Instytut Wysokich Ciśnień

W wyniku rozstrzygnięcia konkursu 1.2 INNOTEXTILE, Laboratorium Nanostruktur z Instytutu Wysokich Ciśnień wraz z konsorcjum zostało zakwalifikowane do dofinansowania z projektem AntiBacTex. W ramach konkursu dokonano oceny 20 wniosków z czego do dofinansowania rekomendowanych zostało 12 projektów, gdzie AntiBacTex zajął trzecie miejsce.

Celem projektu AntiBacTex jest opracowanie i wdrożenie na rynek materiałów tekstylnych o właściwościach bakteriostatycznych i bakteriobójczych bez uwalniania związków aktywnych do środowiska. Opracowanie nowych rodzajów tekstyliów do pościeli i ubrań z właściwościami bakteriobójczymi zwiększy bezpieczeństwo pacjentów przebywających w ośrodkach szpitalnych, głownie z powodu coraz bardziej rozpowszechniającej się antybiotykoodporności tzw. superbakterii. Prace zostaną doprowadzone do etapu komercjalizacji produktu.

Gratulujemy i życzymy dalszych sukcesów!

Bardzo miło nam oznajmić, iż w wyniku roztrzygnięcia konkursu Regionalne Agendy Badawcze RANB, Laboratorium Nanostruktur z Instytutu Wysokich Ciśnień zostało zakwalifikowane do dofinansowania z projektem NanoLigaBond! W ramach konkursu dokonano oceny 154 wniosków z czego do dofinansowania rekomendowanych zostało 19 projektów.

Projekt ma na celu zastosowanie innowacyjnej technologii syntezy hydroksyapatytu GoHAP™ oraz pokrycie syntetycznych więzadeł UHMWPE przy użyciu technologii ultradźwiękowej. Spowoduje to indukcje wrastania tkanki kostnej pomiędzy włókna  więzadeł, mocując je na trwale z tkanką kostną w odróżnieniu od obecnie stosowanego mocowania metalowymi śrubami. Prace zostaną doprowadzone do fazy klinicznej włącznie.

Laboratorium Nanostruktur IWC PAN jest koordynatorem projektu.

Gratulujemy i życzymy dalszych sukcesów!

Artykuł z Applied Physics Express zaprezentowany w Semiconductor Today!

Ostatnio nasi Koledzy (Grzegorz Muzioł - pierwszy Autor) opublikowali pracę w APEX o nowatorskim sposobie na całkowitą eliminację problemu wyciekania światła z falowodu do podłoża GaN w diodach laserowych. Eliminacja wyciekania światła ma kluczowe znaczenie w uzyskaniu wysokiej jakości wiązki optycznej niezbędnej w komercjalizacji przyrządów.

Na rysunku przedstawiono wiązkę diody laserowej cierpiącej ze względu na wyciekanie światła do podłoża (b) i wiązkę lasera bez wyciekania światła (c). Artykuł ten wzbudził bardzo duże zainteresowanie i został zaprezentowany w prestiżowym Semiconductor Today!

GRATULACJE!

W dniu 14 października o godzinie 10.15  na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego (Pasteura 5; sala 006) Michał Boćkowski znany również jako Bocko-sensei wygłosi wykład pt. Wzrost objętościowych kryształów azotku galu. Podczas wykładu omówione i porównane zostaną trzy podstawowe metody krystalizacji objętościowego azotku galu (GaN): wzrost z fazy gazowej - Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), krystalizacja z roztworu gal-sód (tzw. metoda sodowa) oraz wzrost w nadkrytycznym amoniaku (metoda amonotermalna). Przedstawione zostaną wady i zalety omawianych metod oraz podstawowe własności otrzymywanego materiału. Wydaje się, że synergia zalet trzech prezentowanych metod stwarza nowe, atrakcyjne możliwości wydajnej produkcji objętościowych kryształów GaN. Zostanie to pokazane na przykładzie krystalizacji HVPE na zarodziach otrzymywanych metodą amonotermalną.

Serdecznie zapraszamy!