzie kierował projektem OPUS - Interdyscyplinarne badania nad integracją aktywnych i pasywnych elementów subterahercowych w jeden monolityczny obwód wykonany w zaawansowanej technologii azotkowej. Projekt realizowany będzie w konsorcjum z Politechniką Warszawską.
dr inż. Jacek Skiba pokieruje projektem OPUS "Opracowanie metody otrzymywania nowych bezszwowych rurek z bioabsorbowalnych stopów Zn- Mg przy użyciu wyciskania hydrostatycznego". Projekt realizowany będzie w konsorcjum z Instytutem Metalurgii i Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego Polskiej Akademii Nauk
dr Mikołaj Amilusik pokieruje projektem SONATA - Wpływ dyslokacji przechodzących na dyfuzję domieszek donorowych i akceptorowych w azotku galu.

Gratulujemy!

Publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż. Joanny Łoś

Czwartek, 15 Maj 2025 23:05 |

Dnia 26 maja 2025 r. (poniedziałek) o godz. 13:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż. Joanny Łoś.

Temat rozprawy: „Charakterystyka zjawisk przedprzejściowych i dynamiki w materiałach ciekłokrystalicznych i ich nanokoloidach”

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN.

Projekt FENG - struktury GaN/AlGaN/SiC

Niedziela, 11 Maj 2025 15:01 |

Narodowe Centrum Badań i Rozwoju jako Instytucja Pośrednicząca dla Priorytetu I FENG 2021 zakończyła ocenę projektów złożonych w naborze nr FENG.01.01-IP.01-005/23 – Ścieżka SMART Projekty realizowane w konsorcjach. O projekty wnioskowały konsorcja z udziałem, lub bez udziału dużego przedsiębiorcy. W tej drugiej kategorii, na pierwszym miejscu listy rankingowej dofinansowanych projektów znalazł się projekt realizowany w konsorcjum SEEN Semiconductors Sp. z o. o. oraz grupa Prof. Michała Leszczyńskiego z NL-12 Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników.

W ramach naboru złożono 566 wniosków o dofinansowanie, a 51 wniosków na kwotę 686 870 078,42 PLN zostało wybranych do dofinansowania.

Tytuł Projektu: Przewodzące struktury GaN/AlGaN/SiC do konstrukcji nowych generacji elektronicznych przyrządów wertykalnych. Akronim Projektu: "TranzGaN"

Celem projektu jest opracowanie technologii wzrostu bufora przewodzącego AlGaN:Si na podłożach SiC metodą MOVPE. W tym celu zostanie przeprowadzona optymalizacja przepływu reagentów, temperatury, ciśnieniu wzrostu oraz dezorientacji podłoży SiC. Rezultatem tego ma być przygotowanie warstwy bufora o dobrej przewodności elektrycznej i jak najmniejsza gęstości dyslokacji w warstwie GaN wzrośniętej na tym buforze. Pozwoli to na produkcję epitaksjalnych struktur przyrządów wertykalnych jak tranzystory CAVET, diody p-i-n czy diody laserowe co znacznie poszerzy doświadczenie naukowe Instytutu.

Wartość projektu: 4 455 429,57 zł

Wysokość wkładu Funduszy Europejskich: 3 752 662,00 zł

Więcej artykułów…

Acknowledgements

Logos of projects donators