Institute of High Pressure Physics

Artykuł z Applied Physics Express zaprezentowany w Semiconductor Today!

Ostatnio nasi Koledzy (Grzegorz Muzioł - pierwszy Autor) opublikowali pracę w APEX o nowatorskim sposobie na całkowitą eliminację problemu wyciekania światła z falowodu do podłoża GaN w diodach laserowych. Eliminacja wyciekania światła ma kluczowe znaczenie w uzyskaniu wysokiej jakości wiązki optycznej niezbędnej w komercjalizacji przyrządów.

Na rysunku przedstawiono wiązkę diody laserowej cierpiącej ze względu na wyciekanie światła do podłoża (b) i wiązkę lasera bez wyciekania światła (c). Artykuł ten wzbudził bardzo duże zainteresowanie i został zaprezentowany w prestiżowym Semiconductor Today!

GRATULACJE!

W dniu 14 października o godzinie 10.15  na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego (Pasteura 5; sala 006) Michał Boćkowski znany również jako Bocko-sensei wygłosi wykład pt. Wzrost objętościowych kryształów azotku galu. Podczas wykładu omówione i porównane zostaną trzy podstawowe metody krystalizacji objętościowego azotku galu (GaN): wzrost z fazy gazowej - Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), krystalizacja z roztworu gal-sód (tzw. metoda sodowa) oraz wzrost w nadkrytycznym amoniaku (metoda amonotermalna). Przedstawione zostaną wady i zalety omawianych metod oraz podstawowe własności otrzymywanego materiału. Wydaje się, że synergia zalet trzech prezentowanych metod stwarza nowe, atrakcyjne możliwości wydajnej produkcji objętościowych kryształów GaN. Zostanie to pokazane na przykładzie krystalizacji HVPE na zarodziach otrzymywanych metodą amonotermalną.

Serdecznie zapraszamy!

W dniach 2-7 października 2016, w Orlando (Floryda) odbędzie  się jedna z dwóch głównych konferencji na temat półprzewodników azotkowych, IWN 2016 (International Workshop on Nitride Semiconductors).  Konferencja gromadzi około 1000 uczestników, odbywa się co dwa lata i cyklicznie krąży pomiędzy Europą, Ameryką i Azją. Dotyczy zarówno opisu otrzymywania jak i fundamentalnych własności fizycznych kryształów, struktur kwantowych, przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych wykorzystujących GaN, AlN, InN oraz ich stopy.

Instytut Wysokich ciśnień, PAN ma znaczący udział w organizacji tej konferencji oraz będzie wyraźnie widoczny podczas jej przebiegu.

Izabella Grzegory i Izabela Gorczyca zostały zaproszone do Komitetu Programowego IWN 2016. Obie Panie będą kierowały sympozjami na temat odpowiednio wzrostu kryształów objętościowych oraz teorii. Tadeusz Suski należy do Międzynarodowego Komitetu Doradczego IWN.

Znaczna ilość pracowników Instytutu przedstawi referaty na tej Konferencji. Michał Boćkowski został zaproszony do wygłoszenia referatu zaproszonego na temat wzrostu kryształów GaN. Pozostali „prezenterzy” to: Iza Grzegory, Iza Gorczyca, Julita Smalc-Koziorowska, Anna Kafar, Ewa Grzanka, Agata Bojarska, Grzegorz Staszczak, Grzegorz Muzioł, Szymon Grzanka, Szymon Stańczyk, Krzysztof Gibasiewicz, Tadeusz Suski, Piotr Perlin, Henryk Turski, Marcin Siekacz i Tomasz Sochacki.

We are proud to inform that both of the young researchers, Małgorzata Iwińska and Mikołaj Amilusik, who participated in the International Summer School on Crystal Growth in Lake Biwa, Japan, in August 2016, received IUCr (International Union of Crystallography) Young Researchers Awards for their presentations.

Małgorzata Iwińska received also an Excellent Poster Award for presenting the results of Growth of HVPE-GaN on Advanced Substrates obtained by Smart Cut^TM. Congratulations!