Institute of High Pressure Physics

W styczniu 2020 r. w czasopiśmie Scientific Reports ukazała się praca dyskutująca mechanizmy rekombinacji w InGaN-owych studniach kwantowych wzrastanych na podłożach GaN o różnej polarności, a co za tym idzie o różnym wbudowanym polu elektrycznym. Naukowcy z grupy NL-15 IWC PAN we współpracy z kolegami z Politechniki Wrocławskiej zbadali wpływ fluktuacji indu oraz wbudowanego pola elektrycznego na własności optyczne studni kwantowych.

Link: https://www.nature.com/articles/s41598-020-58295-x

Rezultatem tej pracy jest stwierdzenie, że fluktuacje w skali nanoskopowej występują zarówno w polarnych jak i półpolarnych strukturach kwantowych InGaN/GaN, natomiast dla obu typów polarności, zdecydowanie różnią się wkłady do rekombinacji promienistej takich mechanizmów jak rekombinacja ekscytonowa  i rekombinacja plazmy elektrono-dziurowej. Ważnym wynikiem jest pokazanie, że rekombinacja niepromienista skaluje się z polem elektrycznym w sposób podobny do rekombinacji promienistej, utrzymując wewnętrzną sprawność kwantową na zbliżonym poziomie.

W dniu 27 marca 2020 r. o godz. 12:00 w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w Warszawie, ul. Sokołowska 29/37, w Sali Seminaryjnej odbędzie się

PUBLICZNA OBRONA ROZPRAWY DOKTORSKIEJ

mgr inż. Małgorzaty Iwińskiej

Temat rozprawy:

„HVPE as a method for crystallizing GaN with low background impurity concentration and controllable doping – highly conductive n-type and semi insulating material”

Obrona pracy odbędzie się przed Komisją powołaną przez Radę Naukową Instytutu. W posiedzeniu Komisji po obronie pracy doktorskiej biorą udział jej członkowie oraz przybyli członkowie Rady Naukowej. Serdecznie zapraszamy.

Rozprawa doktorska wraz z recenzjami jest do wglądu w sekretariacie Instytutu Wysokich Ciśnień PAN, ul. Sokołowska 29/37, pok. 208.

Najnowsza konstrukcja zespołu WUT Racing ujrzała światło dzienne. Podczas pokazu, który odbył się 28 lutego w Gmachu Głównym PW, mieliśmy okazję ujrzeć efekt wielomiesięcznych prac studentów koła działającego przy Wydziale Mechanicznym Energetyki i Lotnictwa PW. W bolidzie poza szeregiem innych nowatorskich rozwiązań konstrukcyjnych, zastosowano elementy złączne ze stopów lekkich (tytanu oraz stopu aluminium AA 5083) z materiału opracowywanego w Laboratorium Plastyczności pod Wysokim Ciśnieniem NL-1, IWC PAN. Elementy takie powstają w IWC PAN w ramach projektu NCBiR POIR.04.01.04-00-0010/15, realizowanego w konsorcjum z partnerem przemysłowym, firmą Inter-Metal z Radomia.

Bolid WUT-3 ma być nie tylko ciekawostką konstrukcyjną. Jego twórcy wyznaczyli sobie jasny cel – udział w inżynierskich zawodach Formuły Student i walka z zespołami pasjonatów z całego świata. Pierwsza taka okazja pojawi się już między 6 a 9 maja, podczas wyścigu Formula SAE Michigan. Za sterami bolidu zasiądą sami studenci, Formuła Student nie dopuszcza bowiem udziału kierowców z licencjami wyścigowymi.

Jak rośnie kryształ GaN ?
Interface GaN-Ga w promieniach X
Physical Review Letters, Editor’s Suggestion

Rysunek, Julita Smalc-Koziorowska, IWC PAN

W wyniku współpracy Radboud University, European Synchrotron Facility (ESRF), DESY-Nanolab i naszego Instytutu powstał ciekawy artykuł na temat struktury atomowej powierzchni kryształu GaN rosnącego z roztworu azotu w ciekłym galu. Co ciekawe, początkowo, w warstwie powierzchniowej rosnącego kryształu brakuje jednej czwartej atomów galu, a nie azotu jakby się mogło wydawać na pierwszy rzut oka. Bardzo interesujące jest również warstwowe uporządkowanie warstw atomów galu w sąsiedztwie powierzchni wzrostu.

Artykuł został opublikowany w Physical Review Letters (editor’s suggestion):

https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.124.086101

a także ciekawie zaanonsowany na stronie DESY:

http://www.desy.de/news/news_search/index_eng.html?openDirectAnchor=1788&