TEAM prof. dr hab. Michał Leszczyński
| Badania - Projects |
Projekt jest realizowany w ramach programu Team Fundacji na rzecz Nauki Polskiej. Program TEAM współfinansowany w ramach Programu Operacyjnego Inteligentny Rozwój (PO IR) oraz Fundację na rzecz Nauki Polskiej. Program ten kierowany jest do zespołów badawczych prowadzonych przez wybitnych uczonych realizujących projekty B+R związanych z powstaniem produktu lub procesem produkcyjnym (technologicznym lub wytwórczym) o dużym znaczeniu dla gospodarki.
Opis Projektu:
Influence of point defects on InGaN quantum well decomposition in technology of blue/green laser diodes and LEDs
In the Project, we will explain the role of point defects (mainly Ga vacancies and hydrogen impurity) in decomposition of InGaN quantum wells. This decomposition occurs during growth of p-type GaN above these wells in LEDs and laser diodes (LDs) emitting in blue/green spectral range, and is one of the main reasons why the efficiencies of green emitters have low efficiencies ("green gap"). In our recent research, we got for the first time indications that the InGaN decomposition is caused by strain-driven diffusion of point defects. To understand this phenomenon, we are planning to do a number of experiments changing growth parameters (doping, flows of reactants, pressure, temperature, etc) in epitaxial growth, as well as to do theoretical modelling of point defect and indium diffusion. The samples will be examined using a number of techniques in collaboration with other labs. As a result, we should find the way of avoiding the InGaN decomposition in LEDs and LDs.
Numer umowy: POIR.04.04.00-00-3C81/16
Okres realizacji projektu: od 2017-09-01 do 2021-05-29
Kierownik projektu: prof. dr hab. Michał Leszczyński
Wartość ogółem: 3 464 455,00 PLN
Wydatki kwalifikowane: 3 464 455,00 PLN
Dofinansowanie: 3 464 455,00 PLN
Wkład UE: 3 464 455,00
