IWC PAN na konferencji APWS 2019, Okinawa, Japonia
Wednesday, 20 November 2019 14:01 |
W dniach 10-15 listopada 2019 roku miała miejsce prestiżowa konferencja APWS2019 (The 9th Asia Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (Okinawa, Japonia).
Konferencja zgromadziła prawie 300 uczestników, głównie z Japonii i Chin. 8 uczestników pochodziło z Europy, 3 z USA. Wśród reprezentantów Europy znalazły się 3 osoby z naszego Instytutu. Dr Anna Kafar, prof. Michał Boćkowski i prof. Tadeusz Suski.
Dr A. Kafar odbywa obecnie staż podoktorski na Uniwersytecie w Kyoto. Profesorowie M. Boćkowski i T. Suski zostali zaproszeni do wygłoszenia referatów „invited”. Odpowiednio, na temat osiągnięć naszego Instytutu w dziedzinie wzrostu kryształów GaN i mechanizmów rekombinacji promienistej ekscytonów w heterostrukturach InGaN/GaN.
Jeden z pięciu referatów plenarnych przedstawionych na Konferencji APWS2019 wygłosił prof. Hiroshi Amano z Nagoya University, współlaureat Nagrody Nobla z fizyki w 2014 roku. Referat „Wide-bandgap semiconductors as key materials in realizing zero emission of greenhouse gases” wywołał bardzo duże zainteresowanie. Jednak największe emocje w grupie uczestników zajmujących się optoelektroniką wywołała wiadomość o zademonstrowaniu diody laserowej działającej w głębokim nadfiolecie-271,8 nm. Ten przełomowy i długo oczekiwany wynik został osiągnięty przez badaczy z Japonii (zespół kierowany przez H. Amano) z udziałem Amerykanina prof. Leo Schowaltera, który zajmuje się wzrostem kryształów AlN.
