Institute of High Pressure Physics

Właśnie ukazała się praca w Journal of Applied Physics (J. Appl. Phys. 128, 050902 (2020)) pt. „Growth of bulk GaN crystals”, w której dr inż. Robert Kucharski wraz ze współpracownikami opisuje perspektywy dalszego rozwoju krystalizacji objętościowej GaN. Szczególną uwagę zwrócono na technologie krystalizacji rozwijane w Polsce, w naszym Instytucie. Życzymy przyjemnej lektury, a autorom realizacji deklarowanych scenariuszy.

Fizyka materii miękkiej w IWC PAN
Nowa publikacja Kolegów z NL7 w ACS Omega

W sierpniowym numerze czasopisma ACS Omega ukaże się praca
"The impact of pressure on low molecular weight near-critical mixtures of limited miscibility"
Aleksandra Drozd-Rzoska, Sylwester Rzoska, Jakub Kalabiński
(ID: ao-2020-017722.R5, Status: accepted).

Nowy sposób określania stężenia krytycznego roztworów o ograniczonej mieszalności, na podstawie analizy względnej objętości (h) zajmowanej przez współistniejące fazy. To rozwiązanie problemu powstałego po ‘upadku; prawa Cailletet-Mathias.

Właśnie ukazała się praca w Applied Physics Letters, w której Dr Ryszard Piotrzkowski wraz ze współpracownikami pokazał możliwe wyjaśnienie amfoterycznego zachowanie węgla w azotku galu krystalizowanym z fazy gazowej (HVPE). Dla niskich koncentracji węgla w GaN, jest on akceptorem wchodzącym w miejsce azotu w sieci krystalicznej i tworzącym poziom domieszkowy 1 eV powyżej wierzchołka pasma walencyjnego. Przy większych koncentracjach węgiel może zajmować miejsca galu w sieci krystalicznej GaN i stawać się donorem tworząc poziom blisko dna pasma przewodnictwa. Tym samym następuje efekt autokompensacji.

Analiza pomiarów spektroskopii elektronowego rezonansu paramagnetycznego i spektrometrii mas jonów wtórnych oraz wyniki pomiarów rezystywności i efektu Hall’a pozwoliły określić poziom akceptora węglowego (C_N) w GaN oraz zademonstrować jego przesunięcie temperaturowe (0.35 meV / K).

Panu Ryszardowi i współpracownikom gratulujemy i życzymy wielu cytowań.

a) Oporności właściwe HVPE-GaN:C w funkcji temperatury dla kryształów z różną zawartością węgla; ze zwiększeniem koncentracji węgla w GaN oporności rosły;
b) koncentracja dziur w funkcji temperatury dla HVPE-GaN:C; ze wzrostem koncentracji węgla koncentracja dziur zmniejszała się.

Ważna publikacja Kolegów z MAB-CENTERA w Physical Review X

Gratulacje !

Nasi Koledzy z Centrum Badań i Zastosowań Technologii Terahercowych CENTERA w Warszawie, utworzonego w IWC PAN w ramach programu Międzynarodowe Agendy Badawcze Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, odkryli możliwość wzmacniania fal terahercowych przez nanostruktury grafenowe w temperaturze pokojowej. Odkrycie to otwiera drogę do opracowania różnorodnych nowatorskich technologii, wykorzystujących promieniowanie terahercowe.

W wyniku współpracy naukowców z CENTERY (prof. Wojciecha Knapa, dra Dmytro Buta i prof. IWC PAN Valentina Kachorovskiego) z jej japońskim partnerem – Tohoku University – udało się zademonstrować możliwość wzmacniana promieniowania THz w temperaturze pokojowej, przez specjalnie skonstruowane nanostruktury grafenowe, wykorzystujące do tego celu pobudzenie prądem, absorpcję światła i oscylację plazmonów. „Uzyskane przez nas wyniki doświadczalne oczywiście wymagają jeszcze pracy zwłaszcza w dziedzinie technologii materiałów - tak by mogły służyć do konstrukcji nowych szeroko stosowanych urządzeń. Ale wydaje się, że otwierają one już dziś drogę do stworzenia nowej generacji w pełni elektronicznych wzmacniaczy THz, pracujących w temperaturze pokojowej” – podkreśla prof. Knap.

Praca opisująca to doświadczenie pt. „Room Temperature Amplification of Terahertz Radiation by Grating-Gate Graphene Structures” została opublikowana w renomowanym czasopiśmie Physical Review X – Amerykańskiego Towarzystwa Fizycznego (APS). Jest to czasopismo z jednym z największych „Impact Factor” wśród wszystkich czasopism APS z dziedziny fizyki, publikujące jedynie prace o przełomowym znaczeniu.

Notatka prasowa USA