Instytut Wysokich Ciśnień

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej rozstrzygnęła czwarte konkursy w programach HOMING i POWROTY. Wśród laureatów programu POWROTY 4/2017 znalazła się dr inż. Marta Sawicka z naszego Instytutu.

Jej projekt pt. Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń ma na celu zrozumienie mikroskopowego mechanizmu wzrostu i znalezienie optymalnych warunków do wytwarzania wysokiej jakości warstw InAlN o składzie 83% Al i 17%In, który jest dopasowany sieciowo do GaN. Otrzymanie wysokiej jakości InAlN metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową (PAMBE) będzie kluczowe dla poprawy parametrów obecnie rozwijanych azotkowych diod laserowych o emisji krawędziowych i pozwoli na uzyskanie diod o emisji powierzchniowej (VCSELs), obecnie niedostępnych na rynku.

Projekt będzie realizowany we współpracy z grupą prof. E. Calleja z Politechniki w Madrycie oraz grupą fizyków teoretyków Prof. M. Załuskiej-Kotur z Instytutu Fizyki PAN. Wyniki otrzymane w ramach projektu będą przetestowane na strukturach diod laserowych, które zostaną przygotowane we współpracy z firmą TopGaN.

Artykuł "Size control mechanism of ZnO nanoparticles obtained in microwave solvothermal synthesis" został wyróżniony przez czasopismo Nanotechnology i umieszczony na okładce tomu 29 (6) jako artykuł polecany.

7 lutego 2018 r. w Budynku Nowych Technologii IWC PAN w al. Prymasa Tysiąclecia 98, odbyło się Sympozjum Sprawozdawcze Instytutu Wysokich Ciśnień PAN z działalności naukowej w 2017 roku.

Podczas 40 prezentacji podzielonych pomiędzy 6 paneli tematycznych, członkowie Rady Naukowej oraz pracownicy naukowi Instytutu mieli okazję zapoznać się z dorobkiem wszystkich Laboratoriów IWC PAN.

AMMONO (leased and led by the Institute of High Pressure Physics of the Polish Academy of Sciences) offers gallium nitride wafers of the highest quality in the world. They are prepared from bulk GaN crystallized with ammonothermal method. In order to meet the requirements of the nitride community, AMMONO is now able to prepare wafers with a large offcut angle (large misorientation). It can reach up to 2 deg. for 1-inch and 1.5-inch GaN. Substrates with such specifications are often required for optoelectronic devices. The significant advantage of AMMONO-GaN wafers is their uniformity in terms of the offcut angle. This is specifically important for controlling the composition of epitaxial layers deposited on the substrates. The large offcut angle is offered for n-type GaN, unintentionally doped with oxygen, with a high free carrier concentration of around 1x1019 cm-3. The wafers are of high structural quality typical for AMMONO-GaN: threading dislocation density at the level of 5x104 cm-2 and extremely flat crystallographic planes (radius of curvature above 20 m and FWHM values of X-ray rocking curves of about 20 arcsec for slit size slit 100 μm × 100 μm).