Porozmawiamy w Cambridge o relaksacji warstw InGaN
Piątek, 31 Marzec 2023 15:03 |
Transmisyjna mikroskopia elektronowa daje nam szczególny wgląd w strukturę badanych materiałów oraz pozwala obrazować defekty.
Na konferencji Microscopy of Semi-Conducting Materials, która odbędzie się w dniach 3-6 kwietnia 2023 r. w Cambridge, dr hab. inż. Julita Smalc-Koziorowska wygłosi referat zaproszony na temat „Peculiarities of the strain relaxation in InGaN layers”, a dr inż. Joanna Moneta wygłosi prezentację ustną "Strain anisotropy of partially relaxed InGaN layers induced by misfit dislocations".
Szczegółowy program konferencji pod linkiem.
