- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
OPUS +LAP dla Unipressu
Informacje ogólne - News |
Narodowe Centrum Nauki (NCN) ogłosiło wyniki konkursu OPUS 26+LAP/Weave na projekty realizowane we współpracy polsko-niemieckiej. Dr inż. Grzegorza Muzioł z Laboratorium MBE naszego Instytutu otrzymał finansowanie na projekt „Wielozłączowe diody laserowe z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym - synergia wysokiej mocy optycznej i jednomodowego trybu pracy”.
Celem projektu będzie opracowanie zupełnie nowego urządzenia optoelektronicznego – wielozłączowej diody laserowej DFB, którą schematycznie ilustruje Rysunek 1. Urządzenie to zawiera kilka złączy pn połączonych złączami tunelowymi (TJ). Zaletą tego schematu jest to, że dla tego samego przepływu prądu emisja światła zachodzi w każdej ze studni kwantowych (QW). Można oczekiwać N-krotnego wzrostu mocy wyjściowej wielozłączowego lasera z N sekcjami. Skutkuje to sprawnością różnicową (fotony na wstrzyknięte elektrony) wyższą niż 100%, za cenę dodatkowego napięcia wymaganego dla każdej sekcji. Siatka DFB umieszczona na powierzchni urządzenia, jak pokazano na Rysunku 1, zapewni silne sprzężenie z modem optycznym i laserowanie tylko na jednej długości fali - tej, która pasuje do siatki.
Demonstracja widzialnych wielozłączowych DFB LD otworzy nową dziedzinę urządzeń opartych na GaN i pobudzi nowe kierunki badań. Popularnonaukowe streszczenie projektu dostępne jest pod linkiem.
Projekt będzie realizowany we współpracy Instytutu Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk (IWC PAN), CEZAMAT Politechniki Warszawskiej oraz grupy prof. Ulricha Theodora Schwarza z Technische Universität Chemnitz.
Rysunek 1. (a) Schemat przedstawiający koncepcję wielozłączowej diody laserowej z rozproszonym sprzężeniem zwrotnym, składającej się z trzech sekcji połączonych złączami tunelowymi (TJ). Mod optyczny trzeciego rzędu jest narysowany z maksimami w trzech regionach studni kwantowej (QW). Światło rozchodzące się w urządzeniu sprzęga się z siatką DFB, która jest umieszczona na powierzchni, co zapewnia laserowanie w niezwykle wąskim spektrum. (b) Schemat struktury pasmowej podwójnej diody laserowej (kliknij w rysunek, aby powiększyć).