Instytut Wysokich Ciśnień

W dniu 20.11.2019 r. odbyła się uroczystość wręczenia nagród w konkursie „Innowator Mazowsza” . Organizatorem konkursu był Departament Rozwoju Regionalnego i Funduszy Europejskich Urzędu Marszałkowskiego Województwa Mazowieckiego.

https://innowacyjni.mazovia.pl/aktualnosci/innowator-mazowsza-rozstrzygniety.html

XI edycja wydarzenia była szczególną chwilą dla dr inż. Aleksandry Marii Krajewskiej, młodego naukowca realizującego swoją karierę w projekcie CENTERA FNP. Aleksandra znalazła się w gronie laureatów i otrzymała nagrodę za zajęcie II miejsca za pracę doktorską pt. „ Modyfikacja struktur grafenowych do zastosowania w fotonice i elektronice”.

W dniu 11 listopada 2019, z okazji obchodów Narodowego Święta Niepodległości Prezydent Rzeczypospolitej Polskiej Andrzej Duda wręczył odznaczenia państwowe osobom zasłużonym w służbie państwu i społeczeństwu. Uroczystość odbyła się w Pałacu Prezydenckim.

Na podstawie przeprowadzonej procedury rekrutacyjnej na studia stacjonarne w roku akademickim 2019/2020 do Warszawskiej Szkoły Doktorskiej Nauk Ścisłych i BioMedycznych [Warsaw-4-PhD] do projektów realizowanych w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN zostają przyjęci:

1. Maria Szoła
2. Maciej Mikosza
3. Kacper Sierakowski
4. Karolina Grabiańska
5. Piotr Jaroszyński
6. Julia Sławińska
7. Mikołaj Chlipała
8. Natalia Fiuczek
9. Raghvender
10. Hassan Ghasemi

Decyzja Dyrektora Instytutu

W dniu 1 sierpnia 2019, na Międzynarodowej Konferencji Wzrostu Kryształów i Epitaksji (ICCGE-19), w Colorado (USA), na Walnym Zgromadzeniu członków IOCG, odbyły się wybory prezydium Międzynarodowego Komitetu Wykonawczego IOCG. W wyniku wyborów, nowym Sekretarzem IOCG został nasz Kolega, Prof. Stanisław Krukowski. Bardzo mu gratulujemy i cieszymy się, że mamy swojego przedstawiciela w tak znakomitym gronie uczonych.

W konferencji ICCGE-19 wzięło udział kilku pracowników naszego Instytutu, którzy wygłosili trzy wykłady, z czego dwa na zaproszenie organizatorów konferencji (invited):

Tomasz Sochacki
Crystallization of GaN by HVPE method with controlled lateral growth
Session: Bulk Crystal Growth: III-V Wide Bandgap Nitride Semiconductors

Stanisław Krukowski
Step dynamics resulting from adsorption at electron passivated semiconductor surfaces
Session: Surfaces and Interfaces