Institute of High Pressure Physics

Dnia 2. grudnia 2016 r. na Uniwersytecie Bostońskim będzie miało miejsce Sympozjum organizowane z okazji 70. rocznicy urodzin jednego z pionierów w dziedzinie półprzewodników azotkowych - Theodore D. Moustakas’a. Profesor Moustakas jest cenionym na Świecie specjalistą od wzrostu półprzewodników metodą wiązek molekularnych (MBE). W okresie  ponad 20-tu ostatnich lat zajmował się różnymi aspektami wzrostu struktur kwantowych systemu GaN-AlN-InN oraz ich wykorzystaniem w różnych przyrządach, głównie optoelektronicznych.

Do udziału w tym Sympozjum został zaproszony prof. Tadeusz Suski. Będzie (obok Noblisty z 2014 r., prof. Shuji Nakamury) jednym z dziewięciu zaproszonych mówców. T. Suski przedstawi osiągnięcia naszego Instytutu w dziedzinie azotków III-N oraz owocną współpracę z prof. T. Moustakasem na wykładzie p.t. From High-Pressure Bulk GaN Crystals to InGaN/GaN Quantum Structures and Light Emitters. W jej wyniku powstało szereg ważnych prac, z których 4 uzyskały ponad 100 cytowań. A dwie  z tych prac doczekały się ponad 230 cytowań.

W wyniku rozstrzygnięcia konkursu 1.2 INNOTEXTILE, Laboratorium Nanostruktur z Instytutu Wysokich Ciśnień wraz z konsorcjum zostało zakwalifikowane do dofinansowania z projektem AntiBacTex. W ramach konkursu dokonano oceny 20 wniosków z czego do dofinansowania rekomendowanych zostało 12 projektów, gdzie AntiBacTex zajął trzecie miejsce.

Celem projektu AntiBacTex jest opracowanie i wdrożenie na rynek materiałów tekstylnych o właściwościach bakteriostatycznych i bakteriobójczych bez uwalniania związków aktywnych do środowiska. Opracowanie nowych rodzajów tekstyliów do pościeli i ubrań z właściwościami bakteriobójczymi zwiększy bezpieczeństwo pacjentów przebywających w ośrodkach szpitalnych, głownie z powodu coraz bardziej rozpowszechniającej się antybiotykoodporności tzw. superbakterii. Prace zostaną doprowadzone do etapu komercjalizacji produktu.

Gratulujemy i życzymy dalszych sukcesów!

Bardzo miło nam oznajmić, iż w wyniku roztrzygnięcia konkursu Regionalne Agendy Badawcze RANB, Laboratorium Nanostruktur z Instytutu Wysokich Ciśnień zostało zakwalifikowane do dofinansowania z projektem NanoLigaBond! W ramach konkursu dokonano oceny 154 wniosków z czego do dofinansowania rekomendowanych zostało 19 projektów.

Projekt ma na celu zastosowanie innowacyjnej technologii syntezy hydroksyapatytu GoHAP™ oraz pokrycie syntetycznych więzadeł UHMWPE przy użyciu technologii ultradźwiękowej. Spowoduje to indukcje wrastania tkanki kostnej pomiędzy włókna  więzadeł, mocując je na trwale z tkanką kostną w odróżnieniu od obecnie stosowanego mocowania metalowymi śrubami. Prace zostaną doprowadzone do fazy klinicznej włącznie.

Laboratorium Nanostruktur IWC PAN jest koordynatorem projektu.

Gratulujemy i życzymy dalszych sukcesów!

Artykuł z Applied Physics Express zaprezentowany w Semiconductor Today!

Ostatnio nasi Koledzy (Grzegorz Muzioł - pierwszy Autor) opublikowali pracę w APEX o nowatorskim sposobie na całkowitą eliminację problemu wyciekania światła z falowodu do podłoża GaN w diodach laserowych. Eliminacja wyciekania światła ma kluczowe znaczenie w uzyskaniu wysokiej jakości wiązki optycznej niezbędnej w komercjalizacji przyrządów.

Na rysunku przedstawiono wiązkę diody laserowej cierpiącej ze względu na wyciekanie światła do podłoża (b) i wiązkę lasera bez wyciekania światła (c). Artykuł ten wzbudził bardzo duże zainteresowanie i został zaprezentowany w prestiżowym Semiconductor Today!

GRATULACJE!