Institute of High Pressure Physics

ANNUAL REPORT IHPP PAS 2021

W dniu 8 lutego 2022 r. odbędzie się w naszym Instytucie, coroczne Sympozjum Sprawozdawcze. Z oczywistych przyczyn, spotkamy się online na platformie Zoom: https://us02web.zoom.us/j/84987839803

Program Sympozjum

W dniach 11-13 stycznia odbyło się Sympozjum naukowe ISWGPDs 2022 (The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation). Sympozjum prowadzone było w trybie hybrydowym: w Nagoyi (Japonia) oraz zdalnie.

W sympozjum wzięli udział Koledzy z IWC PAN jako „Keynote and invited speakers”. Staszek Krukowski oraz Konrad Sakowski wygłosili wykłady na temat teoretycznego modelowania ładunku polaryzacyjnego w urządzeniach UV oraz metody szacowania stałych rekombinacji ABC na podstawie analizy eksperymentalnych wyników czasowo-rozdzielczej katodoluminescencji.

Miło nam poinformować, że decyzją Zgromadzenia Ogólnego Polskiej  Akademii Nauk prof. dr hab. inż. Izabella Grzegory, Dyrektor IWC PAN, została Członkiem Korespondentem Polskiej Akademii Nauk. Jak powszechnie wiadomo członkowie Akademii są wybierani przez Zgromadzenie Ogólne Akademii spośród uczonych, którzy wyróżniają się szczególnym dorobkiem naukowym i autorytetem w środowisku naukowym. Jest to więc ogromne wyróżnienie dla Pani Profesor, jak i dla całego naszego Instytutu. Pani Dyrektor jest pierwszym profesorem IWC PAN, który osiągnął tak wysoką pozycję w środowisku naukowym.

Gratulujemy serdecznie! Prosimy się nie zatrzymywać i osiągać kolejne sukcesy.

Pracownicy IWC PAN

Miło nam poinformować, że w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN będzie realizowany projekt OPUS-LAP przyznany przez Narodowe Centrum Nauki i Deutsche Forshungsgemeinschaft o akronimie Less-Stress „Badania in-situ relaksacji plastycznej warstw buforowych InGaN w celu zwiększenia limitów zawartości indu w azotkowych warstwach epitaksjalnych”. Projekt będzie realizowany we współpracy z Leibniz - Institut für Kristallzüchtung z Berlina (IKZ). Kierownikiem polskiej części prac badawczych jest dr inż. Julita Smalc-Koziorowska, a niemieckiej części dr Tobias Schulz.

Zdjęcie TEM dyslokacji niedopasowania na interfejsie InGaN/GaN w widoku planarnym. Zdjęcie wykonała Joanna Moneta.