Institute of High Pressure Physics

Bardzo miło nam oznajmić, iż w wyniku roztrzygnięcia konkursu Regionalne Agendy Badawcze RANB, Laboratorium Nanostruktur z Instytutu Wysokich Ciśnień zostało zakwalifikowane do dofinansowania z projektem NanoLigaBond! W ramach konkursu dokonano oceny 154 wniosków z czego do dofinansowania rekomendowanych zostało 19 projektów.

Projekt ma na celu zastosowanie innowacyjnej technologii syntezy hydroksyapatytu GoHAP™ oraz pokrycie syntetycznych więzadeł UHMWPE przy użyciu technologii ultradźwiękowej. Spowoduje to indukcje wrastania tkanki kostnej pomiędzy włókna  więzadeł, mocując je na trwale z tkanką kostną w odróżnieniu od obecnie stosowanego mocowania metalowymi śrubami. Prace zostaną doprowadzone do fazy klinicznej włącznie.

Laboratorium Nanostruktur IWC PAN jest koordynatorem projektu.

Gratulujemy i życzymy dalszych sukcesów!

Artykuł z Applied Physics Express zaprezentowany w Semiconductor Today!

Ostatnio nasi Koledzy (Grzegorz Muzioł - pierwszy Autor) opublikowali pracę w APEX o nowatorskim sposobie na całkowitą eliminację problemu wyciekania światła z falowodu do podłoża GaN w diodach laserowych. Eliminacja wyciekania światła ma kluczowe znaczenie w uzyskaniu wysokiej jakości wiązki optycznej niezbędnej w komercjalizacji przyrządów.

Na rysunku przedstawiono wiązkę diody laserowej cierpiącej ze względu na wyciekanie światła do podłoża (b) i wiązkę lasera bez wyciekania światła (c). Artykuł ten wzbudził bardzo duże zainteresowanie i został zaprezentowany w prestiżowym Semiconductor Today!

GRATULACJE!

W dniu 14 października o godzinie 10.15  na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego (Pasteura 5; sala 006) Michał Boćkowski znany również jako Bocko-sensei wygłosi wykład pt. Wzrost objętościowych kryształów azotku galu. Podczas wykładu omówione i porównane zostaną trzy podstawowe metody krystalizacji objętościowego azotku galu (GaN): wzrost z fazy gazowej - Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), krystalizacja z roztworu gal-sód (tzw. metoda sodowa) oraz wzrost w nadkrytycznym amoniaku (metoda amonotermalna). Przedstawione zostaną wady i zalety omawianych metod oraz podstawowe własności otrzymywanego materiału. Wydaje się, że synergia zalet trzech prezentowanych metod stwarza nowe, atrakcyjne możliwości wydajnej produkcji objętościowych kryształów GaN. Zostanie to pokazane na przykładzie krystalizacji HVPE na zarodziach otrzymywanych metodą amonotermalną.

Serdecznie zapraszamy!

W dniach 2-7 października 2016, w Orlando (Floryda) odbędzie  się jedna z dwóch głównych konferencji na temat półprzewodników azotkowych, IWN 2016 (International Workshop on Nitride Semiconductors).  Konferencja gromadzi około 1000 uczestników, odbywa się co dwa lata i cyklicznie krąży pomiędzy Europą, Ameryką i Azją. Dotyczy zarówno opisu otrzymywania jak i fundamentalnych własności fizycznych kryształów, struktur kwantowych, przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych wykorzystujących GaN, AlN, InN oraz ich stopy.

Instytut Wysokich ciśnień, PAN ma znaczący udział w organizacji tej konferencji oraz będzie wyraźnie widoczny podczas jej przebiegu.

Izabella Grzegory i Izabela Gorczyca zostały zaproszone do Komitetu Programowego IWN 2016. Obie Panie będą kierowały sympozjami na temat odpowiednio wzrostu kryształów objętościowych oraz teorii. Tadeusz Suski należy do Międzynarodowego Komitetu Doradczego IWN.

Znaczna ilość pracowników Instytutu przedstawi referaty na tej Konferencji. Michał Boćkowski został zaproszony do wygłoszenia referatu zaproszonego na temat wzrostu kryształów GaN. Pozostali „prezenterzy” to: Iza Grzegory, Iza Gorczyca, Julita Smalc-Koziorowska, Anna Kafar, Ewa Grzanka, Agata Bojarska, Grzegorz Staszczak, Grzegorz Muzioł, Szymon Grzanka, Szymon Stańczyk, Krzysztof Gibasiewicz, Tadeusz Suski, Piotr Perlin, Henryk Turski, Marcin Siekacz i Tomasz Sochacki.