UNIPRESS highlights

Start

POWROTY/REINTEGRATION 4/2017 programme results

Friday, 09 March 2018 10:03 |

The Foundation for Polish Science has concluded the fourth competition in the HOMING and POWROTY/REINTEGRATION programmes. Dr Marta Sawicka from our Institute is on the winners list of POWROTY/REINTEGRATION 4/2017 programme.

In her Project Development of high quality InAlN - the road to strain-free nitride lasers, dr Sawicka will investigate the microscopic growth mechanism of InAlN in order to find the optimum growth conditions for the composition 83% Al, 17%In, lattice-matched to GaN. High quality InAlN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) will be essential for the improvement of currently developed edge emitting laser diodes as well as fabrication of vertical surface emitting lasers (VCSELs), not available on the market yet.

The Project will be carried out in collaboration with prof. E. Calleja group from Universidad de Madrid and Prof. M. Załuska-Kotur group from Institute of Physics PAS. The obtained results will be implemented and tested in laser diodes structures fabricated in collaboration with TopGaN company.

Artykuł z Laboratorium Nanostruktur IWC PAN wyróżniony przez czasopismo Nanotechnology

Tuesday, 27 February 2018 01:47 |

Artykuł "Size control mechanism of ZnO nanoparticles obtained in microwave solvothermal synthesis" został wyróżniony przez czasopismo Nanotechnology i umieszczony na okładce tomu 29 (6) jako artykuł polecany.

Sympozjum Sprawozdawcze IWC PAN za rok 2017

Monday, 12 February 2018 18:35 |

7 lutego 2018 r. w Budynku Nowych Technologii IWC PAN w al. Prymasa Tysiąclecia 98, odbyło się Sympozjum Sprawozdawcze Instytutu Wysokich Ciśnień PAN z działalności naukowej w 2017 roku.

Podczas 40 prezentacji podzielonych pomiędzy 6 paneli tematycznych, członkowie Rady Naukowej oraz pracownicy naukowi Instytutu mieli okazję zapoznać się z dorobkiem wszystkich Laboratoriów IWC PAN.

Large off-cut angles available on n-type AMMONO-GaN wafers

Monday, 15 January 2018 23:17 |

AMMONO (leased and led by the Institute of High Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences) offers gallium nitride wafers of the highest quality in the world. They are prepared from bulk GaN crystallized with ammonothermal method. In order to meet the requirements of the nitride community, AMMONO is now able to prepare wafers with a large offcut angle (large misorientation). It can reach up to 2 deg. for 1-inch and 1.5-inch GaN. Substrates with such specifications are often required for optoelectronic devices. The significant advantage of AMMONO-GaN wafers is their uniformity in terms of the offcut angle. This is specifically important for controlling the composition of epitaxial layers deposited on the substrates. The large offcut angle is offered for n-type GaN, unintentionally doped with oxygen, with a high free carrier concentration of around 1x1019 cm-3. The wafers are of high structural quality typical for AMMONO-GaN: threading dislocation density at the level of 5x104 cm-2 and extremely flat crystallographic planes (radius of curvature above 20 m and FWHM values of X-ray rocking curves of about 20 arcsec for slit size slit 100 μm × 100 μm).

E-MRS 2018 Fall Meeting

Tuesday, 27 February 2018 02:15 |

Serdecznie zapraszamy do udziału w międzynarodowej konferencji E-MRS 2018 Fall Meeting, która odbędzie się w dniach 17-20 września na Politechnice Warszawskiej. Plan konferencji zawiera 23 tematyczne sympozja, sesję plenarną oraz szereg wydarzeń towarzyszących.

Warto podkreślić, że wśród licznych tematów obecnych na konferencji swoje miejsce znalazła także sesja poświęcona m.in. azotkom (sesja R) – New frontiers in wide-bandgap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing. Sesja ta organizowana jest przy udziale naszego kolegi Piotra Kruszewskiego z oddziału NL-12.

Serdecznie zapraszamy do składania abstraktów oraz udziału w konferencji. Więcej informacji można znaleźć na stronie konferencji.

APEX Spotlight

Tuesday, 13 February 2018 17:59 |

True-blue MBE-grown laser diodes with tunnel junction in the spotlights of Applied Physics Express

Editors of Applied Physics Express – a recognized scientific journal in the field of applied physics – highlighted the publication on the laser diodes with tunnel junction authored by the MBE group from Unipress in collaboration with TopGaN company. In the opinion of the Editors, the reported achievements are very interesting and should be accessible to wide audience of readers. The articles in the “Spotlights” section are Open Access.

The application of tunnel junction in laser diode structure allows to avoid technologically problematic metal contact to p-type layers. Additionally, such solution opens new possibilities for the fabrication of innovative devices like stacks of laser diodes or distributed feedback laser diodes.

We encourage everybody to read it:
“True-blue laser diodes with tunnel junctions grown monolithically by plasma-assisted molecular beam epitaxy” C. Skierbiszewski, G. Muziol, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Turski, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Zmuda, A. Nowakowska-Szkudlarek, M. Sawicka, and P. Perlin, Applied Physics Express 11, 034103 (2018).

http://iopscience.iop.org/article/10.7567/APEX.11.034103

SPIE Photonics West 2018

Friday, 26 January 2018 16:45 |

The world's largest multidisciplinary event focusing on photonics technologies, Photonics West, will be held in San Francisco (USA) from 27th January to 1st February 2018. A few of our scientists (Anna Kafar, Łucja Marona, Szymon Stańczyk, and Michał Boćkowski) will participate in the conference entitled Gallium Nitride Materials and Devices XIII. The new Unipress results will be presented.

https://spie.org/conferences-and-exhibitions/photonics-west

Seminarium z Fizyki Ciała Stałego 22.12.2017

Tuesday, 19 December 2017 18:01 |

Uprzejmie zawiadamiamy, że na najbliższym seminarium z fizyki ciała stałego, które odbędzie się w piątek 22 grudnia 2017 r. o godz. 10:15 w siedzibie Wydziału Fizyki UW przy ul. Pasteura 5 w sali 0.06 na parterze, referat na seminarium wygłosi:

dr inż. Grzegorz Muzioł
Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Tytuł referatu:

Długożyciowe azotkowe diody laserowe wytwarzane metodą epitaksji z wiązek molekularnych. Czy MBE ma szanse w walce z MOVPE?

More Articles...