Institute of High Pressure Physics

W dniach 19-21 stycznia odbędzie się ciekawe Sympozjum naukowe na temat fizyki i technologii półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną (ISWGPDs 2021). Sympozjum organizowane jest przez japońskie uniwersytety. Przewodniczącym Komitetu Organizacyjnego jest Prof. Hiroshi Amano (Uniwersytet Nagoya). W sympozjum wezmą udział Koledzy z IWC PAN jako „Keynote and invited speakers”.

Iza Gorczyca, Staszek Krukowski, Paweł Kempisty oraz Konrad Sakowski wygłoszą wykłady na temat teoretycznego modelowania procesów krystalizacji oraz własności struktur kwantowych i przyrządów.

To duże wyróżnienie dla IWC PAN. Gratulacje dla wykładowców !

Miło nam poinformować, że Instytut Wysokich Ciśnień PAN otrzymał dwa nowe granty z Narodowego Centrum Nauki w konkursie OPUS 19. Laureatami są:

Dr Piotr Kruszewski z Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników (NL12) – "Radiacyjne i nieradiacyjne defekty węglowe i wakanse w GaN".

Celem projektu jest zbadanie mechanizmów powstawania defektów we wzrastanych epitaksjalnie warstwach azotku galu domieszkowanych węglem a także wakansów galowych i azotowych powstałych na drodze naświetlania elektronami. W ramach projektu zostanie zbudowane stanowisko do pomiarów optycznego DLTS-u. Projekt będzie realizowany w bliskiej współpracy ze School of Electrical and Electronic Engineering, The University of Manchester. Łączny budżet to 1 475 040 zł a czas realizacji projektu przewidziano na 48 m-cy. Streszczenie projektu dostępne jest tutaj.

Dr Marcin Zając z Laboratorium Krystalizacji (NL3) – „Defekty punktowe w amonotermalnym azotku galu”.

Celem projektu  jest identyfikacja defektów punktowych, określenie ich wpływu na własności elektryczne i optyczne azotku galu otrzymywanego metodą amonotermalną. Istotnym elementem projektu jest szczegółowe badanie dynamiki defektów pod wpływem wysokotemperaturowego wygrzewania materiału niedomieszkowanego i domieszkowanego. Instytut Wysokich Ciśnień PAN jest liderem w wytwarzaniu objętościowego azotku galu metodą amonotermalną w środowisku zasadowym. Szczegółowa wiedza o rodzaju i koncentracji defektów jest konieczna z punktu widzenia kontroli procesu wzrostu i otrzymania podłoży GaN o pożądanych własnościach. Budżet projektu to 1 429 200 zł. Streszczenie dostępne jest tutaj.

Uniwersytet Stanforda, wydawnictwo Elsevier i firma SciTech Strategies opracowali listę najczęściej cytowanych autorów prac naukowych z zakresu nauk ścisłych, medycznych, technicznych i rolniczych. Lista obejmuje 159 683 nazwiska badaczy z całego świata w tym 726 osób z Polski.

Z naszego Instytutu znaleźli się na tej Liście następujący Koledzy:

Sylwester Porowski Izabella Grzegory Tadeusz Suski Wojciech Knap Jan Weyher Witold Łojkowski Michał Boćkowski oraz Tomasz Skotnicki (z afiliacją Politechnika Warszawska) Sergei Ganichev (z afiliacją University of Regensburg)

Jak na całą naukę i cały świat, to całkiem nieźle :)

Gratulacje !

Drugie Japońsko-polskie webinarium o GaN za nami

Gratulujemy prelegentom bardzo dobrych wykladów.