Instytut Wysokich Ciśnień

Cztery referaty zaproszone i trzy komunikaty ustne zostaną przedstawione podczas zbliżającej się konferencji EMRS Fall Meeting. Na sympozjum F (Ultra wide-band-gap semiconductors for energy and electronics) Konrad Sakowski wygłosi referat zaproszny pt. “Polarization-doping of AlGaN laser diodes in numerical simulations”. Z kolei podczas sympozjum G (New frontiers in wide-band-gap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing) Gosia Iwinska wygłosi referat zaproszony pt. “Recent progress in crystallization of bulk gallium nitride: wafers for vertical power devices”. Podczas tego symposium Piotr Kruszewski, Pawel Prystawko I Michal Bockowski przedstawią swoje ostatnie wyniki dotyczące półprzewodników azotkowych. Podczas sesji łączonej sympozjów F i G prof. Stanisław Krukowski wygłosi referat zaproszony pt „Adsorption of aluminum and nitrogen at polar AlN surfaces – ab intio picture of AlN growth”, a podczas sympozjum H Marta Sawicka wygłosi referat zaproszony pt.  "Electrochemical etching for blue laser diodes with nanoporous GaN cladding".