Instytut Wysokich Ciśnień

Plastycznie zrelaksowane warstwy InGaN stanowią obiecującą perspektywę dla uzyskania objętościowych podłoży o stałej sieci zwiększonej w stosunku do podłoży GaN. Prace nad tego typu strukturami prowadzone są w laboratorium NL-12. Z przyjemnością ogłaszamy niedawną publikację artykułu J. Moneta et al. "Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN" w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia, gdzie autorzy opisują wpływ dezorientacji podłoża GaN na procesy relaksacji naprężeń warstw InGaN. Badania wskazują, że powszechnie wykorzystywana metodyka badania stopnia relaksacji warstw epitaksjalnych o strukturze wurcytu może prowadzić do dużych błędów pomiarowych i mylnych wniosków. Przez wzgląd na występujące deformacje sieci krystalicznej konieczna jest zaawansowana charakteryzacja XRD. Zapraszamy do zapoznania z artykułem.