Instytut Wysokich Ciśnień

A public defense of the doctoral dissertation of Muhammed Aktaş, M.Sc., will be held on 9 January 2026 (Friday) at 12:00 p.m. in the
seminar room of the Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, in Warsaw, 29/37 Sokołowska St.

Dissertation title: „Polarization Doping as a Method to Improve the Properties of InGaN-Based Laser Diodes and Light-Emitting Diodes”

Full text of the announcement

The dissertation and reviews are available here.

Najbardziej innowacyjne polskie projekty zostały nagrodzone podczas Gali Finałowej XXVI edycji konkursu „Polski Produkt Przyszłości”, organizowanej przez Polską Agencję Rozwoju Przedsiębiorczości (PARP), która odbyła się 2 grudnia 2025 w Warszawie.

W tegorocznej edycji zgłoszono 152 projekty, z których wiele już dziś prezentuje wysoki potencjał wdrożeniowy. Przyznano 3 nagrody główne, 10 wyróżnień oraz nagrody specjalne.

Wyróżnienie w kategorii "Wspólny produkt przyszłości instytucji szkolnictwa wyższego i nauki oraz przedsiębiorcy" otrzymała technologia: Innowacyjne elektrody do procesu drążenia elektroerozyjnego wgłębnego o podwyższonej żywotności, opracowana przez Instytut Wysokich Ciśnień PAN oraz GEMET Elżbieta Czerwieniak. Technologia wykorzystuje silne odkształcenie plastyczne do poprawy właściwości materiału elektrod, co pozwala na znaczące zwiększenie wydajności konwencjonalnych procesów obróbki elektroerozyjnej.

Serdecznie gratulujmy wszystkim laureatom i wyróżnionym, a w szczególności zespołowi z Laboratorium Plastyczności pod Wysokim Ciśnieniem - dr hab. inż. Mariuszowi Kulczykowi, prof. IWCPAN, dr inż. Jackowi Skibie i współpracownikom z firmy GEMET Elżbieta Czerwieniak.

Katalog Laureatów XXVI edycji Konkursu Polski Produkt Przyszłości dostępny jest pod linkiem.

Dnia 15 grudnia 2025 r. (poniedziałek) o godz. 11:00 w sali seminaryjnej Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, odbędzie się publiczna obrona rozprawy doktorskiej mgr inż. Mateusza Hajdla.

Temat rozprawy: „Operating principle of wide (In,Ga)N quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy”

Pełna treść zawiadomienia

Rozprawa doktorska i recenzje dostępne są na stronie BIP IWC PAN.

Dobrze znany, grafitopodobny heksagonalny azotek boru (hBN) przeżywa obecnie swój wielki renesans jako materiał niezbędny w elektronice 2D, niezwykle wydajny emiter UV, czy doskonały detektor neutronów. Do pełnego zbadania i wykorzystania potencjału hBN niezbędny jest materiał najwyższej klasy, najlepiej w postaci monokryształu o rozmiarach odpowiednich do badań i zastosowań.

W naszym Instytucie pracujemy nad krystalizacją hBN pod wysokim ciśnieniem. W ostatnim czasie ukazała się ciekawa publikacja Crystal Growth of hBN from Ni and Ni–Cr Solutions at High N2 pressure, B. Sadovyi, P. Sadovyi, A. Nikolenko, V. Strelchuk, B. Turko, Y. Eliyashevskyy, I. Yahniuk, M. Marocko, J. Eroms, I. Petrusha, S. Krukowski, S. Porowski, and I. Grzegory, ACS Applied Materials & Interfaces 17, 63610 (2025), gdzie opisujemy procesy i wyniki wzrostu kryształów hBN z roztworów B i N w ciekłym niklu i mieszaninie Ni-Cr, pod ciśnieniem azotu 1000-1500bar.

Przezroczyste, bezbarwne kryształy hBN wykazały znakomitą jakość strukturalną oraz jednorodność potwierdzone mapowaniem widma Ramana. Szerokość piku ramanowskiego E_2g odpowiadającego drganiom atomów w płaszczyźnie warstwy hBN, nie przekraczała 8cm^-1, co jest dowodem bardzo wysokiej jakości krystalicznej otrzymanego hBN. Analiza widm absorpcji optycznej potwierdziła, że hBN jest kryształem o skośnej przerwie energetycznej.  Zwiększona o czynnik 30-40, w wyniku kompresji, rozpuszczalność azotu w metalu pozwoliła uzyskać kryształy istotnie grubsze (do 30 μm) niż w ciśnieniu atmosferycznym.

Wyniki procesów krystalizacji hBN sa przedyskutowane w kontekście własności termodynamicznych wszystkich azotków III-N, a także w kontekście wpływu metalu – rozpuszczalnika na warunki stabilności termicznej hBN względem jego składników.

W celu dalszej weryfikacji jakości otrzymanych monokryształów, koledzy z Uniwersytetu w Regensburgu wykonali eksfoliację cienkich płatków hBN i zastosowali te płatki do konstrukcji przyrządów grafenowych. W warstwach grafenu otoczonych warstwami hBN otrzymano spektakularnie wysoką ruchliwość nośników zarówno elektronów, jak i dziur, przewyższającą 21.2 m²·V^–1·s^–1 w 230 K.

Praca podsumowuje wyniki części badań projektu “Long-term program of support of the Ukrainian research teams at the Polish Academy of Sciences carried out in collaboration with the U.S. National Academy of Sciences with the financial support of external partners” Grant No. PAN.BFB.S.BWZ.369.022.2023, pod tytułem “Influence of high N2 gas pressure on crystallization mechanisms and physical properties of h-BN”.