Wyróżniony artykuł o defektach w kryształach β-Ga2O3
Wtorek, 18 Luty 2025 12:14 |
Edytorzy czasopisma Applied Physics Letters (APL) wyróżnili ostatnio opublikowany artykuł, który powstał we współpracy pomiędzy Instytutem Wysokich Ciśnień PAN oraz Leibniz-Institut fur Kristallzuchtung w Berlinie.
P. Kruszewski, A. Fiedler, Z. Galazka; The electric field influence on EC-0.18 eV electron trap level in (100)-oriented β-Ga2O3 crystals grown by the Czochralski method. Appl. Phys. Lett. 126 (6): 062110, 2025. https://doi.org/10.1063/5.0251567
W niniejszej pracy zademonstrowano, że elektronowy poziom pułapkowy (Ec-0.18 eV) powszechnie obserwowany w kryształach β-Ga2O3 wzrastanych metodą Czochralskiego jest w rzeczywistości superpozycją dwóch poziomów elektronowych o zbliżonych energiach aktywacji tj. Ec-0.196 eV oraz Ec-0.209 eV. Ponadto, pokazano że oba stany pułapkowe wykazują cechy defektu donorowego. Odkrycie to było możliwe dzięki zastosowaniu wysoko rozdzielczej techniki Laplace DLTS i odpowiednio dobranych warunków eksperymentalnych.
