Institute of High Pressure Physics

Miło nam poinformować, że Instytut Wysokich Ciśnień PAN otrzymał dwa nowe granty z Narodowego Centrum Nauki w konkursie OPUS 19. Laureatami są:

Dr Piotr Kruszewski z Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników (NL12) – "Radiacyjne i nieradiacyjne defekty węglowe i wakanse w GaN".

Celem projektu jest zbadanie mechanizmów powstawania defektów we wzrastanych epitaksjalnie warstwach azotku galu domieszkowanych węglem a także wakansów galowych i azotowych powstałych na drodze naświetlania elektronami. W ramach projektu zostanie zbudowane stanowisko do pomiarów optycznego DLTS-u. Projekt będzie realizowany w bliskiej współpracy ze School of Electrical and Electronic Engineering, The University of Manchester. Łączny budżet to 1 475 040 zł a czas realizacji projektu przewidziano na 48 m-cy. Streszczenie projektu dostępne jest tutaj.

Dr Marcin Zając z Laboratorium Krystalizacji (NL3) – „Defekty punktowe w amonotermalnym azotku galu”.

Celem projektu  jest identyfikacja defektów punktowych, określenie ich wpływu na własności elektryczne i optyczne azotku galu otrzymywanego metodą amonotermalną. Istotnym elementem projektu jest szczegółowe badanie dynamiki defektów pod wpływem wysokotemperaturowego wygrzewania materiału niedomieszkowanego i domieszkowanego. Instytut Wysokich Ciśnień PAN jest liderem w wytwarzaniu objętościowego azotku galu metodą amonotermalną w środowisku zasadowym. Szczegółowa wiedza o rodzaju i koncentracji defektów jest konieczna z punktu widzenia kontroli procesu wzrostu i otrzymania podłoży GaN o pożądanych własnościach. Budżet projektu to 1 429 200 zł. Streszczenie dostępne jest tutaj.