Instytut Wysokich Ciśnień

Niezmiernie miło nam poinformować, że w wyniku rozstrzygnięcia III konkursu w ramach programu STRATEGMED Instytut Wysokich Ciśnień PAN wraz z konsorcjum zdobył najwyższą ocenę merytoryczną projektu, a co za tym idzie pierwsze miejsce w konkursie Narodowego Centrum Badań i Rozwoju. Projekt pt. Metoda leczenia dużych ubytków tkanki kostnej u chorych onkologicznych z wykorzystaniem inżynierii tkankowej in vivo jest koordynowany przez prof. dr hab. inż. Wojciecha Święszkowskiego z Wydziału Inżynierii Materiałowej Politechniki Warszawskiej.

Celem projektu jest opracowanie nowych technologii na potrzeby regeneracji tkanki kostnej u pacjentów poddawanych leczeniu onkologicznemu.

Już po raz trzeci, koledzy z Laboratorium Fizyki Półprzewodników IWC PAN wyjechali na swoje Sympozjum Wiosenne. Na Sympozjum, pracownicy Laboratorium oraz ich doktoranci wygłosili 20 prezentacji ustnych i prowadzili dyskusje naukowe. Sympozjum odbyło się w języku angielskim.

Program Sympozjum

We wspólpracy z Politechniką Łodzką  (kierownik projektu: prof. Tomasz Czyszanowski) i Instytutem Technologii Elektronowych  IWC PAN realizuje projekt NCN Monolityczne lasery o emisji powierzchniowej na bazie GaN i GaAs. Projekt ten zmierza do wytworzenia całkowicie nowej (w azotkach) struktury laserów typu VCSEL. Metoda ta ma szansę radykalnie polepszyć właściwości tych laserów.

IWC PAN ma za zadanie wykonanie podfalowych siatek dyfrakcyjnych w kryształach GaN i strukturach laserowych opartych o InGaN. Zadanie jest bardzo wymagające ze względu na bardzo małe (rzędu 100 nm) wymiary siatki dyfrakcyjnej. Pierwsze próby wykonania siatki na GaN dają bardzo obiecujące rezultaty.
Kierownik projektu w IWC PAN, dr. Łucja Marona

Profesorowie Czesław Skierbiszewski i Michał Boćkowski zostali zaproszeni do wygłoszenia referatów zaproszonych na jednej z najbardziej prestiżowych konferencji poświęconej półprzewodnikom azotkowym, nauce o plazmie, nanotechnologii i biosensorom ISPlasma/IC-PLANTS 2016 odbywającej się w dniach 6-10 marca 2016 na Uniwersytecie w Nagoi (Japonia). Przewodniczącym konferencji jest Laureat Nagrody Nobla profesor H. Amano.

Wykład C. Skierbiszewskiego nosi tytuł Nitride based laser diodes grown by high nitrogen flux plasma assisted molecular beam epitaxy. Z kolei M. Boćkowski zaprezentuje wykład pt. HVPE-GaN Growth-Challenges and Perspectives.

Trzymamy kciuki za udane występy obu Panów!